一种考虑电荷转移的普适相互作用势的应用──NaCl结构的碱卤离子晶体的结合能曲线

对Ｓｃｈｌｏｓｓｅｒ等人提出的，基于考虑了离子间电荷转移的相互作用势的晶体结合能的普适表达式中的待定参数，以１５种ＮａｌＣｌ结构的碱卤离子晶体为对象，全部进行了重新确定，同时，指出了原文［Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．．Ｂ４４（１９９１），９６９６和Ｐｈｙｓ．ＲｅｖＢ４７（１９９３），１０７３］中在确定参数时存在的问题。从得到的结合能曲线出发计算出的等温压缩曲线与实验数据都作过了比较。     

退火对ZnO薄膜结构及发光特性的影响

生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的，由其X光衍射得知，生长过程中分段退火和最后退火在薄膜中分别引入了张应力和压应力。通过对样品光致发光光谱研究表明：分段退火样品在380nm附近出现了单一激子发射峰，而最后退火样品却出现了与应变有关的Γ5和Γ6两激子发射峰，同时在两者的光致发光光谱中与深能级有关的荧光峰都未出现。     

奇性波函数及其在原子能量计算中的应用

讨论了波函数在原点的奇异性问题及其与势场的关系,指出在保证径向波函数平方可积,即积分∫│Ｒｎｌ（ｒ）│＾２ｒ＾２ｄｒ有限的前提下,出现Ｒｎｌ（０）＝∞的奇异性,在物理上是可以接受的。然后,将具有这种奇异性的波函数应用于类氦原子基态能量的计算,并通过对结果的分析指出,采用形如Ｒ０（ｒ）＝Ｃｒ＾５０ｅ－ｚ－β／１＋ｓ０（０〉ｓ０〉－１／２）的奇性径向波函数,相当于将两电子间除屏蔽效应之外的关联作用,等     

马尾松木素磺酸盐特性的研究

用超滤法对马尾松木素磺酸钙进行分级处理,经纯化后,用化学法和波谱法分析各级分官能团含量、相对分子质量及分布等,各级分在结构特性上相差不大,但高分子级分磺酸基含量较低,而甲氧基含量较高．酚羟基含量与相对分子质量关系不大．用超滤法进行分级,产物的名义相对分子质量与真实值相差甚大．低分子木素磺酸盐级分的表面活性高于高分子级分．但各级分的活性均十分有限．若要充当表面活性剂使用,则需经复配或改性．     

材料表面偏振双向反射分布函数模型修正

为表征物体表面偏振散射特性对目标偏振信息提取的影响,基于微面元散射模型结合KubelMunk理论,综合考虑镜面散射和漫散射,构建一种改进的偏振双向反射分布函数(pBRDF)模型,得到物体表面散射光的偏振度与材料复折射率、方位角、探测角和入射波长等因素的数学模型,并利用该模型对基础材料的复折射率进行反演.结合实际应用利用FD-1665偏振成像仪在不同影响因子条件下对目标表面进行了一系列偏振探测实验.最后将数值模拟结果和实测数据进行比较,其材料偏振特性曲线与实测数据吻合,表明修正后的模型有较高的精确度,该模型可以为后续的偏振监测和目标识别工作提供理论支持.     

Epitaxial evolution on buried cracks in a strain-controlled AlN/GaN superlattice interlayer between AlGaN/GaN multiple quantum wells and a GaN template

Epitaxial evolution of buried cracks in a strain-controlled AlN/GaN superlattice interlayer(IL) grown on GaN template, resulting in crack-free AlGaN/GaN multiple quantum wells(MQW), was investigated. The processes of filling the buried cracks include crack formation in the IL, coalescence from both side walls of the crack, build-up of an MQW-layer hump above the cracks, lateral expansion and merging with the surrounding MQW, and two-dimensional step flow growth.It was confirmed that the filling content in the buried cracks is pure GaN, originating from the deposition of the GaN thin layer directly after the IL. Migration of Ga adatoms into the cracks plays a key role in the filling the buried cracks.     

HgTe小团簇几何结构与电子性质的第一性原理研究

本文基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下,计算了团簇 (HgTe)n(n＝1～8)的基态几何结构、最高占据轨道和最低未占据轨道的能隙、结合能等.比较了团簇(HgTe)n和(CdSe)n基态结构,能隙与结合能随尺寸变化关系的差异等.     

Fe和Co元素在铁磁性形状记忆合金Mn50Ni25－xFe(Co)xGa25中的作用

为了进一步改善材料的性能和探索新的材料，将Mn₂NiGa合金中的Ni元素分别用Fe和Co替代，制备了Mn₅₀Ni_25-xFe(Co)_xGa₂₅系列合金. 研究了Fe和Co元素对Mn₂NiGa合金的结构、马氏体相变行为、磁性和机械性能等方面的影响. 关键词： 铁磁形状记忆合金 Heusler合金 50Ni_25-xFe(Co)_xGa₂₅')" href="#">Mn₅₀Ni_25-xFe(Co)_xGa₂₅     

KY-3型聚合物处理黄河原水的研究

研究了 KY- 3型阳离子聚合物与无机聚合物复配进行黄河原水的絮凝处理 ,结果表明 :KY- 3型聚合物对无机聚合物有较强的增效作用 ,黄河原水为常温低浊或低温低浊时仍有增效作用 .     

InAlN材料表面态性质研究

运用电流-电压(I-V), 变频电容-电压(C-V)和原子力显微镜 (AFM) 技术研究In组分分别为15%, 17%和21%的Ni/Au/-InAlN肖特基二极管InAlN 样品表面态性质 (表面态密度、时间常数和相对于InAlN 导带底的能级位置). I-V和变频 C-V方法测量得到的实验结果表明, 随着In组分增加, 肖特基势垒高度逐渐降低, 表面态密度依次增加. 变频 C-V特性还表明,随着测试频率降低, C-V曲线有序地朝正电压方向移动, 该趋势随着In组分的增加而变得更加明显, 这可能归结于InAlN表面态的空穴发射. AFM表面形貌研究揭示InAlN 表面粗糙度增加可能是表面态密度增加的主要原因. 关键词： 不同In组分的InAlN材料 表面态 电流-电压特性 变频电容-电压特性