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15波长输出的布里渊掺铒光纤激光器 总被引:5,自引:3,他引:5
多波长布里渊掺铒光纤激光器是一种新型的多波长光纤激光器,其原理是利用受激布里渊增益和掺铒光纤的线性增益,可以在常温下得到波长间隔约为0.08nm(~10GHz)的多波长输出。报道的布里渊掺铒光纤激光器,在布里渊抽运功率为1.7mW、980nm抽运功率为300mW的情况下得到稳定的15个波长(间隔~10GHz)的输出,这种激光器用作光传感器、光谱分析仪以及密集波分复用系统的光源。实验发现,输出波长的个数随着980nm抽运功率的增大而增加。另外,布里渊掺铒光纤激光器的信号功率主要来自于掺铒光纤的增益,而布里渊增益对它的影响不大。 相似文献
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Effects of clouds, sea surface temperature, and its diurnal variation on precipitation efficiency 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
The effects of clouds, sea surface temperature, and its diurnal variation on precipitation efficiency are investigated using grid-scale data from nine equilibrium sensitivity cloud-resolving model experiments driven without large-scale vertical velocity. The precipitation efficiencies are respectively defined in surface rainfall, cloud, and rain microphysical budgets. We mathematically and physically demonstrate the relationship between these precipitation efficiencies. The 2℃ increases in spatiotemporal invariant sea surface temperature (SST) from 27℃ to 29℃ and from 29℃ to 31℃, and the inclusion of diurnal SST difference 1℃ and the 1℃ increase in diurnal SST difference generate opposite changes in the precipitation efficiency by changing ice cloud-radiation interactions. The radiative and microphysical processes of ice clouds have opposite effects on the precipitation efficiency because of the rainfall increase associated with the reduction in the saturation mixing ratio caused by the exclusion of radiative effects and the decrease in rainfall related to the reduction in net condensation caused by the exclusion of deposition processes. The radiative effects of water clouds on the precipitation efficiency are statistically insensitive to the radiative effects of ice clouds. 相似文献
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采用温和的溶剂热法制备较强红光发射的NaErF4∶Yb,Gd上转换纳米晶,控制Gd~(3+)的掺杂浓度实现了晶相和尺寸可控以及上转换荧光的增强。X射线衍射谱(XRD)、透射电子显微镜图像(TEM)和上转换发射光谱结果分析表明,Gd~(3+)掺杂可以有效地促进NaErF_4纳米晶的晶相由立方相向六角相转变,并且减小纳米粒子的尺寸。随着Gd~(3+)掺杂浓度的上升,上转换荧光强度明显增大。当Gd~(3+)摩尔分数为25%时,样品的上转换荧光强度达到最大。同时,研究了在980 nm近红外激光激发下,Yb~(3+)与Er~(3+)间有效的能量传递以及上转换发光机制。 相似文献
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利用射频磁控溅射方法,在n+-Si衬底上淀积SiO2/Si/SiO2 sub>纳米双势垒单势阱结构,其中Si层厚度为2至4nm,间隔为0.2nm,邻近n+-S i衬底的SiO2层厚度固定为1.5nm,另一SiO2层厚度固定为3nm.为了 对比研究,还制备了Si层厚度为零的结构,即SiO2(4.5nm)/n+-Si 结构.在经过600℃氮气下退火30min,正面蒸上半透明Au膜,背面也蒸Au作欧姆接触后,所 有样品都在反向偏置(n+-Si的电压高于Au电极的电压)下发光,而在正向偏压 下不发光.在一定的反向偏置下,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡,位 相相同.所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于2.26eV(550nm)和1.85eV (670nm)两个高斯型发光峰.分析指出该结构电致发光的机制是:反向偏压下的强电场使Au/( SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n+-Si结构发生了雪崩击穿 ,产生大量的电子-空穴对,它们在纳米SiO2层中的发光中心(缺陷或杂质)上复 合而发光.
关键词:
电致发光
纳米双势垒
高斯型发光峰
雪崩击穿 相似文献