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141.
碳化硅功率MOSFET是宽禁带功率半导体器件的典型代表,具有优异的电气性能。基于低温环境下的应用需求,研究了1200 V碳化硅功率MOSFET在77.7 K至300 K温区的静/动态特性,定性分析了温度对碳化硅功率MOSFET性能的影响。实验结果显示,温度从300 K降低至77.7 K时,阈值电压上升177.24%,漏-源极击穿电压降低32.99%,栅极泄漏电流降低82.51%,导通电阻升高1142.28%,零栅压漏电流降低89.84%(300 K至125 K)。双脉冲测试显示,开通时间增大8.59%,关断时间降低16.86%,开关损耗增加48%。分析发现,碳化硅功率MOSFET较高的界面态密度和较差的沟道迁移率,是导致其在低温下性能劣化的主要原因。 相似文献
142.
L-B膜内银超微粒子的电化学制备及表征 总被引:1,自引:0,他引:1
在8~14层硬脂酸银L-B膜内,用电化学还原法制备了纳米尺度的银超微粒子,实验表明,银超微粒子的形成是观察多层L-B膜高分辨STM图象的必要条件,利用STM技术不仅观察到8层L-B膜的六方排列的硬脂酸脂链结构,还直接观察到2~3nm直径的球形银超微粒子结构;首次报道L-B膜亲水层原子尺度的网状STM图象,该图象显示了脂链六方的(2×1)结构,是羧基之间由氢键自组织的结果;银超微粒子有很强的表面增强Raman散射效应,由此测得了两层L-B膜在1100~1200cm ~1范围的Raman光谱,为从分子水平认识两层L-B膜的有序性提供了实验基础。 相似文献
143.
CO和SCN~-在高分散Pt及Pd表面异常红外光学行为的电化学现场FTIR反射光谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在玻碳基底上沉积Pt和Pd,在以CO和SCN-为探针分子的电化学现场FTIR反射光谱研究中,首次观察到异常红外光学行为,其中包括吸附物种的谱带方向倒反以及谱峰强度显著增强等. 相似文献
144.
145.
水溶液中噻吩的电化学聚合成膜 总被引:1,自引:1,他引:1
本文研究水溶液中噻吩的电化学聚合。高酸度水溶液中噻吩先经历化学低聚反应,低聚合物可在较负的电位阳极氧化成膜。 相似文献
146.
147.
148.
采用N,N-二甲基甲酰胺提取样品中的待测物,建立了化妆品中禁、限用着色剂罗丹明B、颜料红57和金光红c的高效液相色谱检测方法。以XDB-C18柱为分析柱,5mmol/L四丁基氢氧化铵-氢氧化钾水溶液(磷酸调至pH7.00)和甲醇为流动相,梯度洗脱。550am(罗丹明B)和480nm(颜料红57和金光红C)为检测波长,柱温30℃,流速1.0mL/min,保留时间定性,外标法定量。结果表明在0.25-20mg/L(罗丹明B和金光红C)、0.5-40mg/L(颜料红57)浓度范围内线性关系良好,检出限分别为5,20,20mg/kg(S/N=10),实际样品中的加标回收率分别为94.8%~100.5%,95.1%~103.1%,82.5%-90.5%,相对标准偏差为0.9%~4.6%。该方法前处理简单、易操作,检测结果准确可靠。能够满足化妆品中这3种着色剂的检测要求和监管需要。 相似文献
149.
用甲醇将化妆品样品超声提取15min,离心、过滤,以XDB-C18分析枉分离分析,二级管阵列检测器检测,结合保留时间和光谱定性分析,采用高效液相色谱法测定化妆品中的邻苯二甲酸酯,外标法定量。邻苯二甲酸酯邻苯二甲酸丁基苄基酯(BBP)、邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、邻苯二甲酸二(2-乙基已)酯(DEHP)在0.5-10.0mg/L浓度范围内均有良好的线性关系,相关系数r〉0.9998。BBP,DBP,DEHP在1.000,2.000mg/L添加水平的回收率为92%-105%,相对标准偏差(RSD)小于4%0=6),检出限分别为14,12,6mg/kg。该方法适用于化妆品中BBP,DBP和DEHP含量的检测。 相似文献
150.