配电断路器智能控制器

针对配电网断路器分合线路、电容器、电抗器等设备时产生冲击电流的问题,研究开发了基于高速数据采集与数字信号处理技术的配电网断路器智能控制器。在配电网断路器执行关合操作时,分合闸命令是随机发出的,断路器分合闸瞬间时刻所对应系统电压相位也就是随机的。为减小分合闸涌流的幅值,本文设计了能够检测系统电压过零点的断路器智能控制器,实现了断路器合闸相位的控制,具有实际应用和推广价值。     

药学信息学课程体系建设

随着药学的不断深入和迅猛发展,药学信息的提取,表达,传送,整理显得尤为重要,从而急需培养药学信息学的人才和创建药学信息学课程体系,本文对其课程体系的现状、教学建设及教学方法的实施加以论述。     

信息化条件下车辆保障技术兵教育训练转变

信息化条件下,转变车辆保障技术兵的教育训练,不断创新,培养出适应信息化战争的优秀车辆保障技术兵。本文立足于我系的当前实际条件和学兵的具体知识结构,提出了如何进行信息化条件下车辆保障技术兵教育训练的转变。     

延迟和相关效应对Ne原子2p53s1,3P10-2p6 1S0跃迁的影响

利用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法,系统地研究了延迟和相关效应对中性Ne原子2p53s1,3P01-2p61S0电偶极共振和复合跃迁的能量以及跃迁几率(寿命)的影响,给出了相应的跃迁能和辐射寿命,并与最新的实验观测和其他理论计算结果进行了比较.     

Si3N4的晶体化和ZrN/Si3N4纳米多层膜的超硬效应

研究了Si₃N₄层在ZrN/Si₃N₄纳米多层膜中的晶化现象及其对多层膜微结构与力学性能的影响. 一系列不同Si₃N₄层厚度的ZrN/Si₃N₄纳米多层膜通过反应磁控溅射法制备. 利用X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的微结构和力学性能. 结果表明，由于受到ZrN调制层晶体结构的模板作用，溅射条件下以非晶态存在的Si₃N₄层在其厚度小于0.9 nm时被强制晶化为NaCl结构的赝晶体，ZrN/Si₃N₄纳米多层膜形成共格外延生长的柱状晶，并相应地产生硬度升高的超硬效应. Si₃N₄随层厚的进一步增加又转变为非晶态，多层膜的共格生长结构因而受到破坏，其硬度也随之降低.     

数学趣味化教学法实施策略研究

分析了数学兴趣对成绩的影响和产生数学兴趣的主要原因,根据青少年好奇、好动、好强、好胜、好寻根求源、标新立异的心理特点,提出了相应的趣味化教学策略.     

主体间认知差异对当前中国外交的影响及相关对策的思考

新世纪,中国的外交面临着国内国外的双重考验,不断变化的国内环境和国际形势都对中国的外交政策有着十分重要的影响。在这过程中,矛盾也逐渐凸显出来,诸多矛盾表象后所隐含的主体间认知差异问题经常会影响外交政策的制定方向,尤其是中外之间、高层政治领导者和普通民众之间、不同利益集团之间这三种主体间的认知差异对中国外交政策产生了重要影响,针对这三种差异,找到其产生的根源及面临的困境,并且根据中国国情建立有效地高层外交协调机制、改进传播和宣传方式、系统整合外交系统,从而更有利于中国外交政策的制定和深入的贯彻实施。     

如何促进机关单位后勤人才队伍建设

人才是指具有一定专业知识或专业技能,进行创造性劳动并对社会做出贡献的人,是人力资源中能力和素质较高的劳动者,人才是我国经济发展的第一资源。坚持以人为本,努力建设一支高素质的机关后勤人才队伍,是新时期实践＂三个代表＂重要思想的主要内容,是推动机关后勤改革与发展的迫切需要,也是今后机关后勤深化体制改革,实现服务社会化的关键时期。机关后勤社会化,     

用ARUPS和HREELS研究GaP(111)面的表面态

本文利用角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)和高分辨率电子能量损失谱(HREELS)研究Ar⁺刻蚀退火处理的GaP(111)面表面态。发现与P原子悬挂键有关的本征满表面态在Г点位于价带顶下0.6eV处,而缺陷引入的空表面态位于价带顶上1.1eV处(Г点)。空表面态引起n型样品表面能带发生1.36eV弯曲。     

激光能量对激光诱导Cu等离子体特征辐射强度、电子温度的影响

利用Nd:YAG激光(波长1 064 nm,脉宽10 ns)烧蚀金属Cu靶获得等离子体 .改变激光脉冲能量,观测到Cu的原子谱线和离子谱线随激光脉冲能量有不同的变化关系, 但都在330 mJ/pulse时,谱线强度达到最大,随后在330 mJ～370 mJ/pulse间出现一小平台 ,能量继续增加,各谱线强度减小.同时,使用烧蚀Cu靶产生的五条原子谱线(465.11 nm,5 10.55 nm,515.32 nm,521.82 nm,529.25 nm)的相对强度,在局部热力学平衡近似下,利用B oltzmann图的最小二乘法拟合,测定了不同激光能量下Cu等离子体的电子温度.随激光能量的增加,电子温度近似单调地从1.02×104 K上升到1.46×104 K后,反而有所下降.