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宽带隙(3.83 eV)半导体光催化材料InNbO4在紫外光作用下具有分解水和降解有机物的性能。最近实验发现了N掺杂InNbO4具有可见光下分解水制氢的活性。为了从理论上解释这一实验现象,本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了N掺杂对InNbO4的能带结构、态密度和光学性质的影响。分析能带结构可得,N掺杂后在InNbO4的价带(O 2p)上方形成N 2p局域能级,导致电子跃迁所需的能量减小。吸收光谱表明,N掺杂后InNbO4的光吸收边出现了红移,实现了可见光吸收。 相似文献
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The filter made up of two gratings performs as a two-dimensional non-spatial filtering. This paper reports that the volume Bragg gratings are fabricated by interfering two collimated coherent laser beams in photopolymer. Diffraction efficiency of a single grating is up to 78% in Bragg's condition, then a two-dimensional non-spatial filter, which consists of two volume Bragg gratings and a half-wave plate, enables the laser beam filtered in two dimensions with the diffraction efficiency of 54%. The Bragg's condition and effect of polarisation on performances of the two-dimension filter are also discussed. 相似文献
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<正>Diffraction efficiency of volume Bragg grating,whose period is in the same order as the incident wavelength, is related to the polarization direction of the incident linear polarized beam.When two linearly polarized recording beams with the same polarization direction are used for recording volume Bragg gratings in a photopolymer with diffusion amplification,the azimuth of polarization of the reconstruction beam influences the diffraction efficiency of the grating.When the probe beam is linearly polarized and oriented orthogonally to the grating vectors,the±1-order diffraction beams are also linearly polarized with polarization direction parallel to that of the probe beam.According to the results,a two-dimensional nonspatial optical filter consisting of the volume Bragg gratings would achieve significantly higher efficiency. 相似文献
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三元黄铜矿结构(也称类金刚石结构)半导体是一类具有热电转换潜力的新型热电材料. 本次工作中采用电负性更小的Mn元素替换CuInTe2黄铜矿结构半导体中的Cu元素, 设计制备贫Cu化合物Cu1-xInMnxTe2. 研究表明, 当Mn含量较低时, Mn优先占位在In 位置产生受主缺陷MnIn-. 因此随着Mn含量的增大, 载流子浓度和电导率均得到改善. 但当Mn含量进一步增大后, Mn可同时占位在In位置和Cu位置, 除产生受主缺陷MnIn-外, 还能产生施主缺陷MnCu+. 由于两类极性相反的缺陷之间的湮灭现象, 使得缺陷浓度及载流子浓度开始降低, 晶格结构畸变有变小趋势, 因此在高温下晶格热导率仅略有提高. 研究结果表明, 在某一特定的Mn含量(x=0.05)时, 材料具有最优的热电性能(ZT=0.84@810.0 K), 这一性能约是未掺杂CuInTe2的2倍. 相似文献
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采用在惰性气体中蒸发的方法获得了沉积在ZnS基片上的InSb纳米晶体,其平均尺寸随惰性气体的压强增加而增大.从实验测量的室温吸收谱上看到,当纳米晶体的平均直径从27.9 nm减小到24.2nm再到21.4 nm时,其吸收边分别向高能方向移动了0.0151 eV和0.0145 eV.用有效质量近似模型计算了半导体纳米晶体的吸收边相对其体材料的移动,将理论计算与实验结果进行了比较. 相似文献