THE ISOMETRIC EXTENSION OF AN INTO MAPPING FROM THE UNIT SPHERE S[e（Γ）] TO THE UNIT SPHERE S（E）

This is such a article to consider an ＂into＂ isometric mapping between two unit spheres of two infinite dimensional spaces of different types. In this article, we find a useful condition （using the Krein-Milman property） under which an into-isometric mapping from the unit sphere of e（Γ） to the unit sphere of a normed space E can be linearly isometric extended.     

混合序列部分和的若干收敛性质

本文研究了混合序列部分和的若干收敛性质.利用Serfling不等式推广情形,证明了一类随机变量序列部分和的一个收敛性结果,获得了混合序列部分和的收敛性,并进一步得到了混合序列加权和的强收敛性和完全收敛性,推广并改进了文[2]中有关结果.     

The Isometry and Almost Isometry in B(m(N)→m(Ω))

In(1),(2),we have introduced the approximation problem of almost isometry     

关于合成矩阵的几个性质

利用合成矩阵的概念和翻转矩阵的技巧,结合矩阵的次转置、次自共轭,中心对称等相关情况给出合成矩阵的几个性质,并获得关于n阶翻转矩阵的第n-1个合成矩阵的表达式.     

三阶拟线性全双曲方程及其上下解序列

本文运用微分不等式定理,定义了三阶拟线性全双曲方程特征问题的上下解,构造了收敛于特征问题解的一对上、下解单调序列,提供了寻求近似解的一种可行方法。     

The 1-Lipschitz mapping between the unit spheres of two Hilbert spaces can be extended to a real linear isometry of the whole space

LetE andF be Hilbert spaces with unit spheresS ₁(E) andS ₁(F). Suppose thatV ₀ S₁(E) →S ₁(F) is a Lipschitz mapping with Lipschitz constantk=1 such that −V ₀[S ₁(E)] ⊂V ₀[S ₁(E)]. Then V₀ can be extended to a real linear isometric mappingV fromE intoF. In particular, every isometric mapping fromS ₁(E) ontoS ₁(F) can be extended to a real linear isometric mapping fromE ontoF.     

空间l p(G ) (p>1)的单位球面间等距算子的延拓

首先得到l ^p(G ) (p>1, p≠2)单位球面之间(满)等距算子的表现定理, 然后利用作者过去一个结果导出: 上述算子均可延拓为全空间上的(实)线性等距算子.     

假设检验中p值的灵活运用

给出假设检验中p值的定义以及双边检验p值与单边检验p值的关系,介绍了利用p值将三种检验同时进行的方法及意义,最后给出应用实例.     

n-Hg_(0.80)Mg_(0.20)Te界面积累层中二维电子气的输运特性研究

通过变磁场霍耳测量研究了MBE生长的Hg0 .80 Mg0 .2 0 Te薄膜在 1 5— 2 5 0K温度范围内的输运特性 .采用迁移率谱 (MS)和多载流子拟合过程 (MCF)相结合的方法对实验数据进行了分析 ,由该方法获得的结果和ShubnikovdeHass(SdH)振荡测量的结果都证明材料中存在二维 (2D)电子和三维 (3D)电子 .其中 2D电子主要来自于Hg1-xMgxTe CdTe的界面积累层或Hg1-xMgxTe与真空界面附近的积累层 .3D电子迁移率随温度的变化关系表明了Hg1-xMgxTe中的电子散射机理与Hg1-xCdxTe中的非常相似 :在低温下电离杂质散射 (考虑了屏蔽效应 )起主导地位 ,而温度在 10 0K以上时 ,晶格散射占主导地位 .     

赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的零磁场自旋分裂

在赝形渐变InGaAs/In_0.52Al_0.48As异质结的二维电子气中,发现了自旋方向向上的电子和自旋向下的电子在零磁场下存在着自旋分裂.利用Shubnikov-de Haas振荡研究了异质结中的自旋分裂行为,通过振荡中的拍频现象,发现了零磁场下的自旋分裂量为8.76meV. 关键词：