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121.
对多种实验室常用的基因工程宿主菌(大肠杆菌、酵母菌、农杆菌、枯草芽孢杆菌等)在不同质量浓度丁醇培养基中比生长速率进行比较,发现原核微生物耐受丁醇的极限质量浓度为16 g/L,其中革兰氏阳性细菌枯草芽孢杆菌的生长特性优于常见的革兰氏阴性细菌大肠杆菌和农杆菌;而真核微生物啤酒酵母在丁醇质量浓度为16 g/L时表现突出,相对比生长速率接近不加丁醇时的50%.鉴于枯草芽孢杆菌和啤酒酵母具有良好的丁醇耐受特性,在利用基因工程生产丁醇时,可以将它们作为基因工程的宿主菌,以解决一般宿主菌耐受丁醇质量浓度低的问题. 相似文献
122.
多文档文摘作为自然语言处理领域的重要技术之一,能从不同角度辅助用户实现高效的信息获取.由于文档集合内的内容往往来自不同的信息源,文本之间通常存在丰富而复杂的语义关系.常用的基于词的文档表示法,难以为文摘的语义分析过程提供充足而准确的数据信息.为此,我们提出使用维基百科——当今世界最大的在线概念语料库——为多文档文摘的提取提供语义支持.一方面,我们通过提取文档中的维基概念,生成准确一致的句子表示形式.另一方面,在计算句子特征时,我们利用维基词条的首段指导机器文摘的提取.我们首先通过计算概念在维基中的全局相关性和当前文档集内的局部相关性,获取概念的权重.然后在维基概念表示的基础上,为文档中的句子提取多种基于维基的特征,并最后用于文摘生成.在实验中,我们依次用各个维基特征独立生成文摘,并使用ROUGE(Recall-Oriented Understudy for Gisting Evaluation,面向召回率的要点评估)指标评价文摘质量.通过比较,实验验证了维基词条首段能较好的提升文摘质量. 相似文献
123.
采用微波吸收法,测量了在不同助熔剂条件及不同气氛下烧制的ZnS材料受到超短激光脉冲激发后的光电子衰减过程,并且测量了材料的热释光曲线。样品A采用过量的SrCl作为助熔剂,在1150℃下灼烧制备而成;其热释光曲线显示材料中有浅电子陷阱,电子陷阱密度小,光生电子衰减过程为双指数衰减过程,快过程寿命为45ns,慢过程寿命为312ns。样品B中加入了少量的NaCl作为助熔剂;热释光曲线显示有浅电子陷阱和深电子陷阱,且都有较高的密度,其光电子寿命为1615ns。在NH4Br气氛中烧制样品C,热释光谱显示只有浅电子陷阱形成,光电子寿命为1413ns。结果表明材料的光电子寿命和浅电子陷阱密切相关,浅电子陷阱密度越大,光生电子寿命越长,深电子陷阱对光生电子瞬态过程影响很小。 相似文献
124.
为了探究钢包底吹工艺对混匀时间及液位波动的综合影响,以某厂30吨钢包为原型,采用水模实验方法考察底吹气流量及底吹位置对钢包混匀时间、液位波动的影响规律。实验结果表明,随着底吹气孔到中心距离的增加,混匀时间先缩短后增加,混匀时间最短的位置是0.6r,400 L/min时的混匀时间仅为65 s。混匀时间随吹气量的增加而缩短。底吹位置距离钢包壁越近,液位波动越剧烈,对钢包壁的侵蚀越大,底吹位置为0.2r时,对电极的侵蚀较大。随着底吹流量的增加,三个测量点的波动方差均呈增大趋势,其中在近端及电极位置,波高方差从100 L/min到200 L/min的增长速率更快,远端位置增长速率比较稳定。综合考虑底吹工艺对混匀时间及液位波动的影响,得出底吹孔位置在0.6r、气量为200 L/min时为最佳工艺条件。 相似文献
125.
一类连续小波的构造及其性质 总被引:3,自引:2,他引:1
小波分析是国际上新兴的一个前沿研究课题,已成为众多学科共同关注的热点.小波函数的构造问题是小波理论分析与应用研究的基础.文章提出了一类连续性小波函数的构造方法,同时证明了其满足允许条件,并利用该方法构造出了几个小波函数,同时利用MATLAB程序绘出了相应的小波函数及其Fourier变换(频谱)图. 相似文献
126.
细胞色素P450的电化学研究从一个侧面反映了为使细胞色素P450达到工业催化剂的最终目的人们所作的不懈努力。本文从细胞色素P450在电极上的电子转移研究,隧道扫描显微镜的微观成像研究和使用电极作为细胞色素P450的电子给体从而实现细胞色素P450底物转化三方面,评述了近年来细胞色素P450的电化学研究进展。 相似文献
127.
128.
采用约束刻蚀剂层技术, 以亚硝酸钠为先驱物, 通过电化学氧化产生刻蚀剂(硝酸)刻蚀铝, 并以NaOH为捕捉剂, 在电极模板上形成约束刻蚀剂层. 在金属铝表面加工出梯型槽微结构, 加工分辨率约为500 nm. 通过测量表面氢离子浓度, 对捕捉剂的约束效果进行了分析. 相似文献
129.
西北太平洋柔鱼资源丰度时空分布的GAM模型分析 总被引:7,自引:0,他引:7
根据1996~2001年我国在西北太平洋海域柔鱼生产统计及相关数据,利用GAM模型分析了表温、月份、经纬度等因子对柔鱼资源丰度CPUE的影响.研究认为,经纬度、月份和表温对CPUE时空分布都有较大的影响.160°E以西海域CPUE高,而165°E以东海域低,并主要集中在40°N~43°N海域.8~10月CPUE为最大.不同海域柔鱼分布的适宜表温不相同,150°E以西海域为13~18℃,150°E~165°E海域为14~18℃,165°E~180°E海域为11~14℃. 相似文献
130.
碳化硅功率MOSFET是宽禁带功率半导体器件的典型代表,具有优异的电气性能。基于低温环境下的应用需求,研究了1200 V碳化硅功率MOSFET在77.7 K至300 K温区的静/动态特性,定性分析了温度对碳化硅功率MOSFET性能的影响。实验结果显示,温度从300 K降低至77.7 K时,阈值电压上升177.24%,漏-源极击穿电压降低32.99%,栅极泄漏电流降低82.51%,导通电阻升高1142.28%,零栅压漏电流降低89.84%(300 K至125 K)。双脉冲测试显示,开通时间增大8.59%,关断时间降低16.86%,开关损耗增加48%。分析发现,碳化硅功率MOSFET较高的界面态密度和较差的沟道迁移率,是导致其在低温下性能劣化的主要原因。 相似文献