急诊冠状动脉介入治疗围术期使用负荷量阿托伐他汀的疗效及安全性观察

目的观察急性ST段抬高型心肌梗死患者急诊冠状动脉介入治疗（PCI）围术期使用负荷量阿托伐他汀的疗效及安全性。方法对2009-03-2010-03行急诊PCI的33例急性ST段抬高型心肌梗死患者,确诊后立即给予阿托伐他汀80mg负荷剂量,经绿色通道完成急诊PCI术后予以阿托伐他汀40mg/d继续治疗1个月,观察负荷量阿托伐他汀的疗效和安全性。结果 PCI术后血流再灌注情况（如TIMI血流等级、无复流现象发生情况、ST段水平回落情况及心肌酶谱峰值情况等）结果令人满意;除1例患者因肺部感染、呼吸衰竭转入ICU经积极救治无效死亡外,无围术期心肌梗死、靶血管重建及支架内血栓等主要心脏不良事件的发生;全程观察肝肾功能等药物安全性指标,30d时血碱性磷酸酶、肌酐和尿素氮水平与入院当天相比差异均无统计学意义（均P＞0.05）,30d时测AST、ALT分别为（27.50±8.69）、（23.63±8.03）U/L,均在正常参考值范围内,与入院当天相比明显下降（均P＜0.01）。结论对于急性ST段抬高型心肌梗死拟急诊行PCI治疗的患者,围术期使用负荷量阿托伐他汀不仅安全而且疗效令人满意。     

Electrically Driven InAs Quantum-Dot Single-Photon Sources

Electrically driven single photon source based on single InAs quantum dot （QDs） is demonstrated. The device contains InAs QDs within a planar cavity formed between a bottom AlCaAs/CaAs distributed Bragg reflector （DBR） and a surface CaAs-air interface. The device is characterized by I-V curve and electroluminescence, and a single sharp exciton emission line at 966nm is observed. Hanbury Brown and Twiss （HBT） correlation measurements demonstrate single photon emission with suppression of multiphoton emission to below 45% at 80 K     

Sign reversal of anisotropic magnetoresistance and anomalous thickness-dependent resistivity in Sr2CrWO6/SrTiO3 films

High-quality Sr₂CrWO₆ (SCWO) films have been grown on SrTiO₃ (STO) substrate by pulsed laser deposition under low oxygen pressure. With decrease of the film thickness, a drastic conductivity increase is observed. The Hall measurements show that the thicker the film, the lower the carrier density. An extrinsic mechanism of charge doping due to the dominance of oxygen vacancies at SCWO/STO interfaces is proposed. The distribution and gradient of carrier concentration in SCWO films are considered to be related to this phenomenon. Resistivity behavior observed in these films is found to follow the variable range hopping model. It is revealed that with increase of the film thickness, the extent of disorder in the lattice increases, which gives a clear evidence of disorder-induced localization charge carriers in these films. Magnetoresistance measurements show that there is a negative magnetoresistance in SCWO films, which is considered to be caused by the magnetic scattering of magnetic elements Cr³⁺ and W⁵⁺. In addition, a sign reversal of anisotropic magnetoresistance (AMR) in SCWO film is observed for the first time, when the temperature varies across a characteristic value, T_M. Magnetization—temperature measurements demonstrate that this AMR sign reversal is caused by the direction transition of easy axis of magnetization from the in-plane ferromagnetic order at T > T_M to the out-of-plane at T < T_M.     

等离子体增强InAs单量子点荧光辐射的研究

通过测量光致发光(PL)谱、PL时间分辨光谱及不同激发功率下PL发光强度,研究了低温(5 K)下等离子体对InAs单量子点PL光谱的增强效应.采用电子束蒸发镀膜技术在InAs量子点样品表面淀积了5 nm厚度的金膜,形成纳米金岛膜结构.实验发现,金岛膜有利于量子点样品发光强度的增加,最大PL强度增加了约5倍,其主要物理机理是金岛膜纳米结构提高了量子点PL光谱的收集效率.     

压电驱动金刚石对顶砧加压装置的研制和应用

金刚石对顶砧加压装置广泛用于物理、化学、材料等许多科学领域。自Bridgman发明金属对顶砧及随后发展金刚石对顶砧以来,对顶砧装置设计和加压技术得到不断发展。文章介绍采用压电驱动金刚石对顶砧来产生高压,实现低温20 K下原位连续加压,连续加压范围约2—4 GPa。该加压装置具有体积小、操作方便,可装在小型低温恒温器中使用等优点。     

金纳米颗粒光散射提高InAs单量子点荧光提取效率

采用光学方法确定InAs/GaAs单量子点在样品外延面上的位置坐标, 利用AlAs牺牲层把含有量子点的GaAs层剥离并放置在含有金纳米颗粒或平整金膜上, 研究量子点周围环境不同对量子点自发辐射寿命及发光提取效率的影响. 实验结果显示, 剥离前后量子点发光寿命的变化小于13%, 含有金纳米颗粒的量子点发光强度是剥离前的7倍, 含有金属薄膜的量子点发光强度是剥离前的2倍. 分析表明在金纳米颗粒膜上的量子点荧光强度的增加主要来自于金纳米颗粒对量子点荧光的散射效应, 从而提高量子点发光的提取效率.     

关于矩阵张量积的一类问题

本文给出有限个矩阵张量积分别是正规矩阵、厄米特矩阵、正定矩阵的条件．推广了Y．E．Kuo的相关结果．另外也给出了两个亚半正定矩阵的张量积还是亚半正定矩阵的充要条件．     

基于宏微复合标定的跨尺度零件测量方法

为了实现对跨尺度零件微小结构的尺寸精度和定位精度的同时测量,提出一种基于宏微复合标定的测量方法。建立不同尺度传感器组合式测量的标定模型,利用变焦扫描显微系统测量零件微尺度特征,利用双目系统测量定位显微设备,从控制坐标转换精度的角度设计加工特殊的标定块,将其作为跨尺度中转坐标系,标定变焦扫描显微重建点云坐标系与测头坐标系的空间转换关系,从而将局部测量点云统一至一个数据集中以完成所有局部区域的整体拼接。与理论模型对比分析,所提测量方法的各孔圆心坐标分布圆度误差为0.0438 mm,平面度误差为0.0252 mm,对喷注器各孔位姿的点误差值小于0.029 mm,孔轴向误差小于0.1140°。与面结构光传感器重建结果对比分析,所提模型能够在保证高精度重建三维形貌的情况下,更加正确地获取跨尺度零件的尺寸和位置。     

苯基锗糠基羧酸衍生物的合成、性质及三苯基呋喃甲酸锗的晶体结构

利用二或三苯基氯化锗与糠基羧酸钠反应,合成了9种苯基锗糠基羧酸衍生物.通过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱和质谱对其结构进行表征.用x-射线单晶衍射测定了三苯基呋喃甲酸锗的晶体结构.晶体属于单斜晶系,空间群PD21/c,α=].1945(4),b=O.9934(3),c=1.6284(5)nm,β=91.59(5)°,Z=4.在该化合物中,四配位的锗原子呈畸变的四面体构型.