射频磁控溅射ZnO薄膜的结构和光学特性

采用射频（RF）反应磁控溅射法在n-Si(001)衬底上外延生长ZnO薄膜。XRD谱测量显示出较强的（002）衍射峰，表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的。室温PL谱测量观察到了较强的紫外光发射和深能级发射。     

Comparative Study of Properties of ZnO／GaN／Al203 and ZnO／Al203 Films Grown by Low－Pressure Metal Organic Chemical Vapour Deposition

ZnO films were deposited by low-pressure metal organic chemical vapour deposition on epi-GaN/Al203 films and c-Al203 substrates. The structure and optical properties of the ZnO/GaN/Al203 and ZnO/Al203 films have been investigated to determine the differences between the two substrates. ZnO films on GaN/Al203 show very strong emission features associated with exciton transitions, just as ZnO films on Al2O3, while the crystalline structural qualities for ZnO films on GaN/Al2O3 are much better than those for ZnO films directly grown on Al203 substrates. Zn and O elements in the deposited ZnO/GaN/Al2O3 and ZnO/Al2O3 films are investigated and compared by x-ray photoelectron spectroscopy. According to the statistical results, the Zn/O ratio changes from Zn-rich for ZnO/Al2O3 films to O-rich for ZnO/GaN/Al2O3 films.     

关于洪水预报模型的不确定性分析

本文对洪水预报模型的不确定性分析的来源做了具体分析,同时对不确定性分析的方法也做了详细的阐述,并对具体步骤进行了说明,通过以上的分析和方法,综合考虑各种不确定性对洪水预报的影响,可以在一定程度上减少预报误差,提高洪水预报精度。     

Influences of Annealing on the Opto—electronic Properties of ZnO Films Grown by Plasma—Enhanced MOCVD

ZnO thin films have been grown on C-plane sapphire substrates by plasma-enhanced metal-organic chemical vapour deposition.The samples are then annealed at a higher temperature.The resistivity,concentration of electron,mobility and optically pumped threshold of both as-grown and annealed films are investigated.Furthermore,their structural and optical properties are also examined with x-ray diffraction,emission spectra and optical transmission spectra.The results indicate that the quality of ZnO thin films can be improved by annealing.     

Cu掺杂ZnO纳米材料的制备及表征

利用CuO作为前驱体对ZnO进行了Cu掺杂研究,分别在不同温度下获得了ZnO纳米带及有纳米带构成的微米花状结构,对其生长机理进行了分析。并且以Cu片为衬底获得了ZnO的纳米梳以及有纳米梳构成的多层结构ZnO。XRD表明产物中只有ZnO单质相的存在,EDS证明产物中存在Cu元素。ZnO室温下的PL谱表明其UV与深能级发射强度比随Cu掺杂量的增加而变大,说明Cu的掺杂能够降低ZnO的缺陷峰强度。     

等离子体增强MOCVD法生长ZnO薄膜

利用等离子体增强MOCVD法生长出 ZnO薄膜，用X射线衍射谱观察到位于 2θ34．56°处（0002）的衍射峰，表明ZnO沿c方向呈柱状生长．通过荧光光谱，观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射（375um）．紫外发射光强度与深能级复合发射光强度比高达 193，显示出材料的高质量，并通过原子力显微镜加以验证．为了实现高阻ZnO薄膜，利用高温富氧分段退火和用N2 气进行掺氮两种方法生长高阻ZnO薄膜．结果表明，电阻率由0．65 Ω·cm分别升高到1100 Ω·cm（分段退火）和5×104Ω·cm（掺氮）．进一步比较发现，掺氮的样品不仅电阻率高，而且光荧光特性好，显示出更高的薄膜质量．     

电化学沉积法制备ZnO纳米柱及自驱动紫外探测性能研究

采用提拉法在ITO衬底上制备种子层,并使用电化学沉积制备高度取向的氧化锌纳米棒,研究了不同提拉次数下籽晶层厚度与电化学沉积电位对氧化锌纳米棒形貌的影响。在此基础上,制备了自驱动型紫外探测器并测试了其光响应谱。结果表明,该探测器可以对部分紫外波段(300~400 nm)有选择性地光响应,峰值响应度为0.012 A/W。     

JD病毒基因组片段的克隆和序列分析

扩增并克隆了ＪＤ病毒的ｇａｇ 基因片段（位于３００ｎｔ～５６４ｎｔ,编码基质蛋白ＭＡ）和ｐｏｌ基因片段（位于３４６７ｎｔ～３６９１ｎｔ,编码反转录酶ＲＴ）,测定其序列并同ＢＩＶ、ＢＦＶ 和ＢＬＶ 的相应基因进行比较．所建立的方法能够特异性扩增ＪＤＶ序列,适用于ＪＤＶ的检测     

基于干扰观测补偿的滑模控制器的设计

针对一类具有未知干扰的输入系统,讨论了一种含有干扰观测补偿的滑模变结构控制设计问题,并采用趋近律的滑模设计方法优化控制律参数,有效地削弱了系统抖振现象,以满足控制系统的鲁棒性和趋近运动动态品质的要求,同时也能改善系统的稳态性能.仿真研究结果表明了该方法的有效性.