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针对某些角色信息相对固定的专门行业开发的软件和项目,提出一种用.Net的扩展方法直接使用用例图模型和权限管理结合的方式来加快应用开发的方法. 相似文献
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利用氧化还原体系把高价硒还原为具有生物活性的红色零价硒,以生物材料淀粉为内核,采用纳米制备技术,得到核壳型的淀粉硒纳米颗粒(St-Se0NP).用透射电子显微镜和Zeta-sizer电位分析仪对颗粒进行表征,发现所制备的颗粒具有核壳结构,平均粒径为50 nm左右,电性呈中性.淀粉硒纳米颗粒作为植物营养调节剂应用于巨峰葡萄植株,成熟葡萄果实中的硒含量比对照提高了5倍,糖份提高了30%,钙含量提高了40%,而酸含量则降低了30%,大大改善了葡萄的风味.研究还对硒纳米颗粒的作用机制进行了初步讨论,认为较普通硒化物,淀粉硒纳米颗粒在植物体内形成了缓释,提高了硒在植物体内的作用效果. 相似文献
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库仑(Charles August de Coulomb)是18世纪与英国的卡文迪许齐名的法国杰出的物理学家和军事工程师。众所周知,其电磁学研究成果卓著,具有划时代的意义。著名的库仑定律的建立,使电磁学进入了定量的研究,从而使电磁学真正成为一门科学,并为数学引入电磁学打开了道路,为继续发展电动力学奠定了基础。为纪念他对电磁学的贡献,人们把国际单位制中电荷电量的单位(库仑),以其姓氏命名。 相似文献
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根据已导出的旋涡星系扰动引力势的一般形式解,考虑在无限薄盘(α→∞)的情况下,作旋臂图样曲线.适当地调节参量Ω_P 和 B(m,n),计算得到的理论曲线与实际观测到的旋臂符合较好.克服了由林家翘理论作出的旋臂图样与实际旋臂有时相差甚远的问题,并利用星系 M_(51)的旋臂作了这2个理论的比较. 相似文献
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MOVPE生长GaN的表面反应机理 总被引:1,自引:1,他引:0
利用量子化学的 DFT 理论,对 MOVPE 生长 GaN 薄膜的表面初始反应机理进行研究。通过计算GaCH3和NH3在GaN(0001)-Ga面的4种吸附位的能量曲线发现,GaCH3在各吸附位的吸附能差值不大,因此容易在表面迁移;而NH3在各吸附位的吸附能差值较大,最稳定吸附位为Top位,迁移到其他位置需要克服较大能垒。在此基础上,提出了以NH3和 GaCH3为表面生长基元,在GaN(0001)-Ga面连续生长,最终形成环状核心的二维生长机理:在环状核心形成过程中,第1个GaN核生长需要3个NH3和1个GaCH3,可表示为Ga( NH2)3。第2个GaN核生长可利用已有的1个N作为配位原子,故只需2个NH3和1个GaCH3。2个GaN核可表示为( NH2)2 Ga-NH-Ga( NH2)2。第3个GaN核生长可利用已有的2个N作为配位原子,故只需要1个NH3和1个GaCH3。3个GaN核构成环状核心,可表示为Ga3( NH)3( NH2)3。后续的生长将重复第2个核和第3个核的生长过程,从而实现GaN薄膜的连续台阶生长。 相似文献