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利用光学显微镜的反射模式观察了升华法生长的6H-SiC单晶(0001)Si-面的生长形貌,应用台阶仪测定了生长台阶高度.实验发现,6H-SiC单晶的生长台阶呈螺旋状,生长台阶呈现出了韵律束合现象.在单晶中间部分,生长台阶稀疏,台面较宽,约80μm左右,台阶高度较小,约20~50nm,比较宽的台面上存在小生长螺旋.外围单晶区域,生长台阶比较密集,其台阶高度较大,约300~700nm,台面宽度较小,约2~5μm.生长台阶在前进过程中受单晶中的微管缺陷影响,在微管的附近出现弯曲. 相似文献
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研究了Ca0.28Ba0.72Nb2O6 (CBN-28)多晶料的制备和单晶的生长,用提拉法成功生长出CBN-28单晶.从X射线粉末衍射数据计算了CBN-28晶体的晶胞参数,并对其粉末衍射图各衍射峰进行了指标化.CBN晶体属四方晶系4mm点群.晶胞参数为a=1.2432(±2)nm,c=0.3957(±1)nm.采用浮力法测得其平均密度为5.372g/cm3,测得其莫式硬度为7,并通过测量CBN-28的介电性质,确定其居里点为260℃. 相似文献
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采用物理气相传输法在(0001)面偏向<11-20>方向4°的籽晶上生长了掺氮低电阻率碳化硅(SiC)单晶.结合碳化硅邻位面生长机制,通过优化温场设计,在近平温场下生长出了晶型稳定、微管密度低、高结晶质量的低电阻率4H-SiC单晶.在加工的“epi-ready”SiC衬底上进行了同质外延,获得了光滑的外延层表面.利用该外延材料研制了600V/10 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能与进口衬底结果相当,反向漏电成品率高达67;.另外研制了600 V/50 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能也达到了进口衬底水平. 相似文献
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SiC作为代表性的第三代半导体材料,具有优异的物理化学性能。随着材料及应用的发展,SiC衬底在航天电源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业电机等领域的应用日益重要。相比第一代半导体材料如Si和第二代半导体材料如GaAs而言,SiC衬底质量还有很大的改善空间,是现阶段研发和产业的热点。其中SiC单晶缺陷,特别是一维位错缺陷的检测和降低,是近10年内重要的研究内容。本文重点对SiC中位错的形成原因、位错检测技术、位错密度降低方法及近年来SiC单晶中位错的优化水平进行总结归纳,并提出了SiC需要继续突破和发展的方向。 相似文献
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胡小波 《大众科学.科学研究与实践》2019,(3)
正胡氏贵州龙既有发现者又有命名者。正是他们的辛勤付出,让贵州龙有迹可寻,让古生物学蓬勃发展。胡氏贵州龙的发现者胡承志先生(1917.8.23-2018.4.12)是中国地质博物馆研究员,我国著名的古生物学和古人类学家。作为中国地质事业及中国古脊椎动物学与古人类学发端、发展的亲身 相似文献