一类二阶拟线性边值问题的可解性

当非线性项奇异和无穷远处的极限增长函数存在时,考察了一类二阶拟线性边值问题.通过引入非线性项在有界集合上的高度函数,并且考察高度函数的积分,证明了一个解的存在定理.该定理表明当极限增长函数的积分具有适当值时此问题有一个解.     

线性增长限制下一类三阶边值问题的可解性

考察了一类含一阶和二阶导数的三阶边值问题的可解性.非线性项f满足线性增长的限制.通过构造适当的Banach空间并利用Leray-Schauder非线性抉择证明了一个存在定理.     

一个半正Sturm-Liouville边值问题的n个解的存在性

通过构造与非线性项有关的辅助函数并考察这个辅助函数在有界集上的性质，对于Sturm-Liouville边值问题建立了几个解的存在性，其中非线性项是下有界的．同时，给出了正解和非平凡解的一个判别方法．主要工具是锥压缩与锥拉伸型的Krasnosel’skii不动点定理．     

一类椭圆共振问题的可解性

利用含参紧向量场的解集连通理论,研究一类椭圆方程共振问题在λ_k为多重特征值时的可解性,我们推广了[1]、[2]中的一些结果。     

基于Clough-Penzien谱激励的指数型非黏滞阻尼结构随机地震动响应简明封闭解

非黏滞阻尼模型相比传统黏滞阻尼模型能更准确描述结构材料的耗能行为,其本构关系常用核函数为指数函数的卷积形式表示.针对目前非黏滞阻尼结构的随机地震动响应分析方法所得结果较为复杂,该文提出了一种基于Clough-Penzien(C-P)谱的结构响应0～2阶谱矩分析的简明封闭解法.该方法首先提出非黏滞阻尼结构的精确等效微分本...     

半正二阶三点边值问题的解和正解

考察了非线性二阶三点边值问题的n个解和正解的存在性,其中允许非线性项有一个负的下界并且n是一个任意的自然数．主要结论表明该问题可以具有n个解或者正解,只要非线性项在某些有界集上的“高度”是适当的．     

模糊数值函数的H-差,H-可导性和S-可导性

本文提出了区间值函数单调的概念,并利用所定义的区间值函数刻划了模糊数值函数的H-差,H-可导性和S-可导性及其相互关系.     

一类奇异二阶边值问题的正周期解

考察了一类奇异二阶周期边值问题,其中非线性项f(t,u)是局部Caratheódory函数.主要工具是高度函数,它描述了非线性项f(t,u)在有界集合上的增长特性.通过考察高度函数的积分获得了单个或多重正解存在的几个充分条件.我们的工作表明这种存在性与非线性项f(t,u)在u=0附近的性质无关.     

ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的导电过程与等效势垒高度

研究了ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷等效势垒高度φeff随着归一化电压的变化规律,发现等效势垒高度φeff随着归一化电压的增加先逐渐增大,达到最大值后持续下降.由于在外加电压作用下反偏势垒高度高于正偏势垒高度,等效势垒高度φeff主要取决于反偏势垒.因此,这种变化规律说明了ZnO压敏陶瓷晶界的导电过程可能存在三个阶段.在低归一化电压区,晶界区域中的电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率低于电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率,从而导致等效势垒高度随着归一化电压的增加逐渐增大.在中等归一化电压区,电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率和电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率相平衡,等效势垒高度达到最大值.在高归一化电压区,电子从正偏势垒区注入到晶界无序层的速率高于电子从晶界无序层抽出到反偏势垒区的速率,等效势垒高度随着归一化电压的增加逐渐下降,直至晶界击穿.同时分析了等效势垒高度φeff对泄漏电流IL的影响,发现泄漏电流与等效势垒高度差Δφ呈指数关系.