网络可靠性的模糊随机分析

以图论为基础对网络的可靠性进行了既考虑随机性又考虑模糊性的模糊随机分析 ,运用蒙特卡罗随机模拟方法产生表征网络链路连通性的模糊关联矩阵 ,并以模糊关联矩阵的传递闭包方法分析了网络的可靠性 .     

喷射沉积Al-Si-Fe-Mn-Cu-Mg合金的析出强化行为

利用热分析（DSC）,显微硬度测定和透射电子显微分析等手段研究了喷射沉积Al-20Si-5Fe-3Cu-1Mg合金的时效过程,结果表明,两种沉淀强化相S－Al2CuMg和σ-Al5Cu6Mg2从合金基体中析出,有效地提高了合金的室温强度和高温（300度）强度。     

水平电偶源频率域电磁测深全区视电阻率的直接算法

利用水平电偶源激发的电磁场，提出了直接精确计算全区视电阻率的方法．计算和分析结果表明，该方法的结果在远区等价于卡尼亚电阻率，在近区和过渡带则明显地改善了卡尼亚电阻率的非波区场畸变，从而能更好地接近基底的真电阻率，更形象地反映了地下介质的垂向电性变化．     

动手动脑 乐在其中——关于小学语文作业设计的思考

作业是巩固知识、形成能力的重要手段,是促进学生个性发展的重要途径。然而．传统作业单调枯燥,缺乏弹性,偏重书本,脱离生活和学生实际。这种封闭的、僵化的作业模式严重阻碍了学生个性的发展和潜能的发挥。本文通过对传统作业设计的弊端的分析及新课程下作业设计的特点、原则和形式的思考,使作业摆脱传统模式,走向学生的生活,让学生在完成作业的过程中动手动脑,使学生乐在其中。     

约翰·鲁斯

约翰·鲁斯,2009年8月接替托马斯·希弗成为新任美国驻日本大使。鲁斯出生于美国加利福尼亚州旧金山市,1980年从斯坦坦福大学法学院毕业,获法学博士学位。他曾是硅谷一家法律事务所的律师,精通金融和证券方面的业务,并在多家企业担任法律顾问,成绩卓著。     

退火对IrMn基磁隧道结多层膜热稳定性的影响

采用磁控溅射方法制备了结构为IrMn/CoFe/AlO_x/CoFe的磁性隧道结多层膜,样品置于真空磁场中进行退火处理. 将在不同温度退火的磁隧道结结构多层膜置于负饱和场中等待,研究退火温度对样品热稳定性的影响. 结果表明:退火提高了多层膜反铁磁层的单轴各向异性能,增加了样品的交换偏置;随着负饱和场等待时间的延长,被钉扎层的磁滞回线向正场偏移,交换偏置单调减小,但退火减弱了这种趋势. 关键词： 磁隧道结 交换偏置 磁化反转     

Fe-CAS-NH4F-OP体系高灵敏度分光光度法测定二氧化硅中微量铁

在ＨＡｃ－ＮＨ４Ａｃ缓冲介质中,当有ＮＨ４Ｆ和乳化剂ＯＰ存在时,Ｆｅ与ＣＡＳ形成络合比为１：３的有色络合物,其最大吸收波长位于６５４．０ｎｍ,表观摩尔吸光系数为１．１８×１０＾５Ｌ·ｍｏｌ＾－１·ｃｍ＾－１,１－２０μｇ Ｆｅ／５０ｍＬ线性关系良好。该法用于二氧化硅中铁的测定,结果令人满意。     

高精度双向多点挠度补偿装置的设计

针对现有折弯机工作台挠度补偿装置无法满足更高精度要求的折弯加工的问题,设计一种折弯机工作台挠度补偿装置,能实现多次挠度微调,进一步提高了折弯机工作台挠度调节精度,能更好地适应更高精度要求的折弯加工,提高了折弯加工精度。     

Improvement in a-plane GaN crystalline quality using wet etching method

Nonpolar （1120） GaN films are grown on the etched a-plane GaN substrates via metalorganic vapor phase epitaxy. High-resolution X-ray diffraction analysis shows great decreases in the full width at half maximum of the samples grown on etched substrates compared with those of the sample without etching, both on-axis and off-axis, indicating the reduced dislocation densities and improved crystalline quality of these samples. The spatial mapping of the E2 （high） phonon mode demonstrates the smaller line width with a black background in the wing region, which testifies the reduced dislocation densities and enhanced crystalline quality of the epitaxial lateral overgrowth areas. Raman scattering spectra of the E2 （high） peaks exhibit in-plane compressive stress for all the overgrowth samples, and the E2 （high） peaks of samples grown on etched substrates shift toward the lower frequency range, indicating the relaxations of in-plane stress in these GaN films. Furthermore, room temperature photoluminescence measurement demonstrates a significant decrease in the yellow-band emission intensity of a-plane GaN grown on etched templates, which also illustrates the better optical properties of these samples.     

随机网分形的多重分形分解

本文讨论了随机网分形的多重分形分解．计算了随机网分形上任意随机自相似测度的多重分形谱,