首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   617篇
  免费   66篇
  国内免费   63篇
化学   89篇
晶体学   10篇
力学   10篇
综合类   10篇
数学   35篇
物理学   138篇
综合类   454篇
  2024年   3篇
  2023年   10篇
  2022年   16篇
  2021年   17篇
  2020年   12篇
  2019年   18篇
  2018年   18篇
  2017年   11篇
  2016年   16篇
  2015年   22篇
  2014年   46篇
  2013年   34篇
  2012年   36篇
  2011年   33篇
  2010年   44篇
  2009年   36篇
  2008年   45篇
  2007年   41篇
  2006年   35篇
  2005年   36篇
  2004年   33篇
  2003年   21篇
  2002年   14篇
  2001年   14篇
  2000年   16篇
  1999年   9篇
  1998年   6篇
  1997年   10篇
  1996年   8篇
  1995年   12篇
  1994年   9篇
  1993年   7篇
  1992年   11篇
  1991年   6篇
  1990年   7篇
  1988年   2篇
  1987年   2篇
  1986年   3篇
  1985年   2篇
  1984年   3篇
  1982年   3篇
  1981年   1篇
  1980年   5篇
  1978年   1篇
  1977年   1篇
  1957年   2篇
  1956年   3篇
  1954年   3篇
  1948年   1篇
  1946年   1篇
排序方式: 共有746条查询结果,搜索用时 11 毫秒
21.
The solid-liquid interface motion of NaBi(WO4)2 (NBWO) melt crystal growth is observed in an in situ system, in which the whole processes of interface transition from fiat interface and cellular to dendrite are visualized. The spacing of the dendrite under smaller temperature gradient turns out to be larger than that under larger temperature gradient, which is found to be sensitive to the temperature distribution. The mechanism of dendrite growth of NBWO is studied based on the model of the growth units of anion coordination polyhedra. The { 001} face has two apex links, so it shows higher stability and has high growth rate and forms the arm of dendrite, whereas the {010} face has only one apex link, and thus shows relative slower growth rate and firstly forms the branches.  相似文献   
22.
将石墨烯薄膜置于不同环境气氛中,探究其在不同波长和功率密度可见光辐照下的导电特性.结果表明,石墨烯薄膜在不同条件光照下电阻缓慢上升,光照停止后电阻缓慢下降.氮气环境下石墨烯导电性能最稳定,真空下变化最大,在相同功率密度红光辐照下,样品在氮气、大气和真空下相对电阻变化分别为0.09%、0.22%、0.4%.相同环境下,波长越短,光子能量越大,对样品影响越大,在大气环境下,相同功率密度的蓝光、绿光和红光对样品相对电阻的影响分别为20%、3%、0.22%.  相似文献   
23.
本文研究了单Tavis-Cummings模型中两个全同二能级原子与单模光腔发生相互作用时两个原子之间的各种量子关联演化特性,并讨论了该模型中稠密编码和隐形传态的实现。讨论初始态纯度、纠缠度、腔内光子数和腔与原子之间的耦合常数对量子纠缠、量子失协和几何量子失协动力学演化特性的影响并分析出实现稠密编码和量子隐形传态所需最佳参数。结果表明:初始态纯度r和初始纠缠度a对以上三种量子关联有积极作用;随着腔与原子之间的耦合常数g和腔内光子数n的增大,量子关联振荡频率加快,同时量子纠缠死亡时间缩短,而此时量子失协、几何量子失协则仍保持非零。这表明量子失协、几何量子失协相比纠缠更具有优越性。  相似文献   
24.
矩形截面铝合金管材的单道次空拉拔变形机理   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用弹塑性有限元法模拟研究铝合金管材由圆截面拉拔变成矩形截面的变形机理,建立了空拉拔工艺简化的三维运动模型及弹塑性有限元模拟模型,实现了空拉拔模拟。通过一系列仿真得出了模孔半角对拉拔载荷的影响规律,进而得到了半角的合适取值;得出了失稳状态下切向应力沿着管坯周向分布的规律,并将模孔定径带优化设计为中拱角度178°,有效消除了失稳现象;最后得到了拉拔过程中的接触边界分布和接触应力分布规律。采用修正后的模具拉拔出的矩形截面铝合金管材尺寸合格、表面光亮。  相似文献   
25.
从连续介质力学理论看,当材料发生屈服后处于上屈服面,对处于上屈服面的材料进行再加载,将沿着上屈服面,依然发生塑性流动,不可能存在弹性响应。Asay则认为冲击压缩后的材料并非处于上屈服面,由此对处于冲击压缩态的材料进行卸载或再加载,可以观测到弹-塑性转变。国内部分人认为,实验观测到的弹性响应可能是LiF窗口(其冲击阻抗低于Al或其他高阻抗样品的冲击阻抗)反射的稀疏波所致。为了澄清对上述问题的观点,通过低阻抗样品的冲击实验,在消除冲击波在样品/窗口界面反射的稀疏波干扰的情况下,  相似文献   
26.
采用计算流体力学的方法,对金融街地下交通工程通风系统的流场特性进行了数值分析,研究了各分系统流场的均匀特性、各通风管道内部流场细节和各分系统可靠性.结果表明:排风系统各风口的风速很不均匀,且高速风口处形成明显的气幕效应和旋涡区;在风道内形成明显的低速区.在送风系统中,各风口的风速基本均匀,风机的风压可满足要求;但在风道内也存在了明显的低速区或旋涡区.需要对该通风系统进行等风量设计,并对系统的内部气流组织进行改进设计,以提高通风系统的可靠性并降低能耗.  相似文献   
27.
采用冲击波压缩原位光源技术结合时间分辨多波长高温计测量,研究了氟化锂和蓝宝石单晶样品的冲击消光现象,实验压力范围50~183了GPa,中心波长覆盖254~800 nm.结果表明,氟化锂单晶样品在实验压力下透过率变化不大,对界面温度的拟合值影响不明显,只是使表观发射率略有下降;当压力低于90GPa时,蓝宝石的消光情况同氟化锂接近,对界面温度的拟合影响也不明显;而当压力高于99 GPa时,蓝宝石呈现明显的消光衰减现象,实验测定的消光系数随压力增加而增加,与波长间呈反比关系,与文献报道250 0Pa高压消光特性一致.研究还发现,蓝宝石窗高压消光行为对界面温度的测量存在较大的影响,使得拟合温度明显偏低.本文研究对发展非透明材料冲击测温技术具有一定的参考价值.  相似文献   
28.
介绍了一种基于FPGA的DDS设计方法,结合DDS的原理,给出了具体设计程序以及仿真波形。基于FPGA的DDS与传统的专业DDS芯片相比具有电路简单、输出波形调整灵活以及性价比高等特点。  相似文献   
29.
HL-2M装置等离子体放电反馈控制系统   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过对HL-2M装置极向场线圈的参数和初始等离子放电控制需求的分析,基于实时采集系统和反射内存实时数据传输的先进控制集成技术,完成了整个HL-2M初始等离子体放电反馈控制系统的设计。新系统实现了稳定的1ms控制周期和实时数据传输,同时解决了实时控制周期和数据传输的延迟。实验结果表明新设计的等离子控制系统能满足初始等离子体极向场线圈电流控制的需求。  相似文献   
30.
为了探究钢包底吹工艺对混匀时间及液位波动的综合影响,以某厂30吨钢包为原型,采用水模实验方法考察底吹气流量及底吹位置对钢包混匀时间、液位波动的影响规律。实验结果表明,随着底吹气孔到中心距离的增加,混匀时间先缩短后增加,混匀时间最短的位置是0.6r,400 L/min时的混匀时间仅为65 s。混匀时间随吹气量的增加而缩短。底吹位置距离钢包壁越近,液位波动越剧烈,对钢包壁的侵蚀越大,底吹位置为0.2r时,对电极的侵蚀较大。随着底吹流量的增加,三个测量点的波动方差均呈增大趋势,其中在近端及电极位置,波高方差从100 L/min到200 L/min的增长速率更快,远端位置增长速率比较稳定。综合考虑底吹工艺对混匀时间及液位波动的影响,得出底吹孔位置在0.6r、气量为200 L/min时为最佳工艺条件。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号