有关2013的趣题探究

1．证明：20112012＋2014/20112013＋2014〉20112013＋2014/20112013＋2014. 分析：教材上有一道著名的范例,若a、6、m∈R＋,且a〈b,则有a/b〈a＋m/b＋m.上述范例又称“糖水”不等式（亦称“明亮”不等式）,其辐射面广、功能强大,尤其在高考中应用十分普遍．不仅出现在国内1998年全国、2001年全国、2008年福建、2009年山东等高考试题,以及2005年中国数学奥林匹克中,乃至国际试题,如1987年美国数学邀请赛、1986年前苏联大学入学考试、2008年日本数学奥林匹克等等也有其身影．恰当使用该范例及其变式,往往获得让人赏心悦目的解答．对于上述范例,数学界同行已经探究出很多变式,     

植物中27种典型药品及个人护理品多残留检测方法的建立及其在芽苗菜中迁移规律的分析

建立了一种基于超高效液相色谱-串联质谱同时检测植物体内27种典型药品及个人护理品(PPCPs)残留的分析方法,经HLB萃取小柱对植物体内PPCPs富集净化,以BEH C18色谱柱(100 mm×2.1 mm, 1.7μm)分离,以0.1%甲酸水溶液-乙腈为流动相梯度洗脱,电喷雾电离质谱正离子多反应监测(MRM)模式下分析。方法学考察表明,植物体中27种PPCPs的检出限为0.01～0.30μg/kg;定量限为0.03～0.98μg/kg;在各自的检测范围内有良好的线性关系(r²>0.99),平均回收率为80.8%～122.3%,相对标准偏差(RSD)为1.0%～9.9%。使用本方法检测生长在不同含量PPCPs培养基中的芽苗菜,结果发现在低含量PPCPs培养基中生长的芽苗菜体内检出了10种PPCPs;在中含量PPCPs培养基中生长的芽苗菜体内检出13种PPCPs;在高含量PPCPs培养基中生长的芽苗菜体内检出19种PPCPs。结果表明在有PPCPs污染的水体中生长的植物或是用含有被PPCPs污染的水源灌溉的植物会吸收并积累PPCPs,且植物对PPCPs的吸收种...     

稀氢氟酸中硅表面氢终端的原位拉曼光谱研究

本文用共焦显微拉曼系统原位观察了Ｓｉ（１００）表面氢终端原子在稀氢氟酸中的变化过程。研究表明：在硅片浸入氢氟酸溶液的初期,表面主要被硅和三个氢原子的结合体（Ｓｉ Ｈ３）以及硅和两个氢原子的结合体（Ｓｉ Ｈ２）所覆盖。随着腐蚀过程的延长,Ｓｉ Ｈ３越来越少,Ｓｉ Ｈ２的信号不断增强,并且,硅和单个氢原子的结合体（Ｓｉ Ｈ）的信号也开始出现。最终,硅表面主要被Ｓｉ Ｈ２所覆盖,有少量Ｓｉ Ｈ３和Ｓｉ Ｈ键。本文还表明,拉曼光谱用来原位观察半导体材料表面终端原子键在溶液中的变化是很有用的工具     

La0.7-xNdxMg0.3Ni3.4Al0.1(x=0～0.4)储氢合金的相结构及电化学性能

采用真空烧结方式制备了AB3.5型La0.7-xNdxMg0.3Ni3.4Al0.1(x=0,0.1,0.2,0.3和0.4)储氢合金.XRD分析表明,所有合金均由LaNi5,La2Ni7和LaNi3三相组成.当Nd含量增加时,合金中的LaNi5和La2Ni7相含量有不同程度的增加,而LaNi3相相应减少.电化学性能测试表明,添加适量的Nd能改善合金电极的循环稳定性,其中La0.6Nd0.1Mg0.3Ni3.4Al0.1合金具有相对较好的综合性能,其最大放电容量达到322.4 mAh·g-1,循环50周的容量保持率(S50)达到89.98%.     

Interfacial and electrical properties of HfAlO/GaSb metal-oxide-semiconductor capacitors with sulfur passivation

Interfacial and electrical properties of HfAlO/GaSb metal-oxide-semiconductor capacitors(MOSCAPs) with sulfur passivation were investigated and the chemical mechanisms of the sulfur passivation process were carefully studied. It was shown that the sulfur passivation treatment could reduce the interface trap density Ditof the HfAlO/GaSb interface by 35% and reduce the equivalent oxide thickness(EOT) from 8 nm to 4 nm. The improved properties are due to the removal of the native oxide layer, as was proven by x-ray photoelectron spectroscopy measurements and high-resolution cross-sectional transmission electron microscopy(HRXTEM) results. It was also found that GaSb-based MOSCAPs with HfAlO gate dielectrics have interfacial properties superior to those using HfO2 or Al2O3 dielectric layers.     

基于Krawtchouk矩和支持向量机的印鉴真伪识别

提出了一种将Krawtchouk矩特征不变量与高斯核支持向量机相结合的印鉴识别方法。实验中将得出的印鉴图像Krawtchouk矩特征向量作为高斯核支持向量机的输入参量,利用遗传算法优化支持向量机的惩罚因子和核参数,使识别性能得到有效提高;实验显示Krawtchouk矩下的印鉴类间散度与类内散度比值是Zernike矩的2.93倍,与遗传算法优化后的高斯核支持向量机相结合下的识别率明显提高。结果表明:与Zernike矩不变量相比,Krawtchouk矩不变量能更加准确地描述印鉴图像特征,识别性能更好。     

Technology demonstration of a novel poly-Si nanowire thin film transistor

A simple process flow method for the fabrication of poly-Si nanowire thin film transistors(NW-TFTs) without advanced lithographic tools is introduced in this paper.The cross section of the nanowire channel was manipulated to have a parallelogram shape by combining a two-step etching process and a spacer formation technique.The electrical and temperature characteristics of the developed NW-TFTs are measured in detail and compared with those of conventional planar TFTs(used as a control).The as-demonstrated NW-TFT exhibits a small subthreshold swing(191 mV/dec),a high ON/OFF ratio(8.5 × 10~7),alow threshold voltage(1.12 V),a decreased OFF-state current,and a low drain-induced-barrier lowering value(70.11 mV/V).The effective trap densities both at the interface and grain boundaries are also significantly reduced in the NW-TFT.The results show that all improvements of the NW-TFT originate from the enhanced gate controllability of the multi-gate over the channel.     

汽车四轮转向系统五自由度动力学模型

在简化力学模型的基础上,基于非线性轮胎力模型,利用拉格朗日能量法建立了汽车四轮转向系统动力学模型,包括俯仰、侧倾、侧向、横摆及垂直五个自由度。探索了利用能量法建立动力学模型的思路,该模型能够反映汽车实际结构参数对汽车的影响,对于发出合理的四轮转向控制系统有重要的指导意义。     

N_2-H_2容性耦合等离子体电非对称效应的particle-in-cell/Monte Carlo模拟

H_2-N_2混合气体电容性耦合射频放电在有机低介电系数材料刻蚀中具潜在研究意义.采用paxticle-incell/Monte Carlo模型模拟了双频(13.56 MHz/27.12 MHz)电压源分别接在结构对称的两个电极上的H_2-N_2容性耦合等离子体特征,研究了其电非对称效应.模拟结果表明,通过调节两谐波间的相位角θ,可以改变其电场、等离子体密度、离子流密度的轴向分布及离子轰击电极的能量分布.当相位角θ为0°时,低频电极(晶片)附近主要离子(H_3~+)的密度最小,离子(H_3~+,H_2~+,H~+)轰击低频电极的流密度及平均能量最高;当θ从0°变化90°时,低频电极的自偏压从-103V到106V近似线性增加,轰击电极的离子流密度变化约±18%,H~+离子轰击低频电极的最大能量约减小2.5倍,轰击电极的平均能量约变化2倍,表明氢离子能量和离子流几乎能独立控制.     

基于PIα控制的分数阶超混沌Chen系统同步研究

本文提出一种PIα控制器设计方法,实现了分数阶超混沌Chen系统的混沌同步．首先针对分数阶超混沌Chen系统设计了PIα控制器,然后利用改进的双参数Mittag-Leffler函数估计定理和扩展的Gronwall引理证明了系统的稳定性,并指出了使分数阶超混沌Chen系统同步的控制器参数需满足的条件．仿真结果证实了所设计方法的有效性．