基态Bn(n=2,3)结构与完全解析势能函数简

使用Gaussian03程序包,采用全电子单双取代耦合簇(CCSD(full))方法,选择基组6-311+g(2df),对B2分子的基态进行优化计算,采用十一参量Murrell-Sorbie函数,运用最小二乘法拟合得到B2分子基态解析势能函数,给出与实验值符合很好的光谱常数;使用同样的方法和基组,对B3分子的基态结构进行优化计算,得到B3分子基态平衡结构.采用多体项展式法,利用B3分子平衡结构C2v的几何参数、力常数和离解能,以及七个线性系数Ci(i=1,2,3,4,5,6,7)与两个非线性系数的函数关系,进行非线性优化拟合得到两个非线性系数,进而得到七个线性系数,得到B3分子基态完全解析势能函数.势能面静态特征表明,该势能函数准确再现了B3分子基态全部平衡结构特征.     

20keV钛离子注入植物种子深度浓度分布的模拟计算

通过创建植物种子靶材料模型和修正的LSS（纵向静态稳定性）理论,使用Monte Carlo方法,提出了一种离子注入植物种子近似计算方法,使用该方法计算了20keV钛离子分别注入花生种子和彩棉种子的深度浓度分布。同时将该计算结果,TRIM程序计算结果,高斯拟合结果分别与实验测量结果进行了比较,本工作获得的计算结果更加接近实验值,并分析讨论了计算和实验结果差异的一些原因。     

InAs双壁管状团簇及双壁纳米管结构、稳定性和电子特性的第一性原理研究

利用第一性原理研究InAs双壁管状团簇及其双壁纳米管的几何结构、稳定性和电子特性．几何结构分析表明,In（3pk＋4p）／2As（3pk＋4p）／2（p=6,8,10,k=3,4,…,11）双壁管状团簇的几何构型符合欧拉公式,并得到In（3pk＋4p）／2As（3pk＋4p）／2双壁管状团簇及（m,n）@（2m,2n）（m=n=3,4,5）型InAs纳米管的管径公式．电子特性的计算结果表明：[6,k]@[12,k＋2]型管状团簇和（3,3）Q（6,6）型纳米管稳定性最高;利用前线轨道随尺寸的变化规律,得到InAs双壁管状团簇的生长机理,阐明实验合成InAs纳米管的微观机理;态密度和能带研究结果表明,InAs双壁管状团簇及双壁纳米管都具有半导体特性．     

密度泛函理论研究Bn Ni(n=6-12)团簇的结构和磁性

基于第一性原理,用密度泛函理论中的广义梯度近似(generalized gradient approximation,GGA)方法,在充分考虑自旋多重度的前提下,优化并得到了Bn(n=6一12)和BnNi(n=6-12)团簇的平衡构型,按照能量最低原理确定其基态结构.Bn团簇的计算结果与已有的理论结果相一致.当Ni原子掺杂在Bn团簇中,B12Ni团簇的基态结构为平面结构,其余均为三维结构.基态结构的自旋多重度除了n=8以外呈现2,l交替的规律.计算团簇基态结构的平均结合能(Eb)、团簇能量的二阶差分(△2 E)和能隙(HOMO.I.UMO,gap)均表明,l=8为B.Ni(,l=6一12)团簇的幻数,即B8Ni团簇较相邻团簇稳定.计算团簇的磁矩表明B8Ni团簇磁矩最大(2цB),团簇总磁矩和平均磁矩随团簇尺寸增大呈现奇偶振荡趋势且磁矩主要由Ni原子的3d轨道提供.     

AlB2和Al2B的结构与解析势能函数

运用单双取代耦合簇(CCSD)方法,选择基组6-311+g(2df)对基态B2、Al2分子和基组6-311g(3df)对基态AlB分子的微观结构进行优化计算,采用最小二乘法拟合得到B2、Al2和AlB分子的势能函数,并得到了与实验值符合很好的光谱常数.采用同种方法,选择6-31g基组,对基态AlB2和Al2B分子的结构进行优化计算.运用原子分子反应静力学原理得到离解极限.在此基础上,采用多体项展式法,得到AlB2和Al2B分子基态解析势能函数,该势能函数准确再现了AlB2和Al2B分子基态平衡结构特征.     

基态Lin(n=2, 3)结构与完全解析势能函数

使用Gaussian03程序包, 采用全电子单双取代耦合簇(CCSD(full))方法, 选择基组6-311+g(2df) , 对Li2分子的基态进行优化计算, 采用十一参量Murrell-Sorbie函数, 运用最小二乘法拟合得到Li2分子基态解析势能函数, 给出与实验值符合很好的光谱常数; 使用同样的方法和基组, 对Li3分子的基态结构进行优化计算, 得到Li3分子基态平衡结构. 采用多体项展式法, 利用Li3分子平衡结构C2v的几何参数、力常数和离解能, 以及七个线性系数Ci(i=1, 2, 3, 4, 5, 6, 7)与两个非线性系数的函数关系, 进行非线性优化拟合得到两个非线性系数, 进而得到七个线性系数, 得到Li3分子基态完全解析势能函数. 势能面静态特征表明, 该势能函数再现了Li3分子基态全部平衡结构特征.     

Bn(n =2-15)团簇的几何结构和电子性质

应用密度泛函理论中的B3LYP方法计算并分析了不同生长模式下Bn(n= 2-15)团簇的几何结构及电子性质.同时,比较和讨论了不同生长模式下硼团簇的原子束缚能、能级间隙和第一电离势.研究表明:直线构型稳定性最低,金属性较强,尤其在n=8时能隙仅有0.061eV,说明该团簇已具有金属特征.平面或准平面构型稳定性最高,非金属性强.立体构型的稳定性与金属性介于直线和平面构型之间.另外,还讨论了基态团簇的束缚能、能量二阶差分、能级间隙和第一电离势随团簇尺寸的变化,结果表明B12与B14是幻数团簇.     

论革除恶性竞争性学习、建立合作学习的重要性

文章分析了恶性竞争学习存在的原因,指出恶性竞争学习给学习者和社会带来的危害和不良后果,阐述了以合作学习取代恶性竞争性学习是构建和谐社会、学习型社会的迫切需要,是素质教育、人才培养的必由之路.介绍了合作学习的理念和特点.     

关于用“瞬时转心法”求解刚体上任一点加速度问题的讨论

本文从分析一个求解刚体上任一点的加速度的实例出发,讨论了用“瞬时转心法”瞬加速度时可能出现的问题。并结合另一实例,给出了利用“瞬时转心法”求解加速度的一个较为实用的方法。     

InAs管状团簇及单壁InAs纳米管的结构、稳定性和电子性质

采用密度泛函理论研究了InnAsn (n≤90)管状团簇以及单壁InAs纳米管的几何结构、稳定性和电子性质. 小团簇InnAsn (n=1-3)基态结构和电子性质的计算结果与已有报道相一致. 当n≥4时优化得到了一族稳定的管状团簇, 其结构基元(In原子与As原子交替排列的四元环和六元环结构)满足共同的衍化通式. 团簇的平均结合能表明横截面为八个原子的管状团簇稳定性最好. 管状团簇前线轨道随尺寸的变化规律有效地解释了一维稳定管状团簇的生长原因, 同时也说明了实验上之所以能合成InAs纳米管的微观机理. 此外, 研究结果表明通过管状团簇的有效组装可得到宽带隙的InAs半导体单壁纳米管.