一阶多项式动态模型及贝叶斯预测

本文描述了贝叶斯预测的基本思想以及动态线性模型.系统地讨论了一阶多项式动态线性模型.它是最简单、应用最广泛的一种模型.它体现了动态线性模型的许多重要的基本概念和分析特性.本文介绍了卡尔曼滤波递推算法,并分别根据已知和未知观测方差详细给出了它们的先验分布,预测分布和后验分布.根据实践中 W_t 不易求出,文中引入了折扣概念.并讨论了一阶多项式折扣贝叶斯模型及其预测.最后还讨论了具有实用价值的主观干预模型及其预测方法.     

Compact Single-Stage Femtosecond Multipass Ti：Sapphire Amplifier at 1 kHz with High Beam Quality

A compact femtosecond Ti：sapphire amplifier system is reported using single-stage multipass configuration with high beam quality. A high dispersion glass stretcher and a pair of double prisms for compression are introduced based on broadband femtosecond seed pulses. The non-grating-based pulse stretcher and compressor are advantageous to increase high beam quality and to reduce the high-order dispersion. A Gaussian filter is used to reduce the gain narrowing effect in amplification. The compact femtosecond Ti：sapphire nine-pass amplifier delivers pulses with a duration of 26 fs and an energy of 800μJ at 7mJ pumping pulses energy at I kHz. The 1-kHz femtosecond amplifier with high beam quality and high stability is very suitable for ultrafast physics research applications, such as attosecond science, ultra-precision micromachining, and THz wave generation.     

变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究

在变缓冲层高迁移率晶体管（MM_HEMT）器件中，二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象，结合变温度的Hall测量，系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明，沟道中In组分为0.65的样品，材料电学性能最好，In组分高于0.65的样品，严重的晶格失配将产生位错，引起迁移率下降，大大影响材料和器件的性能. 关键词： 变缓冲层高迁移率晶体管 Shubnikov_de Hass 振荡     

后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。     

三种不对称相转移催化剂的新合成方法

本文报道了以N-甲基麻黄素、奎宁、卤代烃为原料合成N-甲基-N-十六烷基麻黄素溴化铵、N-苄基奎宁氯化铵及N-甲基-N-苄基麻黄素溴化铵三种不对称相转移催化剂的新方法。该方法改变了原来的反应条件和分离提纯方法,并缩短了反应时间,提高了效率。对产物进行了元素分析和红外光谱测定。     

褪黑素对持续光照小鼠学习记忆能力的影响

运用Ｙ－迷宫检测小鼠的分辨学习和记忆能力,观察了年龄,每天２４小时连续１个月的持续光照和每日定时注射褪黑素对小鼠分辨学习和记忆能力的影响。结果表明,成年小鼠与青年小鼠相经学习和记忆能力下降;持续光照可引起小鼠学习记忆能力出现不同程度的下降;实验结果提示,褪黑素在维持学习记忆能力中具有重要作用。     

二阶导数差示脉冲极谱法用于醋酸氟氢可的松的定量研究

用二阶导数差示脉冲极谱法对醋酸氟氢可的松进行了定量分析。在０．００１ｍｏｌ／Ｌ硫酸＋乙醇＋水（１＋２５＋２４）的底液中，醋酸氟氢可的松于－０．３４０Ｖ（ｖｓＡｇ／ＡｇＣｌ）处出现一良好的二阶导数差示脉冲极谱峰，在５～１４０μｇ／ｍＬ范围内，醋酸氟氢可的松的浓度与其二阶导数差示脉冲极谱峰幅值呈线性关系，检测限为０．４ｎｇ／ｍＬ。本法操作简便、快速、灵敏、结果准确。     

多取代吡啶及衍生物的合成和生物活性

多取代吡啶类化合物作为除草剂最早出现在20世纪60年代,如毒莠定、使它隆和绿草定等[1].近年来,孟山都和罗姆-哈斯公司又推出了新多取代吡啶化合物除草剂噻草定(thiazopyr)[2].鉴于多取代吡啶类化合物优异的除草活性,在前期的工作基础上[3],我们以2-腈基硫代乙酰胺为起始原料,合成了如下新颖的多取代吡啶衍生物.初步生物活性测定表明,部分化合物有适中的除草和杀菌活性.     

一阶导数差示脉冲极谱法用于甲硝唑的定量研究

本实验运用一阶导数差示脉冲极谱法对甲硝唑及其制剂进行了定量研究。在０．００１ｍｏｌ／Ｌ氯化钾－０．００１ｍｏｌ／Ｌ盐酸－水（１＋０．２＋４８）的底液中，甲硝唑于－０．８００Ｖ（ｖｓ Ａｇ／ＡｇＣｌ）处出现一良好的一阶导数差示脉冲极谱峰，在５０～３００μｇ／ｍＬ范围内，药物浓度与其导数峰幅值呈线关系，检测限为８．０×１０＾－８ｍｏｌ／Ｌ。本法操作简便，快速，灵敏，结果准确。     

Underpotential Deposition Study and Determination of Bismuth on Gold Electrode by Using Voltammetry

ＴｈｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｏｆｓｔｒｉｐｐｉｎｇｖｏｌｔａｍｍｅｔｒｙｗｉｔｈＵＰＤｃａｎｌｅａｄｔｏｔｈｅｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｏｆｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ ,ｓｅｌｅｃｔｉｖｉ ｔｙａｎｄｒｅｖｅｒｓｉｂｉｌｉｔｙｆｏｒｅｌｅｃｔｒｏａｎａｌｙｔｉｃａｌｐｕｒｐｏｓｅａｎｄａｖｏｉｄｔｈｅｕｓｅｏｆｔｏｘｉｃｍｅｒｃｕｒｙａｓｔｈｅｗｏｒｋｅｌｅｃｔｒｏｄｅ1ａｎｄｔｈｅｎａｎａｌｙｔｉｃａｌａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｈａｖｅｂｅｅｎｄｅｓｃｒｉｂｅｄ .2 4 Ｉｎｔｈｉｓｗｏｒｋ ,ｗｅｄｅｖｅｌｏ…