在椭偏测厚中用TI——59计算器直接计算薄膜厚度

当前一些非常薄的膜层被广泛地应用于各技术领域中。因此,精确地测量薄膜厚度是一种重要的物理测量技术。其中,椭圆偏振法这种测量方法,是通过光波反射时偏振状态变化进行的;它能测很薄的膜厚(可达20A以下),测量精度很高(理论上误差可小于±10A),在各种已有的测膜厚方法中,它是能测膜厚最薄和测量精度最高的一种。但由于长期存在着数学处理上的困难与局限性,只有依靠电子计算机的发展和应用才使椭圆偏振法获得了生命力。     

基于脑电信号控制的机电开关装置设计

本文介绍一种基于脑电α波信号控制的电器开关装置．该装置通过操作者睁、闭眼调整脑电α波幅值来控制外接机电装置开关．文中给出了装置的设计原理、构成部件和控制功能．经受试者初步实验结果证明该装置具有无需繁复学习与生物反馈训练的易操作性，为进一步研究开发能实时操作使用的脑-机接口系统提供了技术基础．     

计算机图形学在肿瘤热疗中的应用

热疗中热场（比吸收率和温度）分布形态是检验其装置优劣和能否获得较好疗效的主要依据,借助于计算机图形学,用模拟计算方法来预测热区的ＳＡＲ和温度分布,以研究并优选加热场形态,对指导热疗装置的研制和临床热疗方案的选择有重要的实际意义。本文仅以腔道肿瘤热疗和射频容性势疗为例,介绍计算机 形学在肿瘤势疗的势场分布研究中的应用。     

Measurement of Surface Potential at Metal／Organic-Material Interfaces by Electro-Absorption Method

The surface potential built-in vacuum deposited phthalocyanine (Pc) film on aluminium electrode is investigated by the electro-modulation method. To avoid the influence of charge injection, a sandwiched cell (Al-Pc-air-ITO) is fabricated. The modulation signal, which depends on the external electric field intensity, is detected.The properties of electro-absorption (EA) and electro-reflectance (ER) signals are analysed. The existence of the surface potential at the metal/organic-material interface induces i f referenced ER signals. As a result, the surface potential built across the vacuum-deposited Pc film on the aluminium electrode is estimated to be 1.23 V.     

测定染料掺杂高聚物薄膜电光系数的新方法

介绍了一种用Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ干涉仪同时测定染料掺杂高聚物薄膜复数电光系数实部与虚部的新方法,并使用该方法测定了掺有染料分子ＤｉｓｐｅｒｓｅＲｅｄ１（ＤＲ１）和ＰｈｅｎｏｌＢｌｕｅ（ＰＢ）的有机玻璃（ＰＭＭＡ）薄膜在波长６３２．８ｎｍ处的复数电光系数实部与虚部．实验中清楚地观察到该两种膜的实部和虚部对电光效应的不同贡献,测量到其电光系数虚部Ｉｍ［ｒ１３］分别为０．１６±０．０２和０．８６±０．０６．     

酞菁铜/金属薄膜界面电位与光二次谐波特性分析

采用Kalvin探针和光二次谐波 (SecondHarmonicGeneration ,SHG)方法研究了铜酞菁衍生物 (Coppertetra tert butylPhthalocyanine ,CuttbPc )LB(Langmuir Blodgentt)膜与金属 (Al、Au)界面的空间电荷现象与非线性光学效应 .检测到空间电荷感应电场 (SpaceChargeInducedElectricField ,SCIEF)形成的表面电位与金属功函数有关 ,并随膜厚变化趋于饱和值 .尽管酞菁分子为中心对称体系 ,但仍有SHG效应 ,并观察到CuttbPc/Al样品在 12 6 0nm附近有异常增强的SH信号 ,而CuttbPc/Au样品未见该峰 .根据样品结构的物理模型 ,运用电磁场理论分析了界面电介质的非线性极化特性和光学效应产生机制 ,初步认为CuttbPc/Al的SH增强峰源于SCIEF形成的较强表面电位 ,说明SH信号的产生与界面静电现象有密切关系 .     

基于有限元方法的有机场效应晶体管特性模拟与实验验证

采用有限元方法,借助多物理场软件COMSOL模拟了底栅顶接触结构有机场效应晶体管电位和载流子浓度随源漏电压Vds的变化。模拟结果表明,当固定栅压V_g=-10 V时,改变V_(ds)从0~-10 V,对于电位分布,从栅极到源漏电极竖直方向有渐进的变化,而从源极到漏极的水平方向呈现由大到小明显的梯度变化。对于载流子浓度,观察到沟道处从源极向漏极逐渐减少,在靠近漏极的区域减少得尤为明显,而当源漏电压等于栅极电压时,产生夹断现象。进一步将模拟结果与实际制备的器件性能进行了对比,模拟结果与实验数据所显示的分布趋势大体相同,印证了模拟的合理性。由此表明,采用模拟方法分析有机场效应晶体管的器件特性,对于实际制备器件具有重要的指导意义。     

Fabrication and Characterization of C60-Based Organic Schottky Diodes

We have fabricated organic Schottky barrier diodes with Cu/LiF/C60/Al andwiched construction. Cu and Al are selected as the cathode and the anode, respectively. C60 is used as the organic layer and LiF as the buffer layer inserted between the cathode and C60. After the annealing process, Schottky contact is well formed at the Al/C60 interface and Ohmic contact is formed at the （Cu/LiF）/C60 interface. The current density-voltage （J-V） measurements of the diodes present nonlinear behavior. As a result, the rectification ratio reaches 1×03. The characteristics of the diodes have been analyzed using the energy band diagram. The values of Schottky barrier height ΦB, ideality factor n and reverse saturation current density Js are extracted according to the standard thermionic emission model.