金属玻璃Pd79.5Ni4Si16.5结晶化过程的慢正电子束研究

首次用单能慢正电子束研究金属玻璃的晶化过程.测量了金属玻璃Pd_79.5Ni₄Si_16.5淬火态、结构弛豫和结晶化状态样品的正电子湮没辐射多普勒展宽能谱与正电子入射能量的函数关系,结果表明,淬态金属玻璃Pd_79.5Ni₄Si_16.5中存在大量的空位型缺陷,其结晶化过程最先开始于表面层.单能慢正电子束是研究金属玻璃晶化过程的有效手段.     

金属元素的正电子鉴别技术

测量了20种金属元素的符合多普勒展宽谱,并与理论计算的结果比较．CDB谱的高动量部分反映了正电子与核心电子的湮灭,由于核心电子在原子组成材料时仍然保留了元素特性,CDB谱的高动量部分可以用来鉴别元素．     

CEMS和慢正电子束研究ZrO2(Y)中Fe的热动力学行为

用内转换电子穆斯堡尔谱（ＣＥＭＳ）和慢正电子束研究了含３％Ｙ₂Ｏ₃的ＺｒＯ₂中⁵⁷Ｆｅ离子（１００ｋｅＶ，３×１０¹⁶ａｔ．／ｃｍ²）注入态及其在氢气氛中退火的热力学行为．注入态以Ｆｅ³⁺，Ｆｅ²⁺和Ｆｅ⁰存在，它们分别是Ｆｅ³⁺-Ｖ（空位）复合体、二聚体和超顺磁颗粒．经４００，５００℃退火后，Ｆｅ³⁺-Ｖ分解，分别出现了α-Ｆｅ的前期相和α-Ｆｅ纳米颗粒．含Ｆｅ的ＺｒＯ₂（Ｙ）混合导电的出现可能是和Ｆｅ的不同价态及其相对含量有关 关键词：     

氟化锂团簇基纳米相薄膜的慢正电子研究

用慢正电子束流装置研究了氟化锂团簇沉积在单晶硅衬底上构成的纳米相薄膜,获得了正电子湮没S参数和有效扩散长度L_eff. 讨论了制备条件(如衬底温度、蒸发速率、惰性气体分压等)对薄膜微观结构的影响.     

Simulation of time bunching for a pulsed positron beam

Simulate anneal arithmetic has been used to settle the problem of time bunching on a pulsed slow-positron beam device. This paper has searched for the parameters of the device in a large scope and achieved the time resolution within 150ps at the target with accelerating voltage in a range of 0.5-30kV.     

锗的正电子表面态的测量研究

通过测量低能正电子入射到锗(Ge)靶的电子偶素产额随靶温度的变化,测定了在真空度为1.33×10^－4Pa时锗的正电子表面态的束缚能E_b=2.2eV;Ps形成的激活能E_a=0.2±0.01eV.讨论了高真空与超高真空条件下E_b,E_a的变化.     

β磁谱仪的改建

我们实验室的无铁双聚焦β磁谱仪是五十年代末由梅镇岳教授等设计和建造的。由于搬迁及长期搁置,谱仪损坏严重,除主磁场同轴线圈仍能使用外,我们另行安装了新的供电系统、真空系统、地磁补偿系统及其自动跟踪,以及数据的自动采集系统,并进行了宽源色散补偿的试验。     

Evolution of native point defects in ZnO bulk probed bypositron annihilation spectroscopy

This paper studies the evolution of native point defects with temperature in ZnO single crystals by positron lifetime and coincidence Doppler broadening (CDB) spectroscopy, combined with the calculated results of positron lifetime and electron momentum distribution. The calculated and experimental results of the positron lifetime in ZnO bulk ensure the presence of zinc monovacancy, and zinc monovacancy concentration begins to decrease above 600℃ annealing treatment. CDB is an effective method to distinguish the elemental species, here we combine this technique with calculated electron momentum distribution to determine the oxygen vacancies, which do not trap positrons due to their positive charge. The CDB spectra show that oxygen vacancies do not appear until 600℃ annealing treatment, and increase with the increase of annealing temperature. This study supports the idea that green luminescence has a close relation with oxygen vacancies.     

6H-SiC表面热氧化SiO2的正电子谱研究

本文将慢正电子湮灭多普勒展宽谱技术,应用于对SiC表面热氧化生长的SiO2特性的研究．S参数和W参数在退火前后的变化,直观的反映出SiO2/SiC表面氧化层中空位型缺陷浓度的改变．通过与SiO2/Si样品的对比,证实C元素及其诱生空位型缺陷的存在,很可能是影响SiO2/SiC氧化层质量和SiC MOS击穿特性的重要因素,后退火工艺可以提高SiO2/SiC中氧化层的致密性．实验表明,慢正电子湮灭多普勒展宽谱是研究热氧化SiO2特性的有效手段     

慢正电子束技术的应用与发展

本文介绍了慢正电子束技术和最新发展,慢正电子束作为探针的基本特性,以及在多种学科中的应用等。