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101.
碘硒对氟致小鼠肾脏细胞线粒体损伤的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
为探讨碘硒对氟致小鼠肾脏细胞线粒体损伤的影响,用JEM-1200EX透射电镜观察了摄入含高氟但碘量不同、硒量一定的小鼠肾脏细胞线粒体的形态学变化。结果表明:高氟组、高碘高氟组小鼠肾脏细胞线粒体膜系统损伤;低碘高氟组、中碘高氟组、高碘高氟加硒组小鼠肾脏细胞线粒体膜系统几乎完好。结果提示,一定量的碘对氟致小鼠肾脏细胞线粒体损伤有拮抗作用,但碘量过高则有协同毒性作用;一定量的硒对高碘高氟所致小鼠肾脏细胞线粒体损伤也有拮抗作用。  相似文献   
102.
以六氯环三膦腈(HCCP)为原料合成了六(4-苯基苯氧基)三聚膦腈(HPPCP)和六(4-苯基偶氮苯氧基)三聚膦腈(HPDPCP),运用1HNMR、31P NMR、IR等测试技术对其结构进行了表征。TGA结果表明,两种物质具有良好的热稳定性,HPPCP的最大热分解温度高达455℃,HPDPCP残留率高达62·83%(800℃)。同时紫外光谱研究结果表明,极性溶剂使HPDPCP的紫外吸收波长红移。HPPCP和HPDPCP在阻燃材料方面、HPDPCP在线性或非线性光学以及分子信息存储器件等方面有着潜在的应用前景。  相似文献   
103.
1 引言光致变色是一个或几个物种在吸收光谱显著改变的两个状态之间的可逆性变化,这种变化至少在一个方向是由光的照射引起的,而在另一方向通常则是自发的热变化过程[1]。若颜色较深的物种是热不稳定物种,则该体系称为“正”向光致变色体系,否则称为“逆”向光致变色体系。逆向光致变色体系化合物由于其有色体比较稳定,便于研究其有色体的构造、构型及变色机理,对于探索有机光致变色化合物在光信息存储等高科技领域的应用具有一定意义。我们用冠醚菁染料2-甲基-3-烷基-5,6-并-(15-冠-5)苯并噻唑季铵盐与方酸缩合得到了四个未见文献报道的光…  相似文献   
104.
为探讨咪唑环上取代基团对反应平衡的影响, 在模拟生理条件(0.15 mol·L-1 NaCl溶液)下, 应用多核(1H、13C和51V)、扩散排序谱(DOSY)以及变温NMR等谱学技术研究双过氧钒配合物NH4[OV(O2)2{2-(2’-Pyri-dine)-Imidazole}]·4H2O(简写为bpV(Imi-Py))和咪唑类配体(咪唑、2-甲基鄄咪唑、4-甲基-咪唑和组氨酸)的相互作用, 其从强到弱的顺序为咪唑≈4-甲基-咪唑>2-甲基-咪唑>组氨酸. 研究结果表明, 咪唑环上取代基团空间位阻对反应平衡产生较大影响,同时竞争配位的结果导致新的6 配位过氧物种[OV(O2)2L]-(L 为咪唑类配体)的生成, 当配体为4-甲基-咪唑和组氨酸时, 生成的则是一对异构体.  相似文献   
105.
具有手性侧链的卟啉液晶化合物的合成和发光性能研究   总被引:3,自引:1,他引:3  
骆开均  谢明贵  蒋青  邹德春 《化学学报》2004,62(24):2425-2430
通过在卟啉环上引入手性侧链的方法合成了两类(4个)卟啉液晶化合物,并用元素分析,UV-vis, FT-IR, 1H NMR, MS, DSC,圆二色谱(CD)和偏光显微镜对化合物的结构进行了表征.研究结果表明,这些化合物具有液晶性质,固体荧光和电致发光性质,其中两个卟啉配体有较强的CD吸收性能.  相似文献   
106.
基于MATLAB实现的ANN方法在地下水质评价中的应用   总被引:18,自引:0,他引:18  
MATLAB 6.5工具箱提供了径向基网络的实现函数,该算法具有自适应确定网络结构和无需人为确定网络初始权值的特点。将其应用于抚州市地下水环境质量评价,并尝试利用MATLAB的PREMNMX函数进行原始数据预处理、利用RAND函数在水质评价标准等级间内插构造足够数量的训练样本、检测样本及其目标输出、确立水质评价等级界限,取得良好的评价结果,对提高水质评价的精度与客观性具有十分积极意义。  相似文献   
107.
一个非线性方程的显式行波解   总被引:19,自引:0,他引:19       下载免费PDF全文
  相似文献   
108.
具有非对称中心结构的硼酸盐Bi2ZnB2O7由固相反应法在低于700℃下制备得到.X射线单晶结构分析表明,该化合物以正交空间群Pba2结晶,晶体学参数为:a=1.0819(2)nm,b=1.1023(2)nm,c=0.4890(1)nm,Z=4.其晶体结构中包含分别由[BO3]3-和[BO4]5-组成的[B2O5]4-和[B2O7]8-基团,它们被[ZnO4]四面体通过共用O原子的方式连接成二维2∞[ZnB2O7]6-层,这些层由Bi3+离子进一步结合形成三维网.红外光谱证实了[BO3]3-和[BO4]5-基团的存在,粉末倍频效应测试表明,其强度为KDP(KH2PO4)的4倍,UV漫反射光谱表明该物质吸收边约为360 nm.  相似文献   
109.
厚胶光刻非线性畸变的校正   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用厚胶光刻技术制作大深度微结构元件是一种有效的途径,但厚胶光刻过程中的非线性畸变对光刻面形质量的严重影响限制了该技术的应用,基于此,提出了一种对掩模透射率函数进行校正的方法。分析空间像形成及其在光刻胶内传递、曝光、显影等过程中非线性因素的影响,利用模拟退火算法对掩模透射率函数进行校正,以提高光刻面形质量,并以凹面柱透镜为例,给出了校正前后的显影轮廓模拟结果,其校正后浮雕面形的体积偏差仅为2.63%。该方法在有效改善面形质量的同时,并没有引起掩模的设计、制作难度及费用增加,这对于设计、制作高质量的微结构元件有重要意义。  相似文献   
110.
考虑一类非线性拟抛物方程ut-uxxt+f(u)-g(ux)x=h(x,t)的初边值问题.证明了整体强解的存在唯一性,并讨论了对应非负初值解的非负性、正则性、渐近性及爆破问题.  相似文献   
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