优化的非等距GM(1,1)模型在基坑周边地表沉降预测中的应用

由于影响基坑沉降的因素较多,并且在实际工作中监测数据存在非等距的情况,通过传统的非等距GM(1,1)模型的建模原理分析了其预测精度低的原因,同时指出背景值是影响非等距GM(1,1)模型精度的关键因素之一.在此基础上,提出运用Newton插值法和Newton-Cotes求积公式优化背景值,结合工程实例,表明优化后的非等距GM(1,1)模型在沉降预测中的有效性.     

K8Ni（H2O）P2W17O61与碱性成纤维细胞生长因子的相互作用

通过荧光光谱、圆二色谱方法对K8Ni（H2O）P2W17O61（KNiPW）与碱性成纤维细胞生长因子（bFGF）的相互作用进行了研究．结果表明,KNiPW能够与bFGF发生结合反应,结合比为1：1,表观结合常数为5．0×10^6L·mol^-1,KNiPW能够提高bFGF的热稳定性．     

同根同源的两道圆锥曲线高考试题的剖析

每年高考解析几何试题总是五彩缤纷、精彩不断,不乏有许多点睛之作,或给人以启迪,或给人以思考.研究高考试题,这是我们教学研究的一个规定动作,引导学生剖析试题内涵,寻找试题间的联系,这是我们教学中不得不停留的地方,所以我们可以从联系的角度去审视高考试题,置知识于系统中,着眼于知识之间的联系和规律,从而深入数学的本质.     

基于虚拟仪器的智能电子鼻系统的设计

智能电子鼻对于有害气体和可燃性气体的检测具有重要意义;以NI公司Labview9.0为测试平台,利用PCI-1710HG数据采集卡、传感器阵列设计构成智能电子鼻系统;采用测量室和气体流量计精密控制气体密度和状态;虚拟仪器开发平台用于实时监测和显示采集得到的曲线和数据,并通过遗传算法改进后的BP神经网络进行分析,得到不同气体的浓度;最后使用不同阻值的精密电阻替代传感器对系统进行测试,结果表明系统对多种气体检测都具有高精度和高稳定性,能够进行高效智能化检测。     

一种基于交错分链结构的路由协议

LEACH协议和PEGASIS协议是典型的分层路由协议,但是也有各自的不足。在LEACH协议中会出现分簇不均的问题,而PEGASIS协议中,算法会导致长链,Leader的选举策略使节点能量消耗不均匀,并且还有拓扑重构的问题。基于LEACH协议和PEGASIS协议提出了一种新协议,该协议通过均分区域避免长链和分簇不均,以剩余能量最大的节点作为Leader节点的策略避免节点能量消耗不均,采用刷新路由表的方式避免拓扑重构。仿真实验的结果表明,本协议在均衡节点能量消耗和延长网络寿命方面能取得更好的效果。     

真空紫外-紫外光激发下的Na_2SO_4:TbF_3的发光性质

在空气中900℃温度下,对纯天然无水芒硝(Na2SO4)和TbF3的混合粉末加热20min,制备了Na2SO4:TbF3发光材料。并测量了在室温中真空紫外-紫外光下的发射和激发光谱。发射光谱有一系列由于Tb3+离子的5D4→7FJ(J=6,5,4,3,2)和5D3→7FJ(J=6,5,4,3,2)跃迁发射峰。通过监测542nm处发光得到的激发光谱,分别由Tb3+离子4fn→4fn-15d跃迁(187,193,218nm),基质吸收(165,200,240nm)引起的强激发谱和禁戒的f-f跃迁产生的弱激发谱组成。在TbF3的掺杂量在0.3%～2%范围内,随着Tb3+离子掺杂量的增加,真空紫外区的激发谱相应地逐渐增强。     

中国创新类证券公司全要素生产率变动分析

运用2006～2008年创新类券商年报的面板数据,采用非参数Malmquist指数方法,实证分析了我国创新类证券公司增长过程中全要素生产率的变动状况,并将其进一步分解为技术效率和技术进步.研究结果表明,2006～2008年我国创新类证券公司全要素生产率的平均增长率为19％,主要原因是技术进步水平的提高,但同时存在着纯技...     

轴流压气机转子内三维湍流流场计算

应用高雷诺数ｋ－ｅ湍流模型进行了轴流压气机叶轮内三维流动的计算．使用ＳＩＭＰＬＥ型算法求解了全三维雷诺平均质量加权Ｎ－Ｓ方程．对流项采用了高阶精度的上游加权近似和ＴＶＤ类型的ＭＵＳＣＬ差分格式．采用非正交适体坐标和同位网格系，速度的协变物理分量被选作为独立求解变量．为了消除非物理的压力和速度振荡，对界面上的逆变速度分量采用Ｒｈｉｅ和Ｃｈｏｗ动量插值方法．求解中考虑了周期边界条件和运动壁面边界条件．对两个轴流叶轮进行了计算，计算结果表明全三维湍流计算能有效地预测轴流叶轮对道内及无叶间隙处的分离，以便改进气动设计、几何设计以提高轴流压气机的性能．     

Effects of high-dose Ge ion implantation and post-implantation annealing on ZnO thin films

This paper reports that ion implantation to a dose of 1×10¹⁷ ions/cm² was performed on c-axis-orientated ZnO thin films deposited on (0001) sapphire substrates by the sol-gel technique. After ion implantation, the as-implanted ZnO films were annealed in argon ambient at different temperatures from 600-900℃. The effects of ion implantation and post-implantation annealing on the structural and optical properties of the ZnO films were investigated by x-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL). It was found that the intensities of (002) peak and near band edge (NBE) exitonic ultraviolet emission increased with increasing annealing temperature from 600-900℃. The defect related deep level emission (DLE) firstly increased with increasing annealing temperature from 600- 750℃, and then decreased quickly with increasing annealing temperature. The recovery of the intensities of NBE and DLE occurs at \sim 850℃ and \sim 750℃ respectively. The relative PL intensity ratio of NBE to DLE showed that the quality of ZnO films increased continuously with increasing annealing temperature from 600 - 900℃.     

Cu,O共掺杂AlN晶体电子结构与光学性质研究

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对纯Al N,Cu单掺杂以及Cu与O共掺杂Al N超胞进行了几何结构优化,计算了掺杂前后体系的晶格常数、能带结构、态密度与光学性质.结果表明:掺杂后晶格体积增大,系统能量下降;Cu掺入后Cu 3d电子与N 2p电子间有强烈的轨道杂化效应,Cu与O共掺后Cu和O之间的吸引作用克服了Cu原子之间的排斥作用,能够明显提高掺杂浓度和体系的稳定性.光学性质分析中,介电函数计算结果表明Cu与O共掺杂能改善Al N电子在低能区的光学跃迁特性,增强电子在可见光区的光学跃迁;复折射率计算结果显示Cu与O掺入后由于电磁波穿过不同的介质,导致折射率发生变化,体系对低频电磁波吸收增加.