相分离Gd_5Ge_4合金温度依赖的多重磁转变行为研究

系统研究了Gd5Ge4合金的结构和磁特性的温度依赖关系,结果表明,实验样品Gd5Ge4室温下具有典型的pnma空间群正交结构,通过测量该合金场冷(FC)和零场冷(ZFC)下的热磁曲线以及交流磁化率随温度变化曲线,结合不同温度下的磁滞回线(M～H),观察到当外加磁场为1T时,体系在几个特征温度T1=10K、T2=26K、T3=127K和T4=235K附近磁化强度出现了异常变化,反映在这些特征温度下的体系出现了复杂的多重磁转变行为,初步分析了在各特征温度附近发生的磁相变的属性,探讨了相分离中铁磁成分与温度的关联,其结果对扩展包括强关联锰氧化物在内的相分离体系物理机理的理解具有一定的参考价值和借鉴意义。     

闪锌矿GaN/AlGaN量子阱中激子态及带间光跃迁

基于有效质量近似,运用变分方法研究闪锌矿GaN/AlGaN量子阱中的激子态及带间光跃迁随闪锌矿GaN/AlGaN量子阱结构参数的变化关系,考虑电子与空穴在其量子阱中的有限势效应.数值计算结果显示出当量子阱的尺寸增加时,基态激子结合能和带间光跃迁能降低,而当闪锌矿GaN/AlGaN量子阱中垒层材料AlGaN中Al含量增加时,基态激子结合能和带间光跃迁能增加.     

光学Y分支三维波导的数值模拟

针对光学Y分支三维波导结构及折射率分布,运用有限差分波束传播方法(FD-BMP)进行了数值模拟.由数值结果可得,FD-BPM法算得的分支损耗为0.37dB,而原有的快速傅立叶变换法(FFT-BPM)算得的分支损耗为0.30dB.分析指出,FD-BMP的结果较为合理.对两种方法的计算时间比较发现,FD-BMP比FFT-BMP快5～7倍.     

非单色光对波带片光斑的影响

考虑了波带在非单色光照明条件下的光斑特性,通过数值计算,得到了不同带宽的光强分布曲线和光斑半径随带宽的变化曲线。