晶体X光衍射强度与几何结构因子关系研究

从原子中的电子对X光散射的概念出发,对任意一个晶胞内的任意一个原子产生的X光衍射给出了具体的数学描述,从几何结构因子的定义出发,从理论上证明了晶体X光衍射强度与几何结构因子的平方成正比的这一重要关系。     

Nonlinear Electrical Characteristics of Antimony and Copper Doped Tin Oxide Based Varistor Ceramics

The novel CuO-doped dense tin oxide varistor ceramics are investigated. The densification of tin oxide varistor ceramics could be greatly improved by doping copper oxide additives. The introduction of antimony additives into a SnO2. CuO ceramic system would make it possess excellent nonlinearity. The sample doped with 0.05 mol% Sb2 03 possesses the highest nonlinearity coefficient （α = 17.9） and the lowest leakage current density （ JL = 52μA cm^-2） among all the samples. A modified defect barrier model is introduced to explain the formation of the grainboundary barrier. The nonlinear behaviour of （Cu, Sb）-doped SnO2 varistor system could be explained by the barrier model.     

Ca3NbGa3Si2O14晶体的介电和压电特性

利用Y切和(yxl)30°切两种样品测量了Ca3NbGa3Si2O14晶体的介电、压 电和部分弹性参数.计算了(yxl)θ切型相关压电常数随切角的变化.与La3Ga5SiO14晶体相比，Ca3NbGa3Si2O14晶体具有更优良的压电性能，其压电常数 d11=7.93×10-12C/N，d14=-5.88×10-12C/N. 关键词： Ca3NbGa3Si2O14晶体 介电常数 压电常数     

(Sr,Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的电学非线性

研究了Sr对新型(Co, Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.当SrCO3的含量从零增加到1.50mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从240V/mm猛增到1482V/mm.样品的微观结构分析发现, 当SrCO3的含量从零增加到1.50 mol%时, SnO2的晶粒尺寸迅速减小.晶界势垒高度测量揭示,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高的主要原因.对Sr含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.掺杂1.50 mol% SrCO3的SnO2压敏电阻非线性系数为21.4,击穿电压高达1482V/mm.     

铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的X射线衍射与相变分析

分析了斜方相、四方相铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料的结构和X射线衍射图谱的特点. 对于铌酸钾钠基压电材料斜方相结构, 从构成晶胞的一个单斜原胞进行分析, 计算出X射线衍射谱上每个衍射角附近的衍射峰数目和相对强度. 提出了2θ在20°—60°范围内根据(1 0 2)衍射峰(52°附近)和(1 2 1)衍射峰(57°附近)劈裂的数目区分斜方和四方相的新方法. 对于多晶陶瓷粉末, 可以更简便的由22°(或45°)附近前后峰的相对高低来判断斜方、四方相. 关键词： 铌酸钾钠 无铅压电陶瓷 X射线衍射 相变     

碱金属铌酸盐无铅压电陶瓷的介电和压电性研究

采用普通的固相反应烧结方法制备了(KxNa1-x)NbO3(KNN,x=0.40～0.70)和(Na0.485K0.485Li0.03)(Nb0.80Ta0.20)O3(NKLNT)陶瓷,研究了它们的介电和压电性能.发现KNN陶瓷的室温下的压电常数d33在0.4≤x≤0.65范围基本不依存于K和Na间的组分比、分布在100～130pC/N之间,而与陶瓷密度密切相关,但介电常数和介电损耗则随K组分含量的增加而降低.NKLNT陶瓷呈现出较高的d33,kp和kt值,然而介电损耗较大.添加了适量烧结助剂K5.4Cu1.3Ta10O29(KCT)的KLNT-KCT陶瓷致密度有显著的提高,相对密度大于96%,呈现出良好的压电性能,其d33达到215pC/N,kp=48%,kt=47%,tgδ≤0.75%.研究表明碱金属铌酸盐陶瓷是一类有发展前景的无铅压电材料.     

在弱磁场作用下立方晶系金属的电阻率

给出了一种求解弱场近似下玻耳兹曼方程的新方法,并从理论上分析了在弱磁场作用下立方晶系金属的电阻率与磁场的关系。     

KNN Based Lead-Free Piezoceramics with Improved Thermal Stability

Lead-free piezoelectric ceramics （1 - x） （Na0.53K0.404 Li0.066）Nb0.92 Sb0.08 03 ＋xZrTiO3 are fabricated by conventional solid-state sintering method, and their dielectric and piezoelectric characteristics are investigated. With the addition of SrTiO3, the growth of the grain size is restrained, meanwhile the phase transition temperature of orthorhombic-tetragonal is shifted below room temperature. It is found that the ceramics with x = 0.010 exhibit excellent piezoelectric properties （d33 = 220 pC/N, kp = 41%, kt = 39%） and improved thermal stability around room temperature. The results indicate that these materials are promising lead-free piezoceramics for practical operations.     

铁电分子场与Onsager关系

在考虑体系内部相互作用非均匀性的基础上,从不可逆过程热力学的角度,在铁电领域重新引入“分子场”的概念,并给出了“分子场”所满足的热力学方程及物性方程.对铁电相变中的局域性质作了深入探讨 关键词： 分子场 局域性 铁电相变