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一、乡镇煤矿的发展历程乡镇煤矿是我国农村经济改革与独特的国情相结合的产物。分布广泛的煤炭资源,农民摆脱贫困的强烈愿望,巨大的市场需求,农村大量剩余劳动力的转移,中国社会的二元结构,以及政府的鼓励政策,是乡镇煤矿产生和发展的主要因素。农村集体小煤矿50年代初就已萌芽,"大跃进"年代出现第一次办矿高潮,集体煤矿产量从1957年的649万吨猛增到1960年的2195万吨。三年经济困难时期生产急剧下降,1965年降至ul973万吨。"十年动乱"以后,煤炭严重短缺,集体煤矿再度兴起,并高速发展,1978年产量达9532万吨,是发展最快的时期。… 相似文献
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The n-type GaAs/AlxGa1-xAs multiple quantum well infrared photodetectors have been demonstrated without any grating couplers. We have achieved a responsivity Rv of 1.7×105V/W and a detectivity Dλ* of 4.0×1010 cm (Hz)1/2/W for a wavelength of 8.4 μm at a temperature T = 77 K in normal incidence. 相似文献
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对谐波进行准确、快速检测是有源滤波器发挥良好效果的基础,针对快速、准确检测的需求,提出一种abc坐标直接投影谐波检测法。对广义的IP-IQ检测法进行简单介绍;并在此基础上提出abc直接投影谐波检测法,该检测法直接对旋转坐标进行投影,相对于IP-IQ法省去了坐标变换的中间环节,具有易于编程、计算量相对较小的特点。同时指出该方法存在低通滤波器延时的缺陷;并针对此缺陷进行改进,应用滑动均值算法来替代原检测法中的低通滤波器,缩短了算法延时且省去了复杂的低通滤波器设计环节,将计算量分散开,且编程较为简易。通过搭建MATLAB/Simulink仿真平台对改进的谐波检测算法进行仿真,结果显示,该算法具有准确性高、延时量小的特点,可以满足有源滤波器的谐波检测需要。 相似文献
65.
系统研究了在调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结中嵌入InAs量子点后对二维电子气输运特性的影响。使用分子束外延设备生长了量子点层与二维电子气沟道距离(Tch)不同的3个样品,霍尔测试结果表明,二维电子气的电子迁移率和载流子浓度都随Tch的减小而降低。基于几何相位分析算法对部分样品的高分辨透射电镜图像进行了处理,得到了其应变分布图。结果表明,应变主要分布在量子点的周围,并延伸到了量子点的上方。该不均匀的应力场可能是除库伦散射外影响电子迁移率降低的另一个重要因素。 相似文献
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IMC-PID鲁棒控制器设计及其在蒸馏装置上的应用 总被引:3,自引:2,他引:3
文中提出一种简便的闭环系统辨识算法和内模控制系统的设计方法。该方法便于在DCS上用组态来实现,使DCS的PID控制算法方便地转换为IMC-PID鲁棒控制算法,该系统几乎免维修,控制速度快,鲁棒性很好。该方法还使闭环辨识算法与IMC-PID鲁棒控制器设计结合起来,形成一个软件包,将它用于常减压蒸馏装置上,使控制系统性能与鲁棒性大为提高,取得很好的控制效果。 相似文献
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68.
Room-temperature operating extended short wavelength infrared photodetector based on interband transition of InAsSb/GaSb quantum well 下载免费PDF全文
Here in this paper,we report a room-temperature operating infrared photodetector based on the interband transition of an In As Sb/Ga Sb quantum well.The interband transition energy of 5-nm thick In As_(0.91)Sb_(0.09) embedded in the Ga Sb barrier is calculated to be 0.53 e V(2.35μm),which makes the absorption range of In As Sb cover an entire range from short-wavelength infrared to long-wavelength infrared spectrum.The fabricated photodetector exhibits a narrow response range from 2.0μm to 2.3μm with a peak around 2.1μm at 300 K.The peak responsivity is 0.4 A/W under-500-m Vapplied bias voltage,corresponding to a peak quantum efficiency of 23.8%in the case without any anti-reflection coating.At 300 K,the photodetector exhibits a dark current density of 6.05×10~(-3)A/cm~2under-400-m V applied bias voltage and3.25×10~(-5)A/cm~2under zero,separately.The peak detectivity is 6.91×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W under zero bias voltage at 300 K. 相似文献
69.
Growth, Antimony Incorporation Behaviour and Beryllium Doping of GaAs1-ySby Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy 下载免费PDF全文
A series of GaAs1-ySby epilayers are grown on GaAs substrates under antimony compositions of samples with beryllium doping are obtained different growth conditions. Different A non-equilibrium thermodynamics model is used to calibrate and fit the Sb composition. Activation energy of 0.37 eV for the dissociation process of Sb4 molecules is obtained. Carrier mobility and concentration of samples are influenced by the Sb composition. Quasi-qualitative analysis of mobility is used to explain the relations among Sb composition, carrier mobility and concentration. High resolution x-ray diffraction (HRXRD) rocking curves and Hall effects measurements are used to determine the crystal quality, carrier mobility and concentration. 相似文献
70.
随着电子工业的高速发展,对半导体陶瓷材料性能的要求越来越高。制备工艺是决定其质量的关键技术之一。章对半导体陶瓷粉末制备方法如机械粉碎法、喷雾热解法、沉淀法、溶胶——凝胶法、水热合成法、水解法、气相化学反应法等进行了综合评述。比较和分析了各工艺方法的优缺点,并提出制备性能优异的陶瓷粉体的发展趋势。 相似文献