全文获取类型
收费全文 | 1663篇 |
免费 | 258篇 |
国内免费 | 301篇 |
专业分类
化学 | 381篇 |
晶体学 | 10篇 |
力学 | 31篇 |
综合类 | 11篇 |
数学 | 63篇 |
物理学 | 471篇 |
综合类 | 1255篇 |
出版年
2024年 | 26篇 |
2023年 | 80篇 |
2022年 | 117篇 |
2021年 | 92篇 |
2020年 | 78篇 |
2019年 | 75篇 |
2018年 | 68篇 |
2017年 | 42篇 |
2016年 | 47篇 |
2015年 | 61篇 |
2014年 | 135篇 |
2013年 | 85篇 |
2012年 | 105篇 |
2011年 | 107篇 |
2010年 | 103篇 |
2009年 | 90篇 |
2008年 | 107篇 |
2007年 | 95篇 |
2006年 | 80篇 |
2005年 | 67篇 |
2004年 | 59篇 |
2003年 | 38篇 |
2002年 | 55篇 |
2001年 | 60篇 |
2000年 | 47篇 |
1999年 | 48篇 |
1998年 | 32篇 |
1997年 | 26篇 |
1996年 | 26篇 |
1995年 | 25篇 |
1994年 | 16篇 |
1993年 | 17篇 |
1992年 | 10篇 |
1991年 | 11篇 |
1990年 | 14篇 |
1989年 | 4篇 |
1988年 | 7篇 |
1987年 | 8篇 |
1986年 | 10篇 |
1984年 | 4篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 5篇 |
1979年 | 6篇 |
1977年 | 6篇 |
1975年 | 3篇 |
1974年 | 2篇 |
1966年 | 2篇 |
1964年 | 2篇 |
1963年 | 2篇 |
1961年 | 3篇 |
排序方式: 共有2222条查询结果,搜索用时 0 毫秒
81.
全二维气相色谱-飞行时间质谱分析赖百当油的挥发性成分 总被引:2,自引:0,他引:2
建立了赖百当油的全二维气相色谱-飞行时间质谱(GC×GC/TOF-MS)指纹图谱,通过质谱库检索、保留指数比对、标准品同时进样验证与文献比较,共鉴定了108个组分,占挥发油总量的94.81%,主要成分为:苯丙酸乙酯(30.92%)、绿花白干层醇(9.85%)、苯丙酸(7.91%)、乙酸龙脑酯(2.87%)、乙酸(2.81%)、杜香醇(2.41%)、喇叭烯(2.14%)等。本实验首次用GC×GC/TOF-MS对赖百当油进行了分析,并初步进行了致香机理的阐释,为该植物的开发、调香应用和品控提供了技术支撑。 相似文献
82.
The important role of high-energy intramolecular vibrational modes for excitation energy transfer in the detuned photosynthetic systems is studied. Based on a basic dimer model which consists of two two-level systems(pigments)coupled to high-energy vibrational modes, we find that the high-energy intramolecular vibrational modes can enhance the energy transfer with new coherent transfer channels being opened when the phonon energy matches the detuning between the two pigments. As a result, the energy can be effectively transferred into the acceptor. The effective Hamiltonian is obtained to reveal the strong coherent energy exchange among the donor, the acceptor, and the high-energy intramolecular.A semi-classical explanation of the phonon-assisted mechanism is also shown. 相似文献
83.
双指数脉冲电流发生器可用于电子系统端口传导耦合实验,主要用于研究电磁敏感器件的电磁脉冲效应的损伤规律。根据实验要求,该发生器能够输出前沿10 ns、脉宽100 ns、电流幅值3 kA的双指数脉冲电流。建立了该发生器的电路模型,并对杂散电容和电感对输出电流波形的影响进行了分析。模拟计算表明,电流信号的过冲现象和后沿叠加干扰信号的原因可能是电阻负载自身存在的杂散电容和测量电流的线圈附近的杂散电容和电感的共同作用导致的。经过理论计算,如果在测量线圈附近添加适当的滤波设备或者用无损同轴电缆引出电流,能够明显地抑制过冲和干扰。 相似文献
84.
85.
We perform an experimental study on high-order harmonic generation (HHG) of aligned acetylene molecules induced by a 35-fs 800-nm strong laser field, by using a home-built HHG spectrometer. It is observed that the molecular HHG probability declines with increasing the laser ellipticity, which is in consistence with the deduction from the well-known tunneling-plus-rescattering scenario. By introducing a weak femtosecond laser pulse to nonadiabatically align the molecules, we investigated the molecular orbital effect on the HHG in both linearly and elliptically polarized driving laser fields. The results show that the harmonic intensity is maximum for the molecular axis aligned perpendicularly to the laser electric field. It indicates that both the highest occupied molecular orbitals (HOMO) and HOMO-1 contribute to the strong-field HHG of acetylene molecules. Our study should pave the way for understanding the interaction of molecules with ultrafast strong laser fields. 相似文献
86.
以乙二醇和丙三醇为碳源,用一元醇(异丙醇和乙醇)为对比,通过溶剂热法制备得到碳点。通过傅里叶红外光谱、紫外-可见吸收光谱和激发光谱对所制得的碳点进行表征和分析,探讨了不同碳源对碳点的表面官能团、荧光性能等的影响,从而分析其荧光的发光机理。结果表明:乙二醇与丙三醇制备的碳点含有C=C键和C=O键,均在365 nm光激发后在450 nm处有荧光峰;而一元醇是由C-OH基团中的孤对电子产生荧光,碳源分子中羟基含量对碳点的荧光性能有很大影响,羟基含量越高,越容易形成双键结构。 相似文献
87.
大型非球面镜通过加工 检测 再加工 再检测的制造工艺以满足面形精度要求,根据检测后的轮廓数据准确评定面形是提高再加工精度的关键。为解决抛光前镜面的面形评定问题,采用基于信赖域法则的Levenberg Marquardt算法对参数进行拟合、误差补偿以及面形评定。利用Code V仿真分析算法性能,构建大型非球面轮廓仪测试抛物面加工件,对实测数据经过32次迭代得到元件参数及轮廓残差曲线,收敛精度为1.1610-21。实验表明:该算法可对大型非球面镜轮廓数据进行高效准确的拟合、评定,为进一步提高再加工精度提供可靠依据。 相似文献
88.
在广义梯度近似(GGA)和GGA+U的框架下,用第一性原理方法研究了用FeAs单层的简单模型来研究LaFeAsO和BaFe2As2的合理性. 对未掺杂的FeAs单层,优化的几何结构及其对应的电子结构与本体的性质差异较大,并且在单层中没有发现体相中的共线反铁磁基态. 另外,在单层中,As与Fe层之间在z方向的间距随电子和空穴掺杂浓度的变化也与实验结果不符,这些结果表明,在LaFeAsO和BaFe2As2中,FeAs层与其他层之间的相互作用是不可忽略的,用简单的FeAs单层来处理Fe基超导体需要考虑更多的修正 相似文献
89.
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)因具有高输出功率密度、高工作频率、高工作温度等优良特性,在高频大功率等领域具有广泛应用前景。目前,HEMT器件在材料生长和工艺制备方面都取得了巨大的进步。但是,由缺陷产生的陷阱效应一直是限制其发展的重要原因。本文首先论述了HEMT器件中的表面态、界面缺陷和体缺陷所在位置及其产生的原因。然后,阐述了由陷阱效应引起的器件电流崩塌、栅延迟、漏延迟、Kink效应等现象,从器件结构设计和工艺设计角度,总结提出了改善缺陷相关问题的主要措施,其中着重总结了器件盖帽层、表面处理、钝化层和场板结构4个方面的最新研究进展。最后,探索了GaN基HEMT器件在缺陷相关问题上的未来优化方向。 相似文献
90.