基于光纤氧气传感器的细胞培养氧分压测试实验

基于荧光淬灭原理,利用光纤氧气传感器检测PK-15细胞培养过程中的氧分压.实验结果表明:随着细胞密度的增高,测得的氧分压减小,说明细胞在代谢过程中,耗氧量要大于氧气的扩散溶解量.细胞培养过程中液相中的氧分压水平不仅依赖于细胞培养环境气相中的氧分压,而且也依赖于细胞的密度和细胞代谢.     

体心立方晶体铁在双轴作用下的结构稳定性研究

采用改进分析型嵌入原子法对体心立方晶体铁在双轴载荷作用下的结构稳定性和理论强度进行了研究.根据Milstein修正的单轴载荷下的Born稳定判据,推导出了晶体在双轴载荷下的稳定性判据.结果表明,在压缩区域出现的无应力面心四方相是不稳定的,会自发的滑向近邻无应力亚稳态体心四方相.体心立方晶体铁在双轴载荷下稳定范围是0.2657~0.2989nm,对应的压应力和张应力分别为43.73eV/nm3和34.14eV/nm3.     

Ag掺杂对La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3磁性和导电性的影响机制研究

稀土掺杂锰氧化物材料La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3(LSMO)的顺磁-铁磁转变温度(Tc)高于室温,在自旋电子学等领域有广泛的应用前景.近年来的研究表明,Ag掺杂能有效改善LSMO的晶粒尺寸和导电性能.本文中采用溶胶-凝胶法制备了La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3:Agx(x=0,0.5%)多晶粉体.采用X线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)和X线光电子能谱(XPS)多种技术,测试了Ag掺杂前后LSMO的微观形貌、晶相结构、电阻率、磁滞回线、Ag和Mn元素价态变化.分析表明:一部分Ag以单质形式存在于LSMO晶粒边界,增强了导电性;另一部分Ag进入晶格,替代了钙钛矿结构ABO3的A位La离子,使LSMO中出现少量La2O3杂相,并使Mn3+/Mn4+比例降低,削弱了双交换作用,因此LSMO的磁性减弱.Ag替代La还使LSMO的少数自旋子带带隙略减小,对提高导电性有次要的负作用.     

激发态受激喇曼散射的半经典处理

本文讨论了光场与 V 型三能级系统近共振相互作用的半经典模型,由此求出了近共振激发时激发态的粒子数分布及由此产生的激发态受激喇曼散射(ESSRS)的增益,并研究了弛予,光强及失谐等因素对增益的影响,理论得出的结果与在钠原子中观察到的实验结果有较好的一致。     

自由电子激光振荡器的二维数值模拟

在柱二维坐标系中,用数值计算方法求解了摇摆器内电子模拟方程组、光场方程组和无源区(不含摇摆器区)经非自适应方法变换后的无源旁轴波动方程并设计了相应的程序R_2D。用该程序计算的数值结果表明,在有源条件下二维数值模拟结果与高斯光束近似下的数值模拟结果符合较好;取完全相同的计算条件R-2D程序与洛斯阿拉莫斯实验室(LANL)的FELEX程序的计算结果符合较好;初步认为LANL实验数据的物理图象合理,数值结果基本可信;最后给出北京自由电子激光器(BFEL)的一些物理数据。     

(GaAs)_1(AlAs)_1(001)超晶格电子结构的从头计算

本文用密度泛函线性丸盒轨道原子球近似方法(DFT-LMTO-ASA)对(GaAs)_1(AlAs)_1(001)超晶格的电子结构进行了第一原理性计算。利用Lowdin微扰法在矩阵元中计入d态的影响,可使本文方法仅用阶数很小(32×32)的久期方程便可较满意地处理这个超晶格系统。计算并讨论了该超晶格的带隙,导带极小值处各本征态的分波特性以及GaAs和AlAs层间的价电子转移。我们的结果同最近用计算量大得多的从头算赝势法和完整势线性缀加平面波(FLAPW)法所得的结果进行了比较。结果表明,本文方法不仅具有合理的精度,而且有快速高效率的特点,更适于研究层数较多或结构更复杂的半导体超晶格,如(GaAs)m(AlAs)n等系统的电子结构性质。     

动量6.8Бзв/сπ-介子与核子的非弹性作用的研究

【摘　要】利用核乳胶对动量为6.8±0.6Бэв/c的π^-介子与核子非弹性作用进行了研究。积累了138个事例。作用中的次级带电粒子在入射的π^-介子与核子质心系中的角分布与动量分布等和前人结果一致,并且基本上可以用边缘碰撞机制来说明。利用这些事例和在相同条件下的联合原子核研究所的质子数据,计算了全部次级粒子(除质子外)在它们自己系统中的总能量ω。作ω的分布,并和边缘碰撞1π交换近似计算的理论曲线作比较,在ω=1.93和1.58Бэв附近,实验值各有一高峯突出于理论曲线之外。本文中对这二个峯的存在进行了讨论。     

高能散射的集体坐标理论

本文用A.Bohr的集体坐标,给出了两个复杂粒子系统间的散射振幅.文中着重讨论了两个复杂粒子系统在散射过程中的集体激发的问题。     

深切怀念叶企孙先生

叶企孙先生是中国物理学界的老前辈,对发展中国物理学和培养物理学人才方面有过重要的贡献．文化大革命期间他遭到林彪、“四人帮”极左路线的迫害,身心受到很大的摧残,不幸于1977年1月13日病故．这是中国物理学界的一个极大的损失．叶先生是上海人,生于1898年,早年在清华留美预备班学习,于1918年到美国去留学,以精确测定普朗克常数的实验工作获得博士学位．1923年回到南京东南高等师范（即现在南京大学的前身）物理系任....