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Optical and Electronic Properties of InGaN/GaN Multi—Quantum—Wells Near—Ultraviolet Lighting—Emitting—Diodes Grown by Low—Pressure Metalorganic Vapour Phase Epitaxy 下载免费PDF全文
The near-ultraviolet lighting-emitting-diodes (UV-LEDs) with the InGaN/GaN multi-quantum-well (MQW) structure were grown by low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy. The double crystal x-ray diffraction revealed a distinct second-order satellite peak. The near-ultraviolet InGaN/GaN MQW LEDs have been successfully fabricated to emit at 401.2nm with narrow FWHM of 14.3nm and the forward voltage of 3.6 V at 20 mA injection current at room temperature. With increasing forward current from l 0 mA to 50 mA, the redshift of the peak wavelength was observed due to the band-gap narrowing caused by heat generation. 相似文献
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根据已导出的旋涡星系扰动引力势的一般形式解,考虑在无限薄盘(α→∞)的情况下,作旋臂图样曲线.适当地调节参量Ω_P 和 B(m,n),计算得到的理论曲线与实际观测到的旋臂符合较好.克服了由林家翘理论作出的旋臂图样与实际旋臂有时相差甚远的问题,并利用星系 M_(51)的旋臂作了这2个理论的比较. 相似文献
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通过2-(4'-三氟乙酰苯基)-4-苯基喹啉(tfapqH)与三氯化铱反应生成了二氯桥中间体,然后用吡啶-2-甲酸(picH)解离得到双环金属铱配合物Ir(tfapq)2pic。Ir(tfapq)2pic在二氯甲烷中的发光波长为584 nm,量子产率约为0.846,磷光寿命为1.211 μs,比没有三氟乙酰修饰的铱配合物波长蓝移的10 nm,量子效率提高了约5%,磷光寿命降低了0.286 μs,辐射跃迁加快,半波宽度降低了约26%,色纯度提高。其HOMO能级为-5.405 eV,LUMO能级为-3.277 eV,能级相对于未修饰的配合物都有所降低,且HOMO降低更明显,总的效果是能级差增加。Ir(tfapq)2pic 10%的热失重温度为301 ℃,比未修饰铱配合高近50 ℃。当Ir(tfapq)2pic以2%质量浓度掺杂于PVK-PBD中做成电致发光器件时的效率最高,电致发光波长为594 nm。器件的启明电压为7.3 V,最大亮度为8 571 cd·m-2,最大外量子效率为12.65%,对应的流明效率为22.14 cd·A-1。色坐标是(0.58,0.40)。 相似文献
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MOVPE生长GaN的表面反应机理 总被引:1,自引:1,他引:0
利用量子化学的 DFT 理论,对 MOVPE 生长 GaN 薄膜的表面初始反应机理进行研究。通过计算GaCH3和NH3在GaN(0001)-Ga面的4种吸附位的能量曲线发现,GaCH3在各吸附位的吸附能差值不大,因此容易在表面迁移;而NH3在各吸附位的吸附能差值较大,最稳定吸附位为Top位,迁移到其他位置需要克服较大能垒。在此基础上,提出了以NH3和 GaCH3为表面生长基元,在GaN(0001)-Ga面连续生长,最终形成环状核心的二维生长机理:在环状核心形成过程中,第1个GaN核生长需要3个NH3和1个GaCH3,可表示为Ga( NH2)3。第2个GaN核生长可利用已有的1个N作为配位原子,故只需2个NH3和1个GaCH3。2个GaN核可表示为( NH2)2 Ga-NH-Ga( NH2)2。第3个GaN核生长可利用已有的2个N作为配位原子,故只需要1个NH3和1个GaCH3。3个GaN核构成环状核心,可表示为Ga3( NH)3( NH2)3。后续的生长将重复第2个核和第3个核的生长过程,从而实现GaN薄膜的连续台阶生长。 相似文献
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采用化学氧化-沉淀法处理某Fe2+浓度为800 mg/L的高酸度矿山废水,通过研究不同碱性试剂的添加对调节pH和对铁去除效果的影响以及曝气氧化时间、絮凝剂添加量等方面对废水中铁氧化沉淀效率的探究。结果表明:当使用质量分数为20%的石灰乳调节废水pH至8.0,曝气氧化2 h时,废水中铁的去除率达到99.99%,其废水上清液中TFe的残余质量浓度为0.8 mg/L。再向处理后的废水中加入0.5 mL/L质量浓度为0.1%聚丙烯酰胺使含铁沉淀絮凝沉降,过滤沉淀并烘干后得到铁品位约为40%的沉淀渣,可以作为制备聚合硫酸亚铁的原料。再将沉淀渣在管式炉中700 ℃条件下焙烧30 min得到铁品位约为60%产品,可以作为炼铁的原材料。 相似文献