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王礼祥 《西南民族学院学报(自然科学版)》2014,(4):598-602
用球函数加法公式的坐标变换法与电势叠加原理导出了双环静电问题的电势解;继而由带电体系的互能与虚功原理给出了带电双环的相互作用力表达式并作了特殊讨论. 相似文献
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王礼祥 《西南民族学院学报(自然科学版)》2008,34(2):337-340
本文由三介质点电荷静电问题的电势付里叶-贝塞耳积分解出发。采用极限过渡法导出接地平行导体板间点电荷静电问题的电势付里叶-贝塞耳积分解,并由此给出两导体板上感应电荷分布面密度,继而简易计算了感应总电荷及感应电荷对点电荷作用力;最后将此结果推广应用于平行导体板间存在半无界介质时的情形,得到新颖的结果. 相似文献
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王礼祥 《西南民族学院学报(自然科学版)》2005,31(2):203-205
从导体角域点电荷静电问题(劈形问题)的分离变量积分解出发直接证明了只有当角域β=π/n时(n为正整数)可用电像法解,且电像个数为N=2n-1. 相似文献
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王礼祥 《西南民族学院学报(自然科学版)》1994,20(2):133-139
运用正交曲线坐标系中的双球坐标严格求解了导体双球静电问题,弥补了电像法无电势表达通式的不足,论证了电像法与解析法的一致性,给出了带电导体双球之间静电力计算表达式。 相似文献
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Wei-Zhong Chen 《中国物理 B》2022,31(2):28503-028503
A novel 4H-SiC merged P-I-N Schottky (MPS) with floating back-to-back diode (FBD), named FBD-MPS, is proposed and investigated by the Sentaurus technology computer-aided design (TCAD) and analytical model. The FBD features a trench oxide and floating P-shield, which is inserted between the P+/N-(PN) junction and Schottky junction to eliminate the shorted anode effect. The FBD is formed by the N-drift/P-shield/N-drift and it separates the PN and Schottky active region independently. The FBD reduces not only the Vturn to suppress the snapback effect but also the Von at bipolar operation. The results show that the snapback can be completely eliminated, and the maximum electric field (Emax) is shifted from the Schottky junction to the FBD in the breakdown state. 相似文献
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王礼祥 《西南民族学院学报(自然科学版)》1991,(4)
[引言] 运动追及最显著的特征是:运动的同时性及运动追及完成时刻物体位置的一致性,即运动追及问题,物体在追及过程中时间、位移和速度具有相关属性。因此在求解运动追及问题时,必须深入分析和把握这种相关属性,才能理通思路顺利完成题解过程。高中复习丛书《物理》(辛丁,草根等编著。原子能出版社出版,1985年P53—54) 相似文献
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