Different temperature dependence of carrier transport properties between AlxGal-xN/InyGal-yN/GaN and Alx Gal-xN/GaN heterostruct ures

The temperature dependence of carrier transport properties of Alx Gal-xN/InyGal-yN/CaN and AlzGal-xN/GaN heterostructures has been investigated. It is shown that the Hall mobility in Alo.25Gao.75N/Ino.03Gao.97N/GaN heterostructures is higher than that in Alo.25Gao.75N/GaN heterostructures at temperatures above 500 K, even the mobility in the former is much lower than that in the latter at 300 K. More importantly, the electron sheet density in Alo.25Gao.75N/Ino.03Gao.97N/GaN heterostructures decreases slightly, whereas the electron sheet density in Al0.25Gao.75N/CaN heterostructures gradually increases with increasing temperature above 500 K. It is believed that an electron depletion layer is formed due to the negative polarization charges at the Iny Can-yN/GaN heterointerface induced by the compressive strain in the InyCal-yN channel, which effectively suppresses the parallel conductivity originating from the thermal excitation in the underlying GaN layer at high temperatures.     

Structure and luminescence of a-plane GaN on r-plane sapphire substrate modified by Si implantation

We show the structural and optical properties of non-polar a-plane GaN epitaxial films modified by Si ion implantation. Upon gradually raising Si fluences from 5×10¹³ cm^-2 to 5×10¹⁵ cm^-2, the n-type dopant concentration gradually increases from 4.6×10¹⁸ cm^-2 to 4.5×10²⁰ cm^-2, while the generated vacancy density accordingly raises from 3.7×10¹³ cm^-2 to 3.8×10¹⁵ cm^-2. Moreover, despite that the implantation enhances structural disorder, the epitaxial structure of the implanted region is still well preserved which is confirmed by Rutherford backscattering channeling spectrometry measurements. The monotonical uniaxial lattice expansion along the a direction (out-of-plane direction) is observed as a function of fluences till 1×10¹⁵ cm^-2, which ceases at the overdose of 5×10¹⁵ cm^-2 due to the partial amorphization in the surface region. Upon raising irradiation dose, a yellow emission in the as-grown sample is gradually quenched, probably due to the irradiation-induced generation of non-radiative recombination centers.     

浅谈气田施工过程中出砂及流程冻堵的解决办法

本文针对在气田施工过程中存在的问题,结合实际施工情况,通过分析生产中出现的问题,提出了相应对策。通过控制抽深,减小生产压差,在情况允许的前提下更换分离器等方法有效地控制出砂,同时通过优化工艺防止流程冻堵等,使我们在试油（气）工作中更快更准确地了解地层构造,为以后工作积累经验,提高作业质量,保证安全生产。     

DFT方法研究木质素单体及二聚体的结构与拉曼光谱

木质素是自然界中第二丰富的天然聚合物,广泛存在于各种陆地植物的木质部中,利用木质素拉曼光谱对植物种类进行快速无损鉴别具有重要的应用价值。但由于木质素大分子构型非常复杂,对其拉曼特征光谱的仿真研究一直存在困难。利用Gaussian16W中包含的B3LYP密度泛函方法结合6-311G(d, p)基组,构建出三种木质素单体及其三种同种木质素单体构成的二聚体以及三种异种木质素单体构成的二聚体,提出了一种利用木质素的三种基本结构单体及其二聚体仿真分析木质素大分子拉曼光谱特征的方法。首先计算了三种单体的基本构型、轨道能级和电子空间分布,并分析了三种木质素单体拉曼光谱和振动模式的特点。随后利用不同组合方式的β-O-4二聚体的光谱谱峰特征,解释了特征谱峰信号位置漂移的成因,提出了判断木质素大分子信号特征的主要依据。研究结果表明,1 712 cm^-1谱峰信号最强且位置稳定,振动归属为碳碳双键伸缩振动,该振动归属引起的特征峰可以作为木质素大分子最主要的信号特征;1 642 cm^-1谱峰信号振动归属为芳香环骨架振动,仅受芳香环甲基数量影响产生劈裂,该振动归属引起的...     

Ⅱ-Ⅵ族化合物原子间两体势的第一性原理研究

本文采用基于第一性原理的Hartree-Fork (HF)方法和密度泛函理论(DFT)计算了CdS、CdSe、CdTe、HgTe等Ⅱ-Ⅵ族化合物的两体相互作用势,并与实验数据进行了比较.分析了计算中基组对计算结果的影响,以及各种近似方法的优缺点.采用Lennard-Jones势、Born-Mayer势和Morse势函数分别对势能值进行拟合,结果表明采用Morse势拟合的势能曲线与计算结果符合最好,说明普遍应用于共价分子的Morse势也同样适用于对Ⅱ-Ⅵ族二聚体的两体势描述.     

含油污泥的固化实验研究

在注水开发中产生了大量含油污泥,以水泥作为固化剂对中原油田文一污的含油污泥进行了固化处理.通过对固化物的抗压强度,固化物浸出液的COD、含油量及有毒元素含量的测定,评价了固化物的环境安全性能.结果表明:当固化块中水泥与污泥的质量比为2.0∶1.0 时,抗压强度可以达到16 MPa,当质量比为0.972时,在50 ℃,12 h后,其浸出液的COD低于150 mg/L;质量比在1.0∶1.0~1.8∶1.0范围内,在25 ℃,120 h后,固化块浸出液的污油浓度低于5 mg/L,毒性元素含量符合GB 5085.3-1996的要求.     

气体水含量实验室测定方法研究

天然气或炼油生产中各种气体都携带有水分.这些水分对气体的安全生产、使用和输送都造成危害,因此,必须准确测量并严格控制这些气体中的水含量.介绍了实验室测定气体中水含量的常用方法,并分析了各自存在的问题.在此基础上,提出了一种新的实验室测定气体水含量的方法.新方法基于浓硫酸较强的吸水性,气体在通过两个盛有浓硫酸的吸收瓶时浓硫酸将其携带的水分全部吸收,两个吸收瓶质量增加之和即为气体中的水含量.实验结果表明:当浓硫酸所吸收水分的累积量小于10%时,对测定结果不产生影响;在气体流量小于38L/h、温度从室温至70℃的条件下,新方法最大相对误差为0.8%,不同温度下的平均误差小于0.6%.该方法具有简单、方便、准确、快速的特点.     

超声／H2O2／CuO联合作用降解硝基苯

研究了在超声波/H2O2/金属氧化物体系中,金属氧化物(CuO,ZnO,Al2O3)对硝基苯降解的影响。结果表明:采用超声波/H2O2/CuO体系效果较好。对超声/H2O2/CuO联合作用的效果进行了研究,讨论了反应液的pH值、硝基苯的初始浓度等因素对硝基苯降解的影响。实验结果表明:pH值的变化对其降解效果没有明显影响;硝基苯的降解效果与其初始浓度有关,其降解过程符合一级反应动力学模型。     

MRCI方法研究BN分子结构和解析势能函数

运用多参考组态相互作用（MRCI）的方法和Dunning相关调和基函数含扩散基的大基组aug—cc—pV5Z,获得了BN分子基态（X^3∏）和三个激发态（^1∑^＋,^1∏,^3∑^-）的势能曲线（PECs）．利用Murrel—Sorbie（MS）函数和最小二乘法拟合得到它们的解析势能函数（APEFs）,拟合误差很小表明所得解析势能函数能够很好地再现BN分子中原子间的相互作用情况,为进一步研究这一体系的动力学性质和构造多体势能函数提供参考．在所得解析势能函数的基础上,通过解核运动的薛定谔方程得到各电子态的光谱常数．     

Magnetic Properties and Spin State Transition of Gallium Doped Perovskite Cobaltite Oxide

A series of Ga doping perovskite cobaltite La2/3Sr1/3 （Co1-y Gay）03 （y = 0, 0.1, 0.2, 0.3 and 0.4） are prepared by the standard solid-state reaction method. Their magnetic properties and Co ions spin state transitions are studied. Upon doping, no appreciable structure changes can be found. However, the corresponding Curie temperature sharply decreases and the magnetization is greatly reduced, indicating that Ga doping destroys the ferromagnetic interaction in the system. In addition, the high temperature magnetization data follow the Curie-Weiss law. At least one kind of Co ions （Co^3＋ or Co^4＋） favours the mixed spin state, and most Co ions are at the lower spin state （low and intermediate state）. With increasing Ga content, more Co ions transit to the higher spin state.