单个波长到多个波长的变换实验

报道一种波长变换的新方法.采用此方法不需要任何泵浦光便能够直接将信号光变换成在特定谱宽内的任意多个任意波长的变换光,这对于将来的波分复用光网络提供了较大的方便.此波长变换的原理是利用色散位移光纤的非线性效应产生超连续光谱(SC)信号,由于这种SC信号携带有变换光信号,对这种连续谱进行滤波便能够得到所需要的任意频率的变换信号.此变换方式具有变换频带宽,偏振不敏感的优点。     

三(2-苯并咪唑亚甲基)胺硝酸镍(Ⅱ)配合物的合成及结构

三（２－苯并咪唑亚甲基）胺简称ＮＴＢ与Ｎｉ（Ⅱ）的硝酸盐形成配合物Ｃ２８Ｈ３５Ｎ９Ｏ９Ｓ２Ｎｉ。本文报道其合成，红外光谱及晶体结构。该化合物为三斜晶系，空间Ｐ１↑－，ａ＝９．６５０（３），ｂ＝１２．７１６（２），ｃ＝１４．４３６Ａ，α＝１１．４６（２），β＝９１．６６（３），γ＝９７．５５（２）°，Ｖ＝１７１８（２）Ａ＾３，Ｚ＝２，Ｆ（０００）＝７９３，Ｄｃ＝１．４８ｇ／ｃｍ＾３，Ｍｒ＝７６４．１     

LiCl—KCl熔盐中锂在铝电极上的电极过程

采用线性扫描伏安法和电位阶跃法，研究了锂离子在铝电极上的电极过程机理，结果表明锂离子在铝电极上沉积形成α－固熔体时，电极过程受锂原子向铝电极中的扩散速度控制，当形成β－锂铝合地，存在成核极化现象，成核过程为瞬间成核过程，初期电极过程受形成β－锂铝合金的速度控制，一定时间后受锂原子通过β－锂铝合金层的扩散速度控制，β－锂铝合金阳极有限限充电电压和极限电流。     

在戊烷氧化氯化反应中二价铂络合物催化性能的研究

利用配位催化反应,在温和条件下活化饱和烃是一个具有理论和实际意义的课题。近十年来这方面的工作已取得了一定的进展。Шилов等报道了以K_2PtCl_4为催化剂和H_2PtCl_6为氧化剂能使饱和烃氧化氯化。以后又报道了二氧化硅载体上甲烷氧化氯化的反应。我们把合成的[PtCl_2(PPh_3)_2],[PtHCl(PPh_3)_],[PtHBr(PPh_3)_2],     

技术对经济发展的推动作用—回顾和展望

罗伯特·阿诺德博士是美国杜邦公司高分子部的研究主任,主要负责高分子材料研究的长远规划、研究工作及实验中心的管理。阿诺德博士在工业界工作了近40年时间,在高分研究工作、产品开发等方面积累了丰富的经验。在本文中,作者精辟阐述了自工业革命以来技术对经济发展的促进作用,分析了材料科学,特别是高分子材料对经济发展的贡献,总结了作为有效技术的必要条件,提供了许多有价值的意见。     

胆汁酸的薄层层析——数理统计法用于层析溶剂系统的选择

本文选择氯仿、乙醇、乙酸乙酯、醋酸和水等五种溶剂作为胆汁酸薄层层析的展开剂,采用正交设计法[L_(16)(4~5)]安排实验,对胆固醇、胆酸、脱氧胆酸、甘氨胆酸、甘氨脱氧胆酸、牛磺胆酸、牛磺脱氧胆酸和卵磷脂等八种化合物的R_f值及层析谱斑点的集中情况,用直观分析和方差分析法处理,得到了单向一次薄层层析全部分离胆汁的溶剂系统,较文献报道方法为佳。     

钽离子掺杂对LiFePO4 / C物理和电化学性能的影响

采用PAM(聚丙烯酰胺)模板-溶胶凝胶法在惰性气氛下合成钽掺杂的LiFePO₄/C复合正极材料，考察了钽对目标化合物的物理和电化学性能的影响。研究结果表明，0.33C的电流下充放电时，掺杂前后第2个循环的放电容量分别为138.6 mAh·g^-1和155.5 mAh·g^-1，循环20次后容量为141 mAh·g^-1和156 mAh·g^-1。电化学交流阻抗表明，掺杂后的材料阻抗R_ct从180 Ω减小到120 Ω。振实密度比掺杂前提高0.312 g·cm^-3。     

农村土地货币化存在的问题与对策研究

经济的快速发展,对土地需求量越来越大.然而土地是不可再生的具有供给稀缺性的资源,并且农村土地货币化涉及到失地农民、环境、农村的持续发展等方方面面的问题,因此规范农村土地货币化过程中的操作势在必行.文章正是基于对"如何进行农村土地货币化"这个问题的思考,反思农村土地货币化带来的不良影响,并在此基础上提出了一系列规范措施,以期从理论上对农村土地货币化问题做出一点探索.     

汽车防抱制动装置控制机理研究

根据轮胎附着特性对汽车制动性能的影响，研究分析了车轮制动抱死过程中的运动规律，指出了防止止轮制动抱死的着急控制参数，阐述了防抱制动装置的控制过程。     

InSb薄膜热导率温度特性及传热机理

InSb薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红外探测和红外热成像技术以及超分辨掩膜层技术中.热导率及其温度特性是影响薄膜实际应用的关键因素.采用瞬态热反射方法测试了厚度为70~200nm的InSb薄膜在非晶态和晶态下热导率,并探讨了其中的传热机理.对于晶态InSb薄膜,热导率为(0.55±0.055)W/(m·K),并且随温度的变化不明显;而非晶态InSb薄膜在温度450K以下时热导率为(0.37±0.037)W/(m·K).当温度在450K以上时,由于薄膜从非晶态转化为晶态,其热导率经历了一个突然的升高过程.无论是晶态还是非晶态薄膜样品,热导率与薄膜厚度都没有明显依赖关系.研究结果可以为InSb薄膜的实际应用提供有益的参考.