金属Bi的卸载熔化实验研究

在火炮上利用金属铋(Bi)直接撞击单晶LiF窗口, 开展了金属Bi反向碰撞的冲击加载-卸载实验研究, 实验采用激光位移干涉测试系统, 获得了金属Bi在11—16 GPa压力范围内完整的卸载粒子速度剖面. 实验结果结合特征线方法计算表明, 金属Bi经冲击加载进入体心立方相, 并在11—16 GPa冲击压力作用下发生了卸载熔化, 界面粒子速度剖面的卸载拐点, 对应着金属Bi经冲击加载后发生的卸载熔化, 而这一结论同Cox的理论计算及一维流体力学程序计算结果基本一致. 本文报道的金属Bi卸载波剖面解读技术, 对于认识冲击加载下其他相似材料相变具有实用价值.     

SF-10深海复合棒振子的设计及其布阵应用

本文介绍采用“外预应力筒”结构代替“中心预应力螺杆”结构的复合棒振子设计;从而得到一种无障板、无去耦材料、自身形成单向辐射指向性、水密性能良好的深水复合棒振子。能灵活方便地应用于水面或深水声阵中。
最后用此振子设计了一个无障板的圆环形深海发射阵,并给出了实验数据。     

Quantum Scars in Microwave Dielec trie Photonic Graphene Billiards

Brillouin zone.The closed graphene system has proven to be the ideal model to investigate relativistic quantum chaos phenomena.The electromagnetic material photonic graphene(PG)and electronic graphene not only have the same structural symmetry,but also have the similar band structure.Thus,we consider a stadium shaped resonant cavity filled with PG to demonstrate the relativistic quantum chaos phenomenon by numerical simulation.It is interesting that the relativistic quantum scars not only are identified in the PG cavities,but also appear and disappear repeatedly.The wave vector difference between repetitive scars on the same orbit is analyzed and confirmed to follow the quantization rule.The exploration will not only demonstrate a visual simulation of relativistic quantum scars but also propose a physical system for observing valley-dependent relativistic quantum scars,which is helpful for further understanding of quantum chaos.     

关于复合材料方板对称性的讨论

采用有限元方法研究复合材料板的面外弯曲,振动及对冲击载荷的动力反应时,经常使用四边简支或四边固定的方板为例,来比较不同有限元方法的精度。为了节省计算工作量,Reddy在计算均布荷载下的复合材料方板(铺 ...     

SF-10深海复合棒振子的设计及其布阵应用

由于主动声呐系统中低频大功率发 射声阵的需要,具有单向辐射能力的复合棒振子,已被广泛应用于大型声阵中作为布阵振子.     

一类参数不确定统一混沌系统的脉冲滞后同步

针对一类具有传输信道时间延迟且参数不确定的统一混沌系统，提出了一种脉冲控制同步方法.该方法将两个非自治混沌系统之间脉冲同步的实用稳定性问题转化为同步误差系统在原点的实用稳定性问题，基于脉冲微分方程的相关理论，给出了同步误差系统在原点的实用稳定判据，仿真结果验证了方法的有效性. 关键词： 统一混沌系统 混沌同步 脉冲控制 实用稳定性     

High-mobility germanium p-MOSFETs by using HCl and(NH_4)_2S surface passivation

To achieve a high-quality high-κ/Ge interfaces for high hole mobility Ge p-MOSFET applications,a simple chemical cleaning and surface passivation scheme is introduced,and Ge p-MOSFETs with effective channel hole mobility up to665 cm2/V·s are demonstrated on a Ge(111) substrate.Moreover,a physical model is proposed to explain the dipole layer formation at the metal–oxide–semiconductor(MOS) interface by analyzing the electrical characteristics of HCl- and(NH4)2S-passivated samples.     

Origin 8.5在亥姆赫兹线圈磁场测量实验数据处理中的应用

与传统的人工处理实验数据相比,Origin8.5软件处理实验数据具有方便快捷、直观、精度高等特点。文中通过使用Origin8.5软件处理亥姆赫兹线圈测磁场实验的数据,详细介绍了二维绘图、三维绘图以及非线性曲线拟合的过程,结果表明使用Origin8.5软件处理实验数据能有效的减少人工处理带来的误差。     

自由微观粒子相对论

给出自由微观粒子的时空变换理论和自由微观粒子的相对论能量表示.