低As压退火对GaAs(001)表面形貌与重构的影响

在低As压条件下退火处理原子级平坦的GaAs(001) βup 2(2×4)重构表面. 利用扫描隧道显微镜对表面进行研究, 发现随着低As压退火时间的延长, 表面形貌与表面重构的演变同步进行. 表面形貌经历了从有序平坦转变为无序平坦, 然后逐渐恢复到有序平坦状态的过程. 表面重构则由βup 2(2×4)重构逐渐转变为(2×6)重构, 然后再转变为锯齿状的(2×6)重构, 并且表面形貌与表面重构的演变存在一定的相互关系.     

压缩映象原理和隐函数存在定理

<正> 不动点是现代数学的一个十分活跃的研究课题,压缩映象原理是最简单的不动点定理,然而遗憾的是在现行高数学教程甚至于数学分析教程中毫无介绍,不能不说这在理论、方法和计算上都是缺欠。如果能像文[1]那样介绍最好,像文[2]那样介绍也不无收获。总之,如     

基于建构主义的市场营销实踐教学研究

实践教学的教学理念是希望学生通过有引导的实践，推动学生的自主学习。建构主义提倡在教师指导下，以学习者为中心的学习，非常符合实践教学的教学理念。本文以市场营销专业的实践教学为例，分析了市场营销专业实践教学存在的问题，并提出了基于建构主义的市场营销专业实践教学体系建构思路。     

浅议高等数学中CAI的应用

结合高等数学教学实践，探讨CAI运用于高等数学教学突出教学重点，攻克教学难点提高了课堂教学效率等优越性以及师生互动减少、不利于学生逻辑推理能力、抽象思维能力的培养等缺陷，并提出相应的对策和建议。     

In原子在GaAs(001)表面的成核与扩散研究

近年来,半导体量子点特别是InAs量子点的基本物理性质和潜在应用得到了广泛研究。许多研究者利用InAs量子点结构的改变以调制其光电特性。本文采用液滴外延法在GaAs(001)表面沉积了不同沉积量的In(3 ML、4 ML、5 ML),以研究In的成核机制和表面扩散。实验发现,随着In沉积量的增加,液滴尺寸(包括直径、高度)明显增大。不仅如此,在相同的衬底温度下,沉积量越大,液滴密度越大。利用经典成核理论,计算了GaAs(001)表面In液滴形成的临界厚度为0.57 ML,计算的结果与已报道的实验一致。从In原子在表面的迁移和扩散,以及衬底中Ga和液滴中的In之间的原子互混原理解释了In液滴形成和形貌演化的机理。实验中得到的In液滴临界厚度以及In液滴在GaAs(001)上成核机理,可以为制备InAs量子点提供实验指导。     

爱因斯坦和玻尔的科学创新方法论原则

本文在深入研究、比较爱因斯坦和玻尔科学创新方法及其特点的基础上,揭示了科学创新活动应当遵循的方法论原则,即哲学思想渗透原则、逻辑思维与非逻辑思维相结合原则和思想实验与物质实验相结合原则。     

掺杂金微粒Na_2O-B_2O_3-SiO_2系统玻璃的溶胶-凝胶方法制备及其光学性质的表征

采用正硅酸乙酯，硼酸，乙醇钠为先驱体，乙醇，乙二醇甲醚和乙醇为先驱体溶剂，并采用氯化金的水溶液为掺杂金微粒的先驱体，通过热处理使氯化金分解出金原子而使其长出金微粒，达到制备掺杂金微粒玻璃的目的。在钠硼硅系统干胶的制备过程中，详细地研究了氯化金的引入量等对大块干胶性质的影响，并确定了引入氯化金的适宜浓度。详细研究了干胶向玻璃转变的制备工艺，并成功地制备了掺杂金微粒的大块玻璃。采用X-射线衍射仪进行掺杂金微粒干胶和玻璃的桥晶与否分析，用紫外-可见吸收光谱研究了它们的光学性质。用透射电镜表征了金微粒在玻璃基质中的颗粒大小及分布，采用Z－Scan装置表征了此种玻璃的三阶非线性光学性质，得到折射率n2＝8．22×10－12esu。     

空间坐标转换程序设计与实现

空间坐标的转换有利于多坐标系统下的数据统一,各个用户之间的数据共享,是测绘过程中经常遇到的实际问题。基于泛在测绘对测绘仪器和工具去专业化的必然要求,该文通过VB语言编写了界面简洁、操作方便、功能全面的坐标转换软件,并通过实例数据验证软件可靠性,评定了转换精度。该坐标转换工具克服了算法复杂、操作繁琐、功能单一等缺陷,精度满足大多数工程应用中的坐标转换需求,可提供便捷、全面、可靠的服务。     

一类广义集值混合隐似变分不等式的迭代算法

在Banach空间中,运用辅助变分原理技巧,研究了一类广义集值混合隐似变分不等式的迭代算法,并且在局部松弛Lipschitz连续的条件下,证明了该迭代序列的强收敛性定理.     

Ripening of single-layer InGaAs islands on GaAs（001）

The present paper discusses our investigation of InGaAs surface morphology annealed for different lengths of time.After annealing for 15 min,the ripening of InGaAs islands is completed.The real space scanning tunneling microscopy(STM) images show the evolution of InGaAs surface morphology.A half-terrace diffusion theoretical model based on thermodynamic theory is proposed to estimate the annealing time for obtaining flat morphology.The annealing time calculated by the proposed theory is in agreement with the experimental results.