N_2-H_2容性耦合等离子体电非对称效应的particle-in-cell/Monte Carlo模拟

H_2-N_2混合气体电容性耦合射频放电在有机低介电系数材料刻蚀中具潜在研究意义.采用paxticle-incell/Monte Carlo模型模拟了双频(13.56 MHz/27.12 MHz)电压源分别接在结构对称的两个电极上的H_2-N_2容性耦合等离子体特征,研究了其电非对称效应.模拟结果表明,通过调节两谐波间的相位角θ,可以改变其电场、等离子体密度、离子流密度的轴向分布及离子轰击电极的能量分布.当相位角θ为0°时,低频电极(晶片)附近主要离子(H_3~+)的密度最小,离子(H_3~+,H_2~+,H~+)轰击低频电极的流密度及平均能量最高;当θ从0°变化90°时,低频电极的自偏压从-103V到106V近似线性增加,轰击电极的离子流密度变化约±18%,H~+离子轰击低频电极的最大能量约减小2.5倍,轰击电极的平均能量约变化2倍,表明氢离子能量和离子流几乎能独立控制.     

基于PIα控制的分数阶超混沌Chen系统同步研究

本文提出一种PIα控制器设计方法,实现了分数阶超混沌Chen系统的混沌同步．首先针对分数阶超混沌Chen系统设计了PIα控制器,然后利用改进的双参数Mittag-Leffler函数估计定理和扩展的Gronwall引理证明了系统的稳定性,并指出了使分数阶超混沌Chen系统同步的控制器参数需满足的条件．仿真结果证实了所设计方法的有效性．     

冷却塔配水系统布水研究与数学模型的建立

为解决冷却塔配水系统布水不均匀的问题,对冷却塔管式配水系统的构成、特点进行研究,分析各部件及管系的阻力特性,结合Bernoulli方程和Gardel方程,建立配水系统动、静压转换和每个喷头前的配水压力计算公式,实现每个喷头的流量计算.为实现配水均匀,通过控制最大流量喷头与最小流量喷头的流量差,提出冷却塔均匀配水的计算模型.据此可按要求的流量差进行配水系统的设计与计算,为冷却塔实现配水均匀提供了可靠的计算方法,经多个工程实践验证该方法计算结果与工程实际吻合.     

APPLEⅡ微机的多点自动测试系统

本文介绍一种个人计算机控制的新型多点自动测试系统。该系统采用了自行设计的接口仪器。新型接口包括有应变放大器和由微机程控的多路自动转换器。文中讨论了采用该系统进行应变梁的弯曲实验以及复合应力下主应力测试的实例。 本文提出的测试系统方便、价廉、可靠。     

新贮氢材料——含微量锰的微晶镁粉

以气雾化冷凝法制备了含有微量Mn的微晶镁粉(Mg(Mn)). XRD表明，其主物相仍然是六方晶系的微晶镁，其粒径在100～500 nm之间.这种微晶镁粉(Mg(Mn))具有较高的储氢量(6.2％)，在280 ℃具有较快的放氢速度.     

Fabrication of High Quality SiGe Virtual Substrates by Combining Misfit Strain and Point Defect Techniques

High quality strain-relaxed thin SiGe virtual substrates have been achieved by combining the misfit strain technique and the point defect technique.The point defects were first injected into the coherently strained SiGe layer through the "inserted Si layer" by argon ion implantation.After thermal annealing,an intermediate SiGe layer was grown with a strained Si cap layer.The inserted Si layer in the SiGe film serves as the source of the misfit strain and prevents the threading dislocations from propagating into the next epitaxial layer.A strained-Si/SiGe/inserted-Si/SiGe heterostructure was achieved with a threading dislocation density of 1×104cm-2 and a root mean square surface roughness of 0.87 nm.This combined method can effectively fabricate device-quality SiGe virtual substrates with a low threading dislocation density and a smooth surface.     

GaSb p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and its temperature dependent characteristics

GaSb p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)with an atomic layer deposited Al2O3gate dielectric and a self-aligned Si-implanted source/drain are experimentally demonstrated.Temperature dependent electrical characteristics are investigated.Different electrical behaviors are observed in two temperature regions,and the underlying mechanisms are discussed.It is found that the reverse-bias pn junction leakage of the drain/substrate is the main component of the off-state drain leakage current,which is generation-current dominated in the low temperature regions and is diffusion-current dominated in the high temperature regions.Methods to further reduce the off-state drain leakage current are given.     

7050铝合金航空锻件热锻成形穿流缺陷分析

以7050铝合金航空锻件热锻成形为研究对象,利用数值模拟及实际生产试验研究了锻件成形的穿流缺陷问题,分析了穿流缺陷的形成机理及其影响因素.研究表明:穿流缺陷取决于多种因素,包括锻造方式、设备工作速度以及模具结构等;在锻件穿流区域,因为金属的剧烈变形以及局部温度升高,晶粒之间大量地聚集再结晶,晶粒调整取向、合并连接成大片状而形成粗晶;相比常规热模锻,在等温模锻工艺下,锻件筋部更容易填充,锻件流线分布更合理;常规热模锻工艺下,设备工作速度越大,锻件形成穿流缺陷的机率也越大;随着模具水平凸圆角半径的增大,成形结束时腹板处金属流向模具飞边的平均速度呈减小趋势.     

广义马尔柯夫更新过程及其应用

从一类具有一般分布的随机服务系统状态空间出发，定义了一种新的随机过 程──广义马尔柯夫更新过程：研究了这种随机过程的基本性质及分析方法；提出了 一种将广义马尔柯夫更新过程变换为马尔柯夫更新过程的有效状态重组方法──状态 分解合并法，并给出了一种讨论过程极限特性的状态频率法．最后，应用上述方法建 立了［ＭＩＧＩ１］：［ｎＩ∞ＩＦＣＦＳ］混合制排队系统的解析榨型。     

区域性单桩竖向承载力预测模型研究

提出和建立了单桩竖向极限承载力预测的人工神经网络模型，并结合区域性工程实例进行了模型训练和检验．检验结果表明，该模型的预测值与实测值比较吻合．