高灵敏PVC膜金(Ⅲ)离子选择电极研究和巯基棉富集金

前文用十六烷基吡啶研制成性能优良的PVC膜金(Ⅲ)离子选择电极。考虑到十六烷基吡啶有明显水溶性弱点,本文改用非水溶的十六烷基三辛基季铵盐作活性材料,使电极达到罕见的高灵敏度。经反复测试,电极在1×10~(-4)-5×10~(-8)MAuCl_4~-间有良好的Nernst响应。提高测定灵敏度是现今试金的重要课题。虽然迄今报导的金离子选择电极灵敏度大体与灵敏的硫代米蚩酮光度法相近,但在实用方面未曾充分发挥。四苯鉮、乙基紫型金离子电     

羰基化合物在Si(100)表面[2+2]环加成和α-H裂解反应的选择性

最近研究表明: 丙酮能与半导体Si(100)表面发生[2+2]环加成和α-H 裂解反应形成相应的Si―C键或Si―O键, 在半导体材料的合成方面具有重要意义. 为进一步弄清不同羰基化合物在Si(100)表面的反应机理,本文应用密度泛函理论方法在B3LYP/6-311++G(d,p)//6-31G(d)水平上较为系统地研究了一系列羰基化合物CH₃COR (R=CH₃, H, C₂H₅, C₆H₅)与Si(100)表面的反应. 研究结果表明: 不论是[2+2]环加成反应还是α-H 裂解反应都对应较低的反应势垒(小于25 kJ·mol^-1); 环加成反应的势垒比α-H 裂解反应的势垒略高; 羰基上的取代基对反应势垒的影响较少; α-H裂解反应产物为动力学和热力学控制产物; 对丁酮来说, 1-位和3-位H原子的裂解反应都比较容易, 势垒相差很小. 这些结果表明羰基化合物与Si(100)表面的反应将得到多种产物.     

金属和半导体微粒光化学行为中的表面效应

大量的研究表明金属和半导体微粒在能源、材料及环境等领域存在明显的应用前景,尤其是作为光催化剂可以广泛地催化水溶液中的氧化还原反应。光催化的实质是颗粒界面上的电荷转移,它受颗粒表面状态的影响非常强烈。随着颗粒尺寸的减小,颗粒的比表面逐渐增大,表面上的原子数占整个颗粒总原子数的比例也将显著增加。在这种情况下,即使颗粒表面少量原子发生变化,也将对界面上的电荷转移产生剧烈影响。基于此,在研究金属和半导体微粒光化学行为时,必须重点考虑它的表面效应。以下分两部分简要介绍我们的研究结果。     

Dy对Pt－Dy／Al_2O_3催化剂表面吸附中心性质及其催化性能的影响

通过脉冲微型反应催化色谱装置，考察了正己烷在Ｐｔ／Ａｌ２Ｏ３和Ｐｔ－Ｄｙ／Ａｌ２Ｏ３催化剂上的转化反应；用ＴＰＤ、ＴＰＲ和ＨＯＴ技术研究了Ｐｔ－Ｄｙ／Ａｌ２Ｏ３催化剂的表面性质．结果表明，Ｄｙ和Ｐｔ之间存在相互作用，并发生电子效应和几何效应，但Ｄｙ的掺入未改变Ｐｔ／Ａｌ２Ｏ３催化剂表面固有的吸附中心性质     

由抑制剂引起的高反差机理研究

本文利用吸附曲线及电化学的方法,研究了一系列抑制剂在银及溴化银上的吸附行为,将这些吸附性质与显影过程中相应的抑制剂存在时的显影结果对比,实验表明:只有当抑制剂在银上为中等的吸附,而在溴化银上吸附很小时,才可能利用抑制剂达到高反差。相应的机理及抑制剂在银上的吸附性质在文中也作了讨论。     

6，6＇－二（二苯基氧化膦甲基）－1，1＇－氮氧化－2，2＇－联吡啶与硝酸铒配合物的合成与结构

合成了硝酸铒与四功能团含磷萃取剂６，６＇－二（二苯基氧化膦甲基）－１，１＇－氮氧化－２，２＇－联吡啶的配合物。用四圆衍射仪测定了配合物的晶体结构。晶体属单斜晶系，空间群Ｃ２／ｃ，晶体学参数，ａ＝１．９８３０（４）ｎｍ，ｂ＝２．３１３５（４）ｎｍ，ｃ＝１．８６００（３）ｎｍ；β＝９６．１８（２）°，ｚ＝４。配合物中有机配体以四齿形式与中心离子铒配位，金属离子的配位数为８。配位几何构形为稍变形的四方反棱柱。金属离子周围的配位水分子已全部被取代。     

溶胶-凝胶法制备高取向Bi4Ti3O12/SrTiO3(100)薄膜

Bi4Ti3O12具有良好的铁电、电光等性能山、特别是Bi4Ti3O12薄膜很适合作永久性存储材料，也可用于电光器件问．在微电子学、光电子学、集成光学、集成铁电学等领域均有广泛开发和应用前景，国外已用溅射法、激光沉积法制备出c轴取向Bi。Ti3Ol。薄膜【’，＼山东大学用MOCVD法制     

氧化锌分散体光反应产生的自由基中间体

溶液中光诱导的电子转移反应已进行了大量的研究。而半导体粉末在水相或非水溶剂中的光化学研究也与自俱增^[1-3]。这种光化学与成像体系、太阳能转换以及光催化或污物的光降解有关。因此,越来越引起人们的重视。     

簇离子Mo_3S_4M~（n＋）中M与Mo成键作用及电子光谱（M＝Fe、Ni，n＝4；M＝Cu，n＝5）

应用ＩＮＤＯ／Ｓ半经验量子化学方法，对簇合物离子Ｍｏ３Ｓ和Ｍｏ３Ｓ４Ｍｎ＋（Ｍ＝Ｆｅ、Ｎｉ，ｎ＝４；Ｍ＝Ｃｕ，ｎ＝５）分别进行分子轨道计算。根据计算得到的簇离子中的原子表观电荷和成键指标，说明Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ＋与Ｍｏ３Ｓ成键作用的相对强度依次是Ｆｅ－Ｍｏ＞Ｎｉ－Ｍｏ＞Ｃｕ＋－Ｍｏ。比较了用含组态作用的ＩＮＤＯ／Ｓ方法计算得到的电子跃迁能与实验得到的电子吸收光谱值，并讨论了吸收峰归属情况。对于Ｍ为Ｆｅ、Ｎｉ的簇离子Ｍｏ３Ｓ４Ｍ４＋，最低能量的电子跃迁吸收峰起源于异金属间电荷转移跃迁（ＭＭ’ＣＴ）；而Ｍｏ３Ｓ４Ｃｕ（５＋）簇离子观察到的吸收峰主要是Ｍｏ３Ｓ芯的局域内电荷转移跃迁。根据理论计算结果，由Ｃｕ＋离子到Ｍｏ３Ｓ的电荷转移跃迁谱线，大约在４６０００ｃｍ－１以上才能观察到吸收峰。从Ｍｏ３Ｓ４Ｆｅ４＋次低能量吸收峰的实验值１６６００ｃｍ－１和理论值１６５００ｃｍ－１与Ｍｏ３Ｓ的最低能量吸收峰的实验值１６６００ｃｍ－１和理论值１６９００ｃｍ－１比较，表明无论从理论上或实验上都能证实簇离子Ｍｏ３Ｓ４Ｆｅ４＋在能量为１６６００ｃｍ－１处的吸收峰是起因于Ｍｏ３Ｓ芯的局域内电荷转移跃迁。