均三溴偶氮胂分光光度法测定植物体及种子中铈组稀土

随着稀土元素在农业上应用研究的深入,需要对种子、植株中微量铈组稀土进行测定。目前已有人用中子活化法^[1]萃淋树脂分离富集光度法^[2]进行测定。由于植物中钙等干扰元素的含量高(钙含量为0.1—5 mg/g),给直接光度法测定带来困难。     

具有不同通道变极性等离子弧焊设备研制

研制了一种具有不同通道的新型变极性等离子弧焊设备．采用双电源对主弧正负半波供电,在负半波以水冷铜喷嘴代替钨电极作阳极,既避免了主、维弧相互干涉现象,又降低了钨电极的烧损,使电弧和焊接过程稳定性提高．此外,电流频率、正负半波幅值和导通比的独立可调,能满足铝合金焊接时对金属熔化和阴极清理的不同需要．     

LVDS低功耗高速驱动电路设计

目前现存的LVDS驱动不能在低供电电压下工作,双电流源(DCS)LVDS驱动和开关电流源(SCS) LVDS驱动等两种新驱动适用于低电压应用。同时,这两种驱动大大减少了功耗以及器件尺寸,并且可以以超过1 Gb/s的速度传输数据。在高速数据采集系统中,有很好的应用前景。     

基于微软SPS SSO技术的单点登录实现方法

随着企业信息化建设的加快,应用整合已经显得非常重要,从而单点登录（Single Sign—On）技术得到了广泛的应用。文中阐述了一种基于Microsoft Sharepoint Server单点登录技术的解决方案,实现一次登录就可以使用多个应用系统,并且可以兼容如Web、Win32以及Lotus Notes等多种应用程序的验证过程,为在企业应用框架上兼容现有应用系统,以及扩展未来应用都提供了很大灵活性,真正实现“一次登录、随处运行”的目标。文中对其实现过程进行了较详细的描述。     

超大硅胺基氯锗宾的反应性与立方四锗卡宾的成键解析

超大硅胺基取代的低价锗化合物可以构建新颖的化学结构, 提供有学术价值的新发现。二配位的超大硅胺基氯锗宾Ge(N(SiⁱPr₃)₂)Cl (1)具有空的 4p轨道和孤电子对。针对这 2个特点, 研究了化合物 1 的热构型转换和菲醌氧化加成反应。1的温热分解生成了立方四锗卡宾 Ge₄(NSiⁱPr₃)₄ (2), 与菲醌(L)定量氧化加成生成了胺基一氯菲二酚合锗(Ⅳ):[Ge(N(SiⁱPr₃)₂)(L) Cl] (3)。表征了 2个产物的单晶结构与组成。四锗卡宾 2本质上是锗异腈的四聚体, 分子呈现出畸变的立方体构型, 4个 Ge原子和 4个N原子构成了中心立方体的 8个顶点。其中 Ge-N键长为 0.203 6(3) nm, N-Ge-N与 Ge-N-Ge的键角分别为 85.51(18)°和94.32(16)°, 立方体的侧面接近平行四边形。理论计算首次揭示了四锗卡宾 2的成键面貌。自然键轨道(NBO)给出 Ge₄N₄骨架上的 20个分子轨道。轨道定域化的计算结果完好地呈现出 4对 Ge孤对电子、12个 Ge-N键和 4个 Si-N键的定域轨道, 能量分别为-12.22、-15.12 和-20.12 eV。Ge 孤对电子主要保留了 4s 电子的特性, 而 Ge-N 键主要由 N 的 2s 轨道(18.4 %)和 2p 轨道(71.3 %)、Ge的 4s轨道(0.75 %)和 4p轨道(9.43 %)综合贡献形成。在化合物 3的分子中, Ge^Ⅳ采取 sp³杂化, 由于空间位阻与非对称配位, 与另外 4个配位原子形成非对称四面体构型。     

半波长超导共面波导谐振腔传输及温度特性研究

超导共面波导谐振腔主要包括四分之一波长型和半波长型.本文对半波长超导共面波导谐振腔使用并联RLC电路进行等效分析,使用sonnet软件进行仿真其传输特性,通过电子束蒸发和激光直写等工艺制备出样品,在低温超导状态下使用矢量网络分析仪对其传输特性进行测量,以及通过持续降温方式研究其传输特性受温度的影响.实验表明:测得的谐振频率和外部品质因数与设计值吻合;谐振频率受动态电感的影响随温度降低而升高;外部品质因数随温度降低而保持基本不变;内部品质因先受导体损耗的影响随温度降低而急剧升高,当温度降低至一定温度后内部品质因数受介电损耗的影响随温度降低而保持基本不变;总品质因数在温度较高时主要来自于导体损耗,在温度较低时主要来自于介电损耗和外部品质因数,随温度的变化趋势和内部品质因数一致.     

煤矿井下杂散电流的危害与防治

对煤矿井下杂散电流产生的原因和对煤矿安全生产的危害进行了分析．对杂散电流的定期测试和防治措施进行了研究和探讨。     

Theoretical Study on Inner Shell Electron Impact Excitation of Lithium

Cross sections for electron impact excitation of lithium from the ground state 1s^22s to the excited states 1s2s^2, 1s2p^2, 1s2snp （n = 2-5）, 1s2sns （n = 3 5）, 1s2pns （n = 3-5）, and 1s2pnp （n = 3-5） are calculated by using a full relativistic distorted wave method. The latest experimental electron energy loss spectra for inner-shell electron excitations of lithium at a given incident electron energy of 2500 eV [Chin. Phys. Lett. 25 （2008）3649] have been reproduced by the present theoretical investigation excellently. At the same time, the structures of electron energy loss spectra of lithium at low incident electron energy are also predicted theoretically, it is found that the electron energy loss spectra in the energy region of 55-57eV show two-peak structures.     

在AlCl3和Nafion-H的催化作用下均三甲苯与γ-丁内酯的烷基化反应

 在无水AlCl3的催化作用下,均三甲苯与γ-丁内酯在室温下即可发生烷基化反应生成4-(2,4,6-三甲基苯基)丁酸. 实验结果表明,催化剂用量和反应时间是影响反应产物收率的重要因素,选择合适的反应条件可使γ-丁内酯几乎定量地转化为目标产物. 在固体高分子酸性树脂Nafion-H的催化作用下,4-(2,4,6-三甲基苯基)丁酸的收率随着温度的升高而升高,在200 ℃下收率达到最大值84.5%,选择性保持在90%左右. Nafion-H经过简单的溶剂洗涤和干燥处理后可重复使用,但每次重复使用后收率下降4%～5%. 对Nafion-H催化下该反应可能的机理进行了探讨.     

A device model for thin silicon-on-insulator SiGe heterojunction bipolar transistors with saturation effects

In this paper, we describe the saturation effect of a silicon germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) fabricated on a thin silicon-on-insulator (SOI) with a step-by-step derivation of the model formulation. The collector injection width, the internal base—collector bias, and the hole density at the base—collector junction interface are analysed by considering the unique features of the internal and the external parts of the collector, as they are different from those of a bulk counterpart.