提高地下管道防腐层破损点定位精度

文章叙述了地下管道防腐层破损点检测的意义,分析了地下管道防腐层破损点上方地表电位分布的特点,定位方法及干扰排除技术,难点检测技术与标志技术,并就开挖验证方法进行了叙述。     

沉积温度对磁控溅射生长SrRuO_3薄膜结构和性能的影响

采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO_3基片上制备了SrRuO_3薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等分析方法系统研究了沉积温度对SrRuO_3薄膜结构、表面形貌及输运性质的影响.实验结果表明:当生长温度低于550 ℃时,SrRuO_3薄膜为多晶结构;当温度在550～650 ℃范围内变化时,SrRuO_3薄膜可以在SrTiO_3基片上外延生长,薄膜的最低电阻率约为0.5 mΩ·cm.     

IVIM在移植肾排斥反应诊断中的应用

本研究探讨体素内不相干运动(IVIM)在移植肾排斥反应诊断中的应用价值。选取53例移植肾患者作为研究对象,根据病理结果分组,24例有急性排斥反应患者为排斥组,29例肾功能正常患者为非排斥组,分析排斥组和非排斥组IVIM参数差异。结果显示,排斥组肾皮质、肾髓质总体表观扩散系数(ADC_T)明显低于非排斥组(P<0.05);排斥组和非排斥组肾皮质、肾髓质单纯表观扩散系数(ADC_D)、伪灌注表观扩散系数(ADC_P)和伪扩散所占的容积分数(F_P)比较差异无统计学意义(P>0.05);细胞性排斥、体液性排斥、混合性排斥患者IVIM参数比较差异无统计学意义(P>0.05);肾皮质、肾髓质ADCT诊断移植肾患者发生急性排斥反应的ROC曲线下面积分别为0.793和0.889,P<0.05。IVIM扫描参数总体表观扩散系数在诊断移植肾排斥反应中有较好的应用价值。