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简要介绍了本科研组近年来用正电子湮没谱学研究Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体缺陷的最新进展,包括原生样品中缺陷的种类、大小、电荷态、负离子缺陷、缺陷与杂质的相互作用、辐照以及形变引入的缺陷等．研究表明,在原生半导体材料中存在各种缺陷,经过辐照和形变后有单空位、双空位及孔洞形成;在重掺杂材料中,空位还补偿载流子,使载流子发生饱和． 相似文献
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基于神经网络模式识别的板形模糊控制器 总被引：5，自引：0，他引：5
提出一种基于CMAC(Cerebellar Model Articulation Controller)神经网络的板形缺陷模式识别方法,并基于模式识别结果设计了板形模糊控制器.将模式识别与控制器设计合二为一,利用CMAC神经网络识别出相对于6种常见板形缺陷基本模式的隶属度,直接作为板形模糊控制器的前件部,实现了隶属度的求取功能.通过对板形缺陷特征的分析,合理定义了模糊集合,大大地减少了模糊推理的计算量.仿真结果表明,该板形模式识别方法识别精度高,设计的板形模糊控制器可以快速将板形缺陷控制到期望目标,板形控制性能良好. 相似文献
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以自制阳离子型乳化剂H、多乙烯基硅油和丙烯酸类单体为主要原料,采用一步法和半连续种子乳液聚合法合成有机硅改性丙烯酸酯乳液。研究了不同聚合方法、不同有机硅含量对硅丙乳液乳胶膜的吸水率、疏水性能的影响,通过纳米粒度-Zeta电位分析仪、接触角仪、红外光谱、透射电镜对乳液及聚合物结构进行了表征。结果表明有机硅单体参与了聚合,乳液稳定性好、平均粒径小。采用半连续种子乳液聚合法合成乳液,有机硅最大添加量为40%(占壳层单体总量),乳胶膜的吸水率只有3.2%,对水的接触角达到105.2o。 相似文献
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用正电子湮没寿命谱研究了塑性形变P型砷化镓中的缺陷性质．样品原始载流子浓度为2．63X10~18cm-3．形变量分别为2．5％，5％，7．5％，10％和15％．室温正电子寿命测量结果显示，形变样品中有新的空位型缺陷产生，鉴定为空位团．根据塑性形变样品中空位团的正电子捕获率的大小和寿命谱温度关系初步判断：在P型GaAs中，塑性形变产生的空位团的荷电性为正．正电子寿命温度实验显示，在低温下形变样品中还存在正电子浅捕获态．浅捕获中心很可能是锌代位杂质和镓反位缺陷． 相似文献
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为了提高正电子湮没寿命测量中能量分辨率、探测效率,本文对高时间分辨探测器进行组装及性能分析,如晶体的封装、输出脉冲幅度及上升时间等要素与外加电压的变化关系、能量分辨率、探测效率等进行测试.实验结果表明,在相同电压情况下,使用聚四氟乙烯作为反射层材料能有效地提高闪烁体探测器的探测效率;在外加电压为2580V情况下,聚四氟乙烯反射层探测器湮没峰的能量分辨率为7.8%,而反射层为Al箔时则为10.4%.结果说明了在相同外加电压的情况下,聚四氟乙烯反射层探测器湮没峰的能量分辨率比Al箔反射层探测器的要好. 相似文献
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通过构造合适的Lyapunov函数证明了一类具有饱和发生率和CTL免疫反应的HIV-1感染时滞模型各可能平衡点的全局稳定性. 相似文献
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采用自悬浮定向流-真空热压法,在不同压强下制得铝纳米晶材料,并利用X射线衍射(XRD)和正电子湮没寿命谱(PALS)分析手段对铝纳米晶的结构和微观缺陷进行表征.XRD分析表明:所制备的铝纳米晶的晶粒度为48 nm.PALS分析表明:铝纳米晶的微观缺陷主要为类空位以及空位团,而微孔洞很少;短寿命τ1,中间寿命τ2以及其对应的强度I1,I2随压强变化而呈现阶段性变化;压制压强(P)低于0.39 GPa时制得的纳米晶空位团随压强的增加而逐渐转变为类空位;0.39 GPa P 0.72 GPa时,各类缺陷发生消除;P 0.72 GPa时,各类缺陷进一步发生消除.随压强的提高,铝纳米晶的密度增加,其显微硬度也明显增高. 相似文献
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分别在引入剪应力作为独立变量和引入剪应力和弯矩分别作为独立变量的基础上,将求解Reissner-Mindlin板问题的S1元作了一些改进,构造了两组Reissner-Mindlin元———CHRM(S1)及CHRM(0,S1),阐述了CHRM(S1)元和S1元的关系以及弯矩独立变量的引入对双线性元精度提高的促进作用. 相似文献
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用正电子湮没命谱研究了塑性变形ｐ型砷化镓中的缺陷性质,样品原始载流子浓度为２．６３×１０＾１８ｃｍ＾－３,形变量分别为２．５％,５％,７．５％,１０％和１５％,室温正电子寿命测量结构显示,形变样品中有新的空间型缺陷产生,鉴定为空位团,根据塑性多变样品中空位团的正电捕获率的大小和寿命谱温度关系初步判断,在ｐ型ＧａＡｓ中,塑性形变产生的空位团的荷电性为正,正电子寿命温度实验显示,在低温下形变样品中还存 相似文献