理念化、案例化、实验化、课题化——管理教学新概念

直面WTO挑战,高校应如何面向社会培养管理者呢?探索实施新型培养模式是当代高校市场化运作的核心性课题,直接关系到高校自身的生存与发展。管理教学——理念化、案例化、实验化、课题化,既是作者多年管理解读、管理教学、管理体验的思考与总结,也是“准管理者”培养模式的教学创新。     

关于丢番图方程x^2＋Dy^2=M与x^2＋Dy^2=4M

本文利用类数为１的二次域Ｑ（√－Ｄ）上素理想分解的理论，给出了丢番图方程ｘ＾２＋Ｄｙ＾２＝Ｍ与ｘ＾２＋Ｄｙ＾２＝４Ｍ有整数解的充要条件。     

再散射输运模型与K+/π+比的系统学

用含再散射效应的简单的强子输运模型,研究了AGS能量(14.6AGeV/c)下p+p、p+Au和Si+Au反应的K⁺/π⁺比值,再现了该比值由P十P到Si十Au不断增长的实验事实.CERN能量(200AGeV/c)和AGS能量下,K⁺/π⁺比值相近的实验事实也得到了解释.     

SPS能区p-p和Pb-Pb碰撞中奇异Φ介子增强

CERN/SPS上的NA49实验组最近发表了158 A GeV p-p, Pb-Pb碰撞奇异介子f产生的产额、横质量分布和快度分布的实验数据.建立在强子和弦模型基础上的级联模型LUCIAE系统地研究了这些数据.通过调整弦碎裂中产生q^q 对的Gauss分布宽度使p-p碰撞的Φ介子横质量分布的LUCIAE结果与实验更好符合, 得到的p-p碰撞Φ介子快度分布, Pb-Pb碰撞中Φ介子横质量分布与快度分布以及Pb-Pb相对于p-p的Φ介子的增强因子的LUCIAE结果都与相应实验数据更好符合. 这表明: 158 A GeV的Pb-Pb碰撞中Φ介子产额相对于同能量p-p碰撞的增强现象可以在LUCIAE模型中，用弦发射胶子的集体效应和奇异夸克压低的约化机制来解释.     

不同压缩比下稀释方式对直喷汽油机节油影响

基于一台1.0 L涡轮增压发动机,在9.6及12的压缩比下,研究了化学当量比、稀薄燃烧(稀燃)及低压废气再循环(EGR)工况下的燃烧与油耗特性.结果表明:EGR在压缩比12、大负荷工况下,节油效果优于稀燃,其余工况下稀燃的节油效果均更好.通过改变压缩比并结合稀燃或EGR,小、中、大负荷下燃油消耗率(BSFC)相比于压缩比9.6化学当量比工况降低最多为7.5%、10.4%和9.3%.结合一维仿真,分析并对比了大负荷下稀燃与EGR的节油原因及其差异.结果表明:在压缩比12、大负荷、过量空气系数(λ)小于1.4的情况下稀燃不能抑制爆震,节油效果不明显;相同工况下EGR可以有效抑制爆震,降低燃油消耗率达5.5%;大负荷下稀燃和EGR的节油来源主要为传热损失和排气损失减少,二者对节油的贡献程度之和大于90%.     

0.18 μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究

利用脉冲激光入射技术研究100级0.18 μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应, 分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影响. 实验结果表明, 单粒子瞬态脉冲在反相器链中的传输与激光入射位置有关, 当激光入射第100级到第2级的n型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从287.4 ps增加到427.5 ps; 当激光入射第99级到第1级的p型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从150.5 ps增加到295.9 ps. 激光入射点靠近输出则得到的瞬态波形窄; 靠近输入则得到的瞬态波形较宽, 单粒子瞬态脉冲随着反相器链的传输而展宽. 入射器件的类型对单粒子瞬态脉冲展宽无影响. 通过理论分析得到, 部分耗尽绝缘体上硅器件浮体效应导致的阈值电压迟滞是反相器链单粒子瞬态脉冲展宽的主要原因. 而示波器观察到的与预期结果幅值相反的正输出脉冲, 是输出节点电容充放电的结果.     

随机Bregman ADMM及其在训练具有离散结构的支持向量机中的应用

针对具有多块可分结构的非凸优化问题提出了一类新的随机Bregman交替方向乘子法,在周期更新规则下, 证明了该算法的渐进收敛性; 在随机更新的规则下, 几乎确定的渐进收敛性得以证明。数值实验结果表明, 该算法可有效训练具有离散结构的支持向量机。     

22 nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究

利用计算机辅助设计技术数值仿真工具, 研究22 nm工艺技术节点下超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应, 系统地分析了掺杂地平面技术、重离子入射位置、栅功函数和衬底偏置电压对于单粒子瞬态效应的影响. 模拟结果表明, 掺杂地平面和量子效应对于单粒子瞬态效应影响很小, 重离子入射产生大量电荷, 屏蔽了初始电荷分布的差异性. 单粒子瞬态效应以及收集电荷和重离子入射位置强相关, 超薄体全耗尽绝缘体上硅最敏感的区域靠近漏端. 当栅功函数从4.3 eV变化到4.65 eV时, 单粒子瞬态电流峰值从564 μA减小到509 μA, 收集电荷从4.57 fC减小到3.97 fC. 超薄体全耗尽绝缘体上硅器件单粒子瞬态电流峰值被衬底偏置电压强烈调制, 但是收集电荷却与衬底偏置电压弱相关. 关键词： 超薄体全耗尽绝缘体上硅 单粒子瞬态效应 电荷收集 数值仿真     

Ar＋TlF体系的转动非弹性散射

本文用一种新的方法求解A+BC体系的转动非弹性散射问题,即在径向耦合方程的势能耦合项中只取对角项,并用Morse势拟合Lennard-Jones势,从而可得去耦合径向方程的两个解集。渐近分析表明,此两个解集分别相应于入射波和出射波。将总波函数按总角动量的本征函数展开,展开系数为常数乘以上述得到的径向函数。再将总波函数代入Schrdinger方程,则可得到散射矩阵。计算结果表明,本法比IOS法更接近CC法,但计算量比后者少得多,且方法严谨。