6 mm~60 mm百万像素变焦安防镜头设计

设计一种可用于监控系统的大口径百万像素变焦距光学成像镜头,采用0.85 cm(1/3英寸)CCD接收,像元大小为3.75 m。镜头在短焦、中焦、长焦的位置时F数分别为1.6、2.1和2.4。变焦系统采用四组元组合形式,与传统的变焦系统相比,该系统采用第4组元作为补偿组。通过高斯法分析与求解得到初始结构,使用Zemax软件对其优化,系统均采用球面透镜进行设计。镜头轴上视场在133 lp/mm处大于0.3,轴外0.7视场在133 lp/mm处大于0.2,系统的最小后截距大于9 mm,满足装配要求。最后采用多点拟合绘制出此系统的变焦凸轮曲线。     

同时实现介电常数和磁导率为负的H型结构单元左手材料

基于用一种结构同时实现材料介电常数和磁导率为负的思想，提出了H型结构单元左手材料模型.采用矩形波导法测试表明，H型结构单元在微波频率范围出现左手透射峰，并且可以由参数t对左手特性区域进行调控.同时利用相位法、棱镜折射法和散射参量法从实验和理论证明了在左手透射峰区域材料的折射率为负值，介电常数和磁导率亦同时为负.相对由金属开口谐振环与金属线两种结构组合实现的左手材料，H型结构集磁谐振与电谐振于一体，结构简单、制备方便，对微波器件左手材料表现出更多的优越性.     

小型化长脉冲二极管设计与实验

在长脉冲高功率微波源研究中关键的部件是二极管，由于阴极爆炸发射产生的阴极等离子体的热扩散，为防止二极管短路，长脉冲二极管通常比一般二极管阴阳极间距大，尺寸也相应较大。原有的长脉冲加速器使用的二极管如图1所示，这也是美国BANSHEE加速器采用的二极管结构。使用的二极管是为满足L波段高功率微波器件的需要，产生电子束电压500kV，电流3kA，脉宽1．5μs，束截面内外径为φ5．7，φ7．3cm。现在为了满足开展S波段相对论速调管研究需要，设计了新的小型化二极管，产生电子束环内外直径约φ4.3，φ3．7cm。     

Particle-core coupling in 141Nd

High-spin states in 141Nd have been studied using in-beam γ-ray spectroscopic techniques via the 130Te(16O, 5nγ)141Nd reaction. The level scheme of 141Nd has been extended up to an excitation energy of 7614.5 kev including 12 new γ rays deexciting 15 new levels. According to particle-vibrator coupling and semi-empirical shell model calculations, the level structure of 141Nd can be well interpreted by coupling an h11/2 neutron-hole to the respective excited states in 142Nd core.     

大学物理试题库系统中考试成绩差异显著性分析

针对西部地区师范院校扩招如何保证“大学物理”课程教学质量的问题,将统计学F分布和t分布的假设检验方法引入大学物理试题库系统的考试成绩分析模块,并以广西师范大学物理教育专业2001级1、2班的考试成绩为样本,分析两个平行班考试成绩的差异性。结果表明,两个假设检验均为相容的,两班的考试成绩无显著差异,平均成绩的差异是由偶然的随机因素造成的;统计学,分布和t分布假设检验的引入,可分析同一教师或不同教师授课的两个平行班的考试成绩是否存在显著差异,可客观地定量评估课程教学效果。     

基于对氨基苯甲酸和邻菲罗啉构筑的铕(Ⅲ)配合物的荧光传感

利用水热法合成了一种新的配合物,[Eu(PABA)₃(phen)(H₂O)]·2H₂O(1)(PABA= 对氨基苯甲酸根,phen=1,10-邻菲罗啉)。该配合物为单核分子,中心离子Eu3+的配位数9,环境为{EuO₇N₂},形成了一种扭曲的单帽四方反棱柱多面体。该配合物通过氢键进一步构筑成为三维超分子结构。配合物1在紫外灯下显现为亮红色,其荧光光谱在595和618 nm处出现了2条尖锐的发射峰,分别对应于Eu3+的5D₀→7F₁和5D₀→7F₂跃迁。研究了水溶液中不同阴离子、阳离子以及溶剂对配合物1荧光的影响,实验结果表明不同阴离子、阳离子和溶剂对该配合物的荧光强度有不同程度的影响,在各自实验条件下,F-,Pb2+和硝基苯对该配合物有显著的荧光猝灭效应。基于荧光猝灭机理,该配合物可作为F-,Pb2+和硝基苯的荧光探针。     

增量式轴角编码器的电子细分及零位处理

使用单片机对增量式光电轴角编码器产生的叠栅条纹信号进行计数和电子细分,便可将轴的机械转动模拟量转换成数字量;加上固定参考零位后,可使编码器具有"记忆"功能,因此对如何解决零位技术问题做了详细分析说明,并给出了实际解决方案.     

Stacking fault energy of cryogenic austenitic steels

Stacking fault energy and stacking fault nucleation energy are defined in terms of the physical nature of stacking faults and stacking fault energy, and the measuring basis for stacking fault energy. Large quantities of experimental results are processed with the aid of a computer and an expression for calculating stacking fault energy has been obtained as γ³⁰⁰_SF(mJ·m^-2)=γ⁰_SF+1.59Ni-1.34Mn+0.06Mn²-1.75Cr+0.01Cr²+15.21Mo-5.59Si-60.69(C+1.2N)^1/2 + 26.27(C+1.2N)(Cr+Mn+Mo)^1/2+0.61[Ni·(Cr+Mn)]^1/2.     

双奇核142Pm高自旋态能级纲图

利用能量为75—95MeV19F束流,通过反应¹²⁸Te(¹⁹F,5nγ)¹⁴²Pm研究了双奇核¹⁴²Pm的高自旋态能级结构.实验中进行了γ射线的激发函数、γ射线单谱和γγ符合测量.建立了激发能达7030.0keV的¹⁴²Pm的能级纲图,其中包括新发现的25条γ射线和13个新能级.基于实验测量的γ跃迁各向异性度,建议了¹⁴²Pm能级的自旋值.     

低阻抗紧凑型Marx直接驱动高功率微波源北大核心CSCD

研制了一套紧凑型脉冲功率源系统,用于驱动低阻抗磁绝缘线振荡器(MILO)。脉冲功率源采用Marx发生器技术路线,由10级电容和开关组成,单级电容为100nF/100kV电容,开关采用环形轨道气体火花间隙开关,通过紧凑型结构设计,降低系统回路电感,采用电阻作为级间放电的隔离元件,整个Marx发生器系统放置于变压器绝缘油中,以实现高压绝缘。Marx发生器系统充电电压为±50kV,总储能5kJ,在12Ω的水负载上可以获得600kV,50kA的脉冲输出,脉冲上升时间小于100ns。系统尺寸为1.2m×0.5m×0.6m。基于该低阻抗脉冲功率系统,直接驱动低阻抗磁绝缘线振荡器。在二极管电压约450kV,电流约40kA条件下,测得辐射微波功率约400MW,微波脉宽约60ns,微波频率1.23GHz,辐射微波模式为TM01模。