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王敬义 《华中科技大学学报(自然科学版)》1981,(5)
本文应用概率的方法,研究了大功率变流器中变流元件的损坏规律,指出,根据支路故障显示法可求出故障指示灯已亮灯数与整个设备变流元件损坏总数的统计关系,为合理选择检修周期提供了依据.文中还详细地分析了故障讯号源内阻抗随故障讯号引出点位置变化的规律,证明了1/(N-1)的引出方案最优. 相似文献
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本文研究了Te-TeO_2-Sn-Ge非晶态薄膜的制备工艺以及薄膜在炉式退火后所引起的光学参数(透射率、反射率、折射率、消光系数),介电常数,光学能隙以及X射线衍射谱的变化情况,文中还分析了薄膜中各组元的作用和产生相应变化的机理。 相似文献
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宏观粒子在等离子体中的纯化模型研究 总被引：3，自引：2，他引：1
从宏观粒子和微观粒子的输运现象及等离子体化学入手 ,建立了宏观粒子沉降过程中的纯化模型 .计算了各类粒子的浓度的径向分布、加速度、速度、沉降时间及杂质的去除总量 .结果表明 ,对于纯度为 99%的Si Ge合金颗粒中的杂质总量可去除 97%左右 .计算结果与实验结果接近 相似文献
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介绍了冷等离子体冶金效应的实验方法和结果,列出了反应粒子的输运方程,较详细地分析了它们之间的耦合关系.在讨论输运方程的求解过程中,证明各种粒子的输运速率是与提纯效果紧密相关的.提供了对硅的提纯结果和工艺参数,列出了氯原子的输运速率和硅粉温度关系的计算结果. 相似文献
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分析了粉粒在反应区的沉降过程,导出了沉降的最大速度及时间的公式,给出了离子在不同位置上的平均动能及粒子通量.还对高能中性粒子在鞘区内的行为进行了详细的分析并得出在不同位置上的平均动能和通量.它可用于计算空间不同位置处包括离子和高能中性粒子的刻蚀速率,计算结果表明高能中性粒子在很大的空间范围内其刻蚀作用大于离子.在阴极电压为2 300 V的情况下,一次沉降的最大刻蚀量可达50层原子、刻蚀速率1.1×1016/(cm2.s-1),这对粉粒在等离子体中的表面刻蚀和纯化都具有一定的意义. 相似文献
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在直立平板电极鞘层内进行了硅粉表面刻蚀.使硅粉的纯度由99%提高到99.97%.提出了鞘区中离子和高能氩原子的平均能量和通量方程,建芷了包括高能中性粒子贡献的刎蚀速率计算式.实验和计算结果表明总的刻蚀速率可达到2.04×1015/(cm2·s)以上.文中还给出了反应区内粉粒沉降时间的方程和粉粒的收集判据.在一般工艺条件下,硅粉在反应区内的沉降时间为5～10 s,这意味着纯化目标必须经约40次循环才能实现. 相似文献
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本文研究了以SiH_4为气源,常压下化学气相淀积(APCVD)非晶态硅薄膜的光电特性及工艺参数的影响。通过与辉光放电a-Si:H膜的光电特性的比较,分析了APCVD a-Si膜的带隙结构和导电机理。 相似文献
18.
宏观粒子在等离子体中的输运模型研究 总被引：2，自引：2，他引：0
建立了等离子体中宏观粒子的输运模型 ,计算了粒子沉降的加速度、速度和时间 ,得出了粒子收集的判据和沉降过程中提纯效应可提高很多的结论 .这对等离子体的工业应用具有重要的意义 相似文献
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粉粒在等离子体中纯化的理论与工艺参数 总被引：1，自引：0，他引：1
针对反应室的情况，建立了硅粉的运动学模型和粉粒收集判据．应用该模型和判据，选择进气流速为5～20cm^3／min(标准状态下)，抽气比例为0．1．由于等离子区内只存在表面反应，钝化作用会使纯化效应消失．在鞘层内存在大量高能离子，除表面反应外，离子还能对粉粒表面进行刻蚀，因此钝化效应将消失．按此新的纯化概念，鞘层应尽量增厚．基于鞘尽模型考虑，在适中的压力、电流密度和直流自偏压下，选定鞘层厚度为1．5cm．刻蚀提纯的实验结果表明，硅的纯度可由99．00％．提高到99．97％． 相似文献