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21.
采用有限元软件ANSYS,结合某CSP生产线F4机架工作辊表面温度的实测值,建立轧辊二维温度场模型,对轧辊在轧制过程中的温度和热凸度变化进行研究。结果表明,轧辊在咬入弧区的换热系数为5.8×104 W/(m2·K),在非咬入弧区的水冷等效换热系数为1.1×104 W/(m2·K);在此等效换热边界条件下,使轧辊热凸度达到稳定的烫辊时间约为75min。 相似文献
22.
原始序列规律、一次累加生成序列光滑度及其初始值是影响GM(1,1)模型预测精度的主要原因.为了获得较高的预测精度,在原有改善序列光滑度方法的基础上,给出一种基于加权和最小平均相对误差的灰色改进算法.该改进算法不但能够提高拟合及预测精度,而且拓展了传统GM(1,1)预测模型的适用范围.将传统方法与改进算法应用于实际设备故障诊断和寿命预测,结果表明,改进算法对于机械设备的预知维修具有较好的参考价值. 相似文献
23.
24.
氧化添加量对M80S20激光涂敷层的显微组织和摩擦学性能的影响 总被引:4,自引:4,他引:4
通过金相分析,扫描电子显微镜分析和透射电子显微镜分析,以及在无润滑条件下的摩擦磨损对比试验研究,考虑了稀土氧化物CeO2添加量对(Fe,Cr,Ni,W,Mo)80(B,Si,C)20铁基非晶自熔合金粉末喷涂-激光重熔涂敷层的显微组织和摩擦磨损性能的影响。 相似文献
25.
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献
26.
利用固源分子束外延技术,在In0.15Ga0.85As/GaAs量子阱生长了两个InAs/In0.15Ga0.85As量子点(DWELL)样品.通过改变其中一个InAs DWELL样品中的In0.15Ga0.85As阱层的厚度和生长温度,获得了量子点尺寸增大而且尺寸分布更均匀的结果.结合光致发光光谱(PL)和压电调制光谱(PzR)实验结果,发现该样品量子点的光学性质也同时得到了极大的优化.基于有效质量近似的数值计算结果表明:量子点后生长过程中应力导致In0.15Ga0.85As阱层合金分解机理是导致量子点尺寸和光学性质得到优化的主要原因. 相似文献
27.
采用色散荧光谱和时间分辨光谱方法,研究了532 nm强激光场诱导等离子体作用下碘甲烷分解动力学过程.通过对所得色散荧光谱归属,确定了碘甲烷分解的主要荧光产物粒子:CH3I 、CH3、CH2、CH、C、H、C 、C2 、I 、I2 ;通过时间分辨光谱分析,讨论了荧光产物粒子的形成动力学机理,归结出了碘甲烷分解所经历的主要过程为"共振多光子激发电→CH3I 解离→库仑爆炸脱氢→电子碰撞激发或电离→次级碰撞电离"的物理过程.所得结果将对其他多原子分子的强激光场作用下激光诱导等离子体分解动力学过程的研究具有参考价值. 相似文献
28.
29.
在(Ⅰ)的基础上,得出对集值函数逼近理论的某些应用:Korovkin型定理,一种将经典逼近算子扩张到集值族的方法,以及Jackson估算. 相似文献
30.
具有输入时滞的时滞关联不确定系统的鲁棒分散控制 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了一类同时具有输入时滞以及不确定参数的时滞关联大系统的稳定性问题.基于所谓的还原法,给出一种新的状态反馈控制器的设计方法,这种方法的不同之处在于利用了时延的大小以及反馈控制的历史信息.根据Lyapunov稳定性理论得到了系统在控制器作用下稳定的充分条件,所有条件都化成可解的标准LMIs(Linear matrix inequalities)形式.文章最后给出了一个数值例子说明本文结果的可行性. 相似文献