乙酸乙酯合成反应的实时在线拉曼光谱测量

本文报道一种用于在线拉光谱测量的技术。可以在工业生产过程中对产品的成分和工作条件进行实时的监测,在本实验中,用我们自己研制的光纤探头,配合现有的拉曼光谱装置对合成乙酸乙酯的化学反应过程进行了实时跟踪测量。得到了反应过程中乙醇-,乙酸和乙酸乙酯的拉曼光谱,从谱图分析了它们的特征峰与时间的关系,从而可由这些结果确定在此实验条件下反应物与生成物的浓度随时间的变化,进而可确定反应过程完成的时间。     

附加电极对扫描变像管性能的优化

 通过分析影响变像管性能的主要因素,以提高其时间分辨率、空间分辨率和动态范围为优化思路,确定了在扫描变像管中荧光屏邻近区域引入等径螺旋电极以产生纵向均匀加速场的优化方案。分析得知,该优化结构可以在几方面改善变像管的性能:增加粒子到达荧光屏的纵向速度、减小粒子通过偏转板与荧光屏之间区域的渡越时间和渡越时间弥散、提高荧光屏的亮度。在横向约束带电粒子束的发散,通过减小空间电荷像差而改善电子光学系统的空间分辨率。另外,附加电极的引入也为降低加速阳极电位和偏转电极电位从而提高偏转系统的灵敏度提供了一定的空间。     

Effect of Mn substitution on superconductivity in iron selenide(Li,Fe)OHFeSe single crystals

We synthesize a series of Mn substituted(Li, Fe)OHFeSe superconductor single crystals via a modified ion-exchange method, with the Mn concentration z(the atomic ratio of Mn:Se) ranging from 0 to 0.07. The distribution homogeneity of the Mn element incorporated into the lattice of(Li, Fe)OHFeSe is checked by combined measurements of high-angleannular-dark-field(HAADF) imaging and electron energy-loss spectroscopy(EELS). Interestingly, we find that the superconducting transition temperature T_c and unit cell parameter c of the Mn-doped(Li, Fe)OHFeSe samples display similar V-shaped evolutions with the increasing dopant concentration z. We propose that, with increasing doping level, the Mn dopant first occupies the tetrahedral sites in the(Li, Fe)OH layers before starting to substitute the Fe element in the superconducting Fe Se layers, which accounts for the V-shaped change in cell parameter c. The observed positive correlation between the T_c and lattice parameter c, regardless of the Mn doping level z, indicates that a larger interlayer separation, or a weaker interlayer coupling, is essential for the high-T_c superconductivity in(Li, Fe)OHFeSe. This agrees with our previous observations on powder, single crystal, and film samples of(Li, Fe)OHFeSe superconductors.     

原子间相互作用势对中Al浓度Ni75AlxV25-x合金沉淀序列的影响

基于微观相场模型与反演算法,研究了中Al浓度及温度对Ni₇₅Al_xV_25-x合金沉淀过程的影响：在相同浓度下,L1₂与DO₂₂结构的第一近邻原子间相互作用势随温度升高呈线性增加,两者呈正比的关系;但在同一温度下,L1₂（DO₂₂）结构的第一近邻原子间相互作用势随Al原子浓度的增加而增加（减少）.同时将反演得出的原子作用势代入微观相场模拟中,探讨中Al浓度合金沉淀序列与原子作用势的关系,即当L1₂的第一近邻原子间相互作用势大于（小于）DO₂₂时,L1₂（DO₂₂）优先析出;当L1₂和DO₂₂的第一近邻原子间相互作用势相等时,两者同时析出.特别地,当Al原子的浓度等于0.0589时,发现L1₂和DO₂₂同时析出.利用微观相场法反演原子间相互作用势,为判断中Al浓度合金的沉淀序列增加了可信度.     

跨音轴流压气机转子叶尖喷气扩稳机理分析

对跨音压气机Rotor35进行了多通道全三维定常/非定常叶顶喷气数值模拟。数值计算所获得实壁机匣总性能与试验结果符合良好。计算表明使用3.6%转子堵塞流量的叶顶喷气量可以获得21.4%的扩稳效果。定常计算结果显示叶顶喷气重点影响0.9叶展以上区域,使得该区域进气攻角和扩散因子减小,从而降低叶顶载荷,减小了由激波和泄漏涡相互作用形成的通道堵塞。非定常计算结果显示,叶尖喷气的扩稳效果来自两方面:一是对某一叶片叶顶的卸载作用;二是对激波/泄漏涡干扰形成的低能区重新注入轴向动量。后者对通道流通的改善作用大于前者。非常高的喷射频率使得叶顶喷气能够抑制每个通道中低速区的进一步增长,从而实现了对压气机的扩稳。     

第一堂物理课

从一个较广泛的认识心理角度,讨论分析了如何教好大学物理第一堂课。     

A novel low-swing interconnect optimization model with delay and bandwidth constraints

Interconnect power and repeater area are important in the interconnect optimization of nanometer scale integrated circuits.Based on the RLC interconnect delay model,by wire sizing,wire spacing and adopting low-swing interconnect technology,this paper proposed a power-area optimization model considering delay and bandwidth constraints simultaneously.The optimized model is verified based on 65-nm and 90-nm complementary metal-oxide semiconductor(CMOS) interconnect parameters.The verified results show that averages of 36% of interconnect power and 26% of repeater area can be saved under 65-nm CMOS process.The proposed model is especially suitable for the computer-aided design of nanometer scale systems-on-chip.     

自旋为1的三粒子Heisenberg XXX链中杂质对热纠缠的影响

采用纠缠的度量方法Negativity研究了匀强磁场下自旋为l的含杂质三粒子HeisellhergXXX链的热纠缠特性.通过计算系统的杂质位与其余部分间的两体纠缠N1-23及正常位与其余部分间的两体纠缠N12-3,发现纠缠存在的临界温度T.的改变来自杂质参数J1的变化,随杂质参数J1,的增加而增加,外界磁场B的存在会降低纠缠值,但并不会改变临界温度.可以通过调节杂质参数J1和外界磁场B来控制两体纠缠N1-23,和N12-3的大小.     

用于混沌时间序列预测的组合核函数最小二乘支持向量机

针对混沌时间序列的预测问题,考虑到单一核函数的最小二乘支持向量机无法明显提高预测精度,提出了一种组合核函数的最小二乘支持向量机预测模型,模型中采用多项式函数与径向基函数组合构建核函数.同时,还对遗传算法进行了改进,使之具有更快的收敛速度和更高的精度,改进的遗传算法适用于解决预测模型中的参数优化问题.通过典型的Lorenz时间序列、Mackey-Glass时间序列、太阳黑子数时间序列以及具有混沌特性的网络流量时间序列对该模型进行了验证.仿真结果表明所提出的模型是有效的.     

1．55μmInGaAsP及其相应量子阱结构的LP－MOCVD生长

本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓｐ体材料及ＩｎＧａＡＰ／ＩｎＰ量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓（ＴＭ６３）、三甲基铟（ＴＭｈ）和纯的砷烷（Ａ８Ｈ３）、磷烷（ＰＨ３）分别用作Ⅲ族和Ⅴ族源，在非故意掺杂情况下，ＩｎＧａＡｓＰ材料的载流子浓度为３．６×１０１５ｃｍ－３；在液氦温度和室温下，与ＩｎＰ晶格匹配的ＩｎＧａＡｓＰ光致发光半峰宽分别为１９．２ｍｅＶ和６３ｍｅＶ；对外延层的组分及厚度均匀性分别进行了转靶Ｘ光衍射仪，低温光致发光和扫描电子显微镜分析，对不同阱宽的量子阱结构材料测出了由于量子尺寸效应导致光致发光波长随阱宽增加而红移现象。