Large inverse and normal magnetocaloric effects in HoBi compound with nonhysteretic first-order phase transition

HoBi single crystal and polycrystalline compounds with NaCl-type structure are successfully obtained, and their magnetic and magnetocaloric properties are studied in detail. With temperature increasing, HoBi compound undergoes two magnetic transitions at 3.7 K and 6 K, respectively. The transition temperature at 6 K is recognized as an antiferromagnetic-to-paramagnetic (AFM-PM) transition, which belongs to the first-order magnetic phase transition (FOMT). It is interesting that the HoBi compound with FOMT exhibits good thermal and magnetic reversibility. Furthermore, a large inverse and normal magnetocaloric effect (MCE) is found in HoBi single crystal in the $H|| [100]$ direction, and the positive $\Delta S_{\rm M}$ peak reaches 13.1 J/kg$\cdot$K under a low field change of 2 T and the negative $\Delta S_{\rm M}$ peak arrives at $-18 $ J/kg$\cdot$K under a field change of 5 T. These excellent properties are expected to be applied to some magnetic refrigerators with special designs and functions.     

微分吸收法测量二极管电压

给出了微分吸收法测量二极管电压的基本原理和实验结果。利用MCNP程序对轫致辐射-衰减-探测器系统建模,模拟得到了输出剂量与二极管工作电压关系拟合曲线。建立了微分吸收法测量二极管电压测量系统,通过在探测器前端放置不同厚度的吸收片,得到了衰减程度不同的波形。结合理论计算的拟合曲线和实验波形,利用迭代法计算得到了晨光号加速器二极管电压,电压峰值为0.58 MV。和传统方法所测得二极管工作电压进行了比较,结果较为一致。     

光子晶体光纤中的参变放大与拉曼散射

光子晶体光纤(PFC)有着传统光纤无法比拟的优良特性,特别是具有极好的非线性效应和双折射效应;当输入抽运波偏振方向同双折射轴成45°时,通过引入拉曼增益的洛伦兹模型,研究了光子晶体光纤中在参变放大和拉曼散射共同作用下的增益谱特性.结果表明,由于参变放大和拉曼散射的相互作用,输入功率和群速度失配对光子晶体光纤的增益有重要...     

一种基于~4He气闪烁体的裂变中子探测器

研制了一种新中子探测器,它以²³⁵UO₂裂变靶作为转换靶,⁴He气体作为闪烁体.该探测器充分结合了²³⁵U和⁴He两种核素的特点,从而具有中子能量响应平坦、中子灵敏度较高、n/γ分辨本领高等优点,能很好地在混合脉冲裂变辐射场中测量中子.本文对探测器的原理和结构设计进行了介绍,计算了不同能量中子、γ射线在探测器中的能量沉积,并从理论和实验上对探测器的中子灵敏度、γ射线灵敏度、n/γ分辨本领和时间响应进行了研究.结果表明探测器的中子灵敏度约10^-15C·cm²,γ灵敏度约10^-17C·cm²,时间响应约33.1 ns.     

X-pinch负载分流关系研究

研究了X-pinch和回流柱之间的分流关系,以及两个X-pinch之间的分流关系。在X-pinch和回流柱的分流实验中,X-pinch上的电流与回流柱上的电流大体相等,这表明电流分布不只与X-pinch或回流柱的特性有关,而且也与它们所在回路的其他部分有关。在两个X-pinch之间的分流实验中,X-pinch上的电流与X-pinch本身的材料和直径几乎无关,这确认了电流分布与回路中X-pinch之外的部分有关。离绝缘柱远的X-pinch上的电流总是比离绝缘柱近的X-pinch上的电流略大一些,这是并联回路之间的互感造成的。     

实验物理学家基科因

前苏联科学院院士伊萨克·康斯坦丁诺维奇·基科因(И．К．Кикоин)是前苏联著名实验物理学家。他1908年3月28日出生于立陶宛日阿加列市。1925年进入列宁格勒工学院物理-力学系学习,1930年毕业。     

MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究

对本实验室用ＭＯＣＶＤ方法生长的未故意掺杂的ＧａＮ单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究。结果表明,室温时ＧａＮ的Ｘ射线双晶衍射半高宽与其补偿度有较强的依赖关系。高补偿的ＧａＮ的Ｘ射线双晶衍射半高宽较宽。低补偿的ＧａＮ的Ｘ射线双晶衍射半高宽较窄。     

200GeV/u的~(238)U+~(238)U核碰撞产生的双轻子谱(M≤4GeV/c~2)的计算

在夸克味动力学的计算中,除包含ｕ、ｄ、ｓ夸克及其反夸克外,还涉及粲夸克及其反夸克（ｃｃ）,采用包含夸克味动力学效应的相对论性流体力学模型,计算了碰撞能量为２００ＧｅＶ／ｕ的２３８Ｕ＋２３８Ｕ核碰撞时形成的膨胀ＱＧＰ及其在相变过程中发射的双轻子谱,轻子对的质量范围Ｍ≤４ＧｅＶ／ｃ２．计算结果与ＣＥＲＮＳＰＳ的实验测量数据进行了定性的比较和分析,得到初步的结论：由于夸克碎块和味动力学效应,Ｊ／ψ→μ＋＋μ－峰值被降低,导致低质量区（阈至１．３５ＧｅＶ／ｃ２）谱的提高．     

轴对称介质中光子的运动及其受激发射

采用光学度规模型，研究了光子在轴以称介质中的运动轨道，分析了光子在不稳定轨道附近的行为，进而讨论了经在激活介质中的受激发射。     

半导体材料晶片加工应力控制研究

晶片在加工过程中要经过滚磨、切割、倒角等工序才能实现由单晶锭到单晶片的过程，并保持一定的直径和获得参考面。这一系列的机械加工过程中会对单晶造成不同程度的损伤，改变单晶内部应力。通过对单晶滚磨、切割、倒角等加工过程的研究，定性分析了单晶应力产生的原因，通过调整关键工艺参数，使晶片应力得到有效的控制。