高压VDMOSFET中的快恢复体二极管的设计新方法

提出了一种提高高压垂直双扩散MOS场效应晶体管（VDMOSFET）的体二级管恢复速度的新方法,在这一方法中,肖特基接触集成于VDMOSFET中的每一单胞中,据此生产的样品的实验结果表明,对于500V／2A的VDMOSFET,反向恢复电荷减小了50％,体二极管的恢复因数增大了60％．     

Luminescence of a GaN grain with a nonpolar and semipolar plane in relation to microstructural characterization

We report on the growth of the high-quality GaN grain on a r-plane sapphire substrate by using a self-organized SiN interlayer as a selective growth mask.Transmission electron microscopy,scanning electron microscopy,and Raman spectroscopy are used to reveal the effect of SiN on the overgrown a-plane GaN growth.The SiN layer effectively terminates the propagation of the threading dislocation and basal plane stacking faults during a-plane GaN regrowth through the interlayer,resulting in the window region shrinking from a rectangle to a "black hole".Furthermore,strong yellow luminescence(YL) in the nonpolar plane and very weak YL in the semipolar plane on the GaN grain is revealed by cathodoluminescence,suggesting that C-involved defects are responsible for the YL.     

川南古宋煤矿区阳新统深岩溶水系的电网络模拟研究

本文以古宋矿区26个钻孔的水位资料、泉点及河流漏失量调查资料为依据,通过电网络模拟作出研究区地下水模拟等水位线图。并根据模拟中的调试情况,对地下水流动的水动力条件作了分析。结合地质解释,阐述了本区特殊的越流型深部岩溶管道水系的形成和它所经历的三个阶段。     

用萃取第三相形成法治理β－萘磺酸废水Ⅰ．β－萘磺酸－水－三辛胺（苯）体系的萃取机理

研究了文题体系的萃取机理。结果表明，初浓度为１．１３０×１０￣（－２）ｍｏｌ／Ｌ的β－萘磺酸与初浓度范围为（１．４５１～４．１３５）×１０￣（－２）ｍｏｌ／Ｌ的三辛胺在达到萃取平衡后，以１：１摩尔比缔合成胺盐萃合物；反应平衡常数Ｋ＝５．００ｋＬ／ｍｏｌ；反应焓变。对β－萘磺酸之类的有机芳族磺酸来说，三辛胺是一种高效萃取剂。     

峨眉山柿子坪热田地表热异常特征初探

峨眉山是中国著名的风景旅游区,区内有３０°Ｃ左右的温泉出露,富含氡气。文章重点介绍了峨眉山柿子坪热田的地表热异常区发育特征,以及与之有关的深部地下水排泄和断裂构造特征。     

导数应用的一个探索

求作初等曲线的切线,方法较多,文章屡有发表。本文试图从导数的应用出发,另辟道路,作出新的尝试。可供中学教师作为辅导学生课外活动时参考。 函数y=f(x)在点x_0处的导数f′(x_0)的几何意义,就是曲线y=f(x)在点x_0处的切线的斜率。     

大气压横向激励N_2激光器

由于瞬态激光光谱学、荧光寿命、光化学及光生物学效应等的研究发展,需要稳定可靠的超短脉冲强光光源.而输出谱线为3371埃的大气压N_2激光器,其结构简单,不需要真空密封和真空泵,容易获得高输出功率(兆瓦级以上),窄脉冲宽度(可达亚毫微秒级)和高脉冲重复率(可达1千赫以上)的紫外相干辐射,且稳定可靠,因此受到人们的普遍重视.横向激励的高气压氮分子激光器已成为目前氮激光器件研究中的一个新的动向.几十乇压力的低气压N_2激光器,其脉冲宽度一般为数毫微秒,对一些瞬态过程的研