多线阵半导体激光器的单光纤耦合输出

设计并研制了一种多线阵半导体激光器的高亮度光纤耦合输出模块.激光器芯片采用了分子束外延方法生长的宽波导、双量子阱结构AlGaAs/GaAs激光器外延材料,激光器模块采用6只准直的线阵半导体激光器,器件腔长为1.2 mm,单个发光单元宽度为100 μm,发光单元周期为500 μm,单线阵器件包括19个发光单元,单线阵器件的连续输出功率为50 W,每只单线阵器件的准直输出光束经过空间合束后再通过光束对称化变换实现了多线阵器件输出的高光束质量功率合成,采用平凸柱透镜实现了合束光束与400 μm芯径、数值孔径0.22石英光纤的高效率耦合,整体耦合效率达到65%,最大耦合输出功率达到195 W,光纤端面功率密度达到1.55×105 W/cm2.     

Si(100)衬底上Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜的结构及光学性能

采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜,研究了Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜的结构和光学性能。结果表明,Si(100)衬底上Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜呈六方纤锌矿结构,薄膜沿c方向取向生长,且c轴方向晶格增大0.03 nm。薄膜呈现优异的半导体特性,激子吸收峰位于297 nm,禁带宽度约为4.3 eV。薄膜平均粒径约为20 nm。薄膜在深紫外激发下的荧光发射位于368 nm。     

Lepton Flavor Violating Z →lIlJ in SO（3） Gauge Extension of SM

The SO（3） gauge extension of SM, which is proposed to present a successful explanation for the observed small masses of neutrino and the nearly tri-bimaximal neutrino mixing, predicted the vector-like SO（3） triplet Majorana neutrinos and SUL（2） double Higgs bosons. In this work we calculate branching ratios of the charged lepton flavor violating decays lIlJV （V = γ, Z） induced by these Majorana neutrinos and Higgs bosons. We find that under the model parameters constrained by experimental bounds on the decays Z →lIlJ, the branching ratio of decays lI→lJγ can be up to 10^-10, which may be accessible at the future experiments.     

Fabrication of high-power VCSEL with radial bridge electrodes

We report the fabrication of a novel high-power vertical-cavity surface-emitting laser （VCSEL） with radial bridge electrodes in this letter. The analysis shows that the radial bridge electrodes can reduce the p-type distributed Bragg reflector （p-DBR） electric and thermal resistance, and improve the device beam quality. The high-power radial brigde electrode VCSELs with 200-μm aperture have been made and tested. The testing results show that the differential resistance of the VCSEL is 0.43 Ω and the maximal continuouswave （CW） output power is 340 mW, 1.7 times higher than the conventional electrode device. Its thermal resistance is 0.095℃/mW, and its near-field pattern exhibits a homogeneous distribution. The high-power radial bridge electrode VCSEL has better temperature and opto-electric characteristics.     

酰胺型茄呢醇衍生物的合成与生理活性

酰胺型茄呢醇衍生物的合成与生理活性;N-茄呢基酰胺;N-酰基-N′-茄呢基哌嗪;合成;生理活性     

Western印迹法分析蓖麻毒素在正常小鼠血清和肝组织匀浆中的稳定性

以重组蓖麻毒素A链（rRTA）免疫家兔,制备的抗rRTA兔血清效价高,能达到1∶51200.以兔多抗血清为检测抗体,建立蓖麻毒素的Western印迹检测法,对蓖麻毒素检测灵敏度可达1 ng.含有蓖麻毒素的小鼠血清和肝组织匀浆（蓖麻毒素终浓度为0.67μg/mL）在37℃孵育0~4 h后,应用此法体外观察蓖麻毒素在正常小鼠组织样品中的稳定性,结果显示Western印迹可用于组织中蓖麻毒素的测定,蓖麻毒素可在小鼠血清和肝组织匀浆中稳定存在.     

Growth and Chemical Thermodynamics Analysis of SiC Film on Si Substrate by Heating Polystyrene/Silica Bilayer Method

采用改进的PS/OCS/Si(111)叠层热解法,在石英高温管式炉中,常压流通Ar气氛下,于1300 o C制备出了无层错空洞缺陷的晶态SiC薄膜．采用红外、X射线衍射和扫描电镜等分析方法对薄膜样品进行了表征．并研究了这种方法制备SiC薄膜的化学热力学过程．通过对反应平衡常数和吉布斯自由能的计算,初步确定了生成SiC的主反应的发生顺序以及反应体系的平衡状态,并论证了流通的Ar气氛对于反应的持续进行是必须的．该方法制备的薄膜为SiO2/SiC/Si(111)结构,这种结构对于半导体MOS器件的应用是非常有利的．该SiO2层形成反应后期降温阶段,并且可以通过RCA清洗工艺(标准半导体清洗工艺)彻底清除．目前还没有发现用这种方法生长SiC薄膜的报道．     

AgI(Cr2O3)复合离子导体的光谱研究

本文研究了AgI(Cr₂O₃)复合离子导体的红外吸收光谱,近紫外、可见反射光谱。发现复合离子导体的两种谱图均与纯AgI,Cr₂O₃的不同。红外吸收光谱在882—889cm^-1处有一新吸收峰。电子谱中,AgI从430nm开始向长波方向表现的光离解特性消失。本来Cr₂O₃由配位场效应而引起的d—d吸收跃迁以410nm,530nm为中心的反射谱带,现在410nm处的谱带消失。530nm处的谱带稍有红移,且随加入Cr₂O₃量的增多而强度减弱。代之以整个紫外、可见区的较强吸收。对此,结合透射电子显微镜的分析,用双声子耦合和介质的变形极化以及配位场理论对AgI(Cr₂O₃)复合离子导体的声子谱和电子谱进行了解析。 关键词：     

高掺杂Sn对Y-Ba-Cu-O体系结构和性质的影响

通过对高掺杂Sn的YBa₂Cu_3-xSn_xO_7-y体系的穆斯堡尔谱测量,确定了掺杂的Sn全部以Sn⁴⁺离子形式存在,多数占据Ba,Y,Cu(2),少量占据Cu(1)位置,Sn含量x不同,其在各个位置上的占有比例也不同,超导电性测量表明,该系列样品T_c大都在77K以上,Cu(2)和Y位上的金属离子被替代对超导温度T_c影响不大,为Cu-O面不是超导的主要原因 关键词：