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高灵敏度APS CMOS图像传感器光谱探测技术研究 总被引:1,自引:1,他引:0
主动像元型(APS)互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的成像性能已经接近电荷耦合器件(CCD)的成像性能,在光谱成像领域有很好的应用前景。讨论了CMOS器件用于光谱探测的若干问题,建立了光谱成像系统的噪声模型并进行了实际噪声测试,分析了基于CMOS探测器的成像光谱仪的灵敏度水平;结合CMOS器件的结构和特性给出了图像的校正方法。搭建了包括光学、电子学的完整光谱成像系统,进行了光谱成像试验,验证了灵敏度分析和光谱校正方法。结果表明,CMOS探测器可以满足高光谱成像的灵敏度要求,可用于高光谱探测。 相似文献
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非线性Schrdinger方程的包络波形式解 总被引:8,自引:7,他引:1
提出一种求解非线性Schroedinger方程包络波形式解的新方法。即利用齐次平衡原则及F-展开法的思想求出其包络波形式解,从而可得方程含有参数的一些精确解。该方法也为求解类似的方程提供了借鉴。 相似文献
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该文首先推广了新近提出的F -展开法,利用该方法导出了变系数KdV和mKdV方程 的类椭圆函数解;并在极限的情况下,得到变系数KdV和 mKdV方程变波速和变波长的类孤子解以及其他形式解. 相似文献
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利用行波约化方法,对Davey—Stewartson I方程进行行波约化,然后利用齐次衡原则并借助于Riccati方程,求出了Davey—Stewartson I方程的精确解。 相似文献
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热等静压对等离子喷涂成形制备钼制品的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
先采用球磨加喷雾干燥制备喷涂钼粉,然后通过等离子喷涂制备预设厚度的钼沉积层,再对其进行热等静压处理制备钼制品。使用阿基米德法测量钼沉积层和钼制品的相对密度,用显微硬度计测量它们的维氏硬度,用万能材料试验机测试它们的拉伸强度,用扫描电镜观察它们的外表面、截面和断口微观形貌。研究结果表明:采用等离子喷涂技术能制备致密度达89.7%、拉伸强度达44 MPa、显微硬度(HV)约152、厚度达5 mm的钼沉积层。钼沉积层经过低压热等静压处理后,其显微结构得到改善,相对密度达92%,力学性能提高(拉伸强度达到54 MPa,显微硬度(HV)约246);经二次高压热等静压处理后,钼沉积层的层状结构特征完全消失,颗粒结合紧密,出现等轴晶粒,伴随晶粒长大,断口出现穿晶解理断裂,相对密度达到97.3%,拉伸强度提高到110 MPa,显微硬度(HV)达到321。 相似文献
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组合KdV-Burgers方程的一种解法 总被引:6,自引:18,他引:6
利用齐次平衡原则及F-展开法,求出了组合KdV—Burgers方程,组合KdV方程(Gardner研方程),mKdV-Burgers方程和mKdV方程的一些新的精确解。 相似文献
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根据绿洲地区农业节水灌溉的要求 ,建立了使用于该地区的优化灌溉模型 ,求出了优化灌溉时间和最优灌溉量 ,为农业水资源优化利用提供决策依据。根据模型可认为 ,灌水周期随灌溉运作费增大而增大 ,随作物的耗水和土壤水无效损失增大而缩短。最后结合应用实例分析 ,得出了作物在不同生长阶段 ,优化灌水周期和优化灌水量不同的结论 相似文献
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设方程的系数满足线性相关条件 ,用齐次平衡原则导出了一般变系数KdV方程的自—Backlund变换(BT)。利用BT获得了变系数KdV方程的变速孤立波解 ,方程的系数不改变孤立波的波形 ,但是直接改变孤立波的传播速度 ,对于孤立波的振幅影响是增大或减小常数倍 ,该常数正是方程的变系数之间的一比例常数。 相似文献