Al2O3/C复合微粒子散射强度分布的计算

利用A.L.Aden和M.Kerker复合微粒子Mie散射理论计算了Al2O3/C复合微粒子的散射强度分布函数,分析了影响散射强度分布的因素.     

水介质中Al_2O_3-C复合微粒子的光学截面及红外发射率光谱的计算

利用微粒子的 Mie散射理论 ,计算处于水介质中的 Al2 O3- C复合微粒子的光学截面及红外发射率光谱 ,并与以空气为介质的结论进行比较 .     

高分子介质中Al_2O_3微粒子的光学截面及散射强度分布的计算

本文利用 A.L.Aden和 M.Kerker微粒子 Mie散射理论计算了处于高分子介质中的Al2 O3微粒子的消光截面、散射截面以及散射强度分布函数 ,并和它们在空气介质中的结果进行了比较。     

金属类散射体的Mie散射特性研究

基于Mie散射理论研究发现,各种金属在中红外区的的散射行为极为相似,是一种反照率极高但散射效率极低的散射体,数值研究揭示了这类散射体系的光学截面以及散射强度的分布的内在联系.     

红外区金属氧化物反蛋白石光子晶体的安德森定域化研究

根据Mie散射理论,在低浓度近似下,对中红外区由金属氧化物构成的反蛋白石光子晶体的禁带的存在区域,即光子定域化区进行了研究。发现在浓度为10%,此类晶体在中红外区将出现多个光子禁带区域,并且计算了影响定域化区域的各种因素。由此可知利用材料在剩余射线带内折射率小于1的特性,我们可以制备出中红外区和远红外区存在禁带的光子晶体。这一结果为反蛋白石晶体的研究提供了理论方法。     

Au粒子在不同基质中Mie散射特性的研究

根据Mie散射理论,给出了金属粒子的散射、消光和吸收截面以及散射场强度的计算公式,并数值计算了在λ=r=1μm时,金属Au粒子在五种不同的基质中的散射截面和散射光强,结果表明基质折射率越大散射特性越强。     

不同半导体材料构成三维光子晶体带隙特性

应用平面波展开法研究Ⅳ、Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ和Ⅳ-Ⅵ族半导体材料构成三维光子晶体的带隙特性,通过数值模拟得到半径与晶格常数的最佳比值,计算得到不同材料对应的最大完全光子带隙,其中Ⅲ-Ⅴ族构成的三维光子晶体要普遍宽一些,Ⅳ中的Ge具有较大的完全带隙,研究结论为三维光子晶体的制作提供理论依据。     

基于Mie散射理论的铌酸锂晶粒散射特性

基于Mie散射理论,对铌酸锂晶粒光散射特性进行了理论分析与数值计算,得到了散射强度分布、偏振度与散射角、散射强度与粒子尺寸参数,以及光学截面与粒子半径的关系。研究表明:前向散射占优势,并随粒子半径的增大而增强;当粒子半径为0.1 μm 左右,散射截面和吸收截面达到最大值。     

基于平行金属双柱的太赫兹波二维左手材料

基于产生负介电常数的周期性金属线单元结构,利用平行金属双柱设计了具有双负通带的两种太赫兹波段二维左手材料。应用时域有限积分算法研究了二维左手材料的传输特性,仿真结果表明,在0.76THz附近,平行金属双柱的表面电荷振荡与反向平行电流引发了电磁谐振,出现良好的负折射效应。在0.75～0.78THz之间同时具有负等效磁导率和负等效介电常数,双负通带带宽约为0.03THz。进一步研究了金属双柱间距、长度及基板厚度等结构参数对双负通带带宽的影响。研究结果为太赫兹波段左手材料的设计和研制提供了参考。     

2-芳基丙硅烷的光化学反应机理

从理论及实验上研究了2-芳基丙硅烷(1)的光物理及光化学特性.结果表明,在极性溶液中观察到的强荧光带来源于分子内电荷转移(ICT);在非极性溶液中,化合物1的光化学反应产物为亚甲硅基并伴随着1,3-甲硅烷基的迁移;而在乙醇-己烷溶液中,光化学反应主要导致Si-Si键的裂解,通过研究光化学反应与温度的关系可确认,亚甲硅基与1,3-甲硅烷基的迁移来源于化合物1的不同电子激发态,非谐振双光子光化学反应(NRTP)结果表明,亚甲硅基迁移来源于化合物1的La电子态.