基于深紫外激光-光发射电子显微技术的高分辨率磁畴成像

基于磁二色效应的光发射电子显微镜磁成像技术是研究薄膜磁畴结构的一种重要研究手段,具有空间分辨率高、可实时成像以及对表面信息敏感等优点.以全固态深紫外激光(波长为177.3 nm;能量为7.0 eV)为激发光源的光发射电子显微技术相比于传统的光发射电子显微镜磁成像技术(以同步辐射光源或汞灯为激发源),摆脱了大型同步辐射光源的限制;同时又解决了当前阈激发研究中由于激发光源能量低难以实现光电子直接激发的技术难题,在实验室条件下实现了高分辨磁成像.本文首先对最新搭建的深紫外激光-光发射电子显微镜系统做了简单介绍.然后结合超高真空分子束外延薄膜沉积技术,成功实现了L10-FePt垂直磁各向异性薄膜的磁畴观测,其空间分辨率高达43.2 nm,与利用X射线作为激发源的光发射电子显微镜磁成像技术处于同一量级,为后续开展高分辨磁成像提供了便利.最后,重点介绍了在该磁成像技术方面取得的一些最新研究成果:通过引入Cr的纳米"台阶",成功设计出FePt的(001)与(111)双取向外延薄膜;并在"台阶"区域使用线偏振态深紫外激光观测到了磁线二色衬度,其强度为圆二色衬度的4.6倍.上述研究结果表明:深紫外激光-光发射电子显微镜磁成像技术在磁性薄膜/多层膜体系磁畴观测方面具备了出色的分辨能力,通过超高真空系统与分子束外延薄膜制备系统相连接,可以实现高质量单晶外延薄膜制备、超高真空原位传输和高分辨磁畴成像三位一体的功能,为未来磁性薄膜材料的研究提供了重要手段.     

古代文学，请从象牙之塔里走出来——论古文学研究的当代性问题

如果模仿古人的格式，用凝炼的诗句对古代及现、当代文学的研究态势予以概括，现、当代文学可借用岑参的两句诗：“忽如一夜春风来，千树万树梨花开”，古代文学可参照白居易的两句诗：“外人不见见应笑，天宝末年时世妆”。不可否认，近几年来古代文学研究较之以往有了长足的进步；同样不可否认，在当代文学评论、文学理论中新观念、新思潮、新方法层出不穷、如浪推涌的横向比较下，古代文学几乎成了被社会遗弃的丑小鸭。我敢肯定地说，这种感受绝非笔者一人所独有，它在大多数从事古代文学研究、关心古代文学研究的同志的大脑中都或隐或显，或淡或浓地存在着。     

Ar/O2等离子体处理烟草中主要化学成分的初步研究

为了优化调制烟叶中的化学成分,采用了低温常压Ar/O2等离子体处理方法结合近红外光谱分析,对烟草考察了不同放电时间的处理效果.结果显示:等离子体处理后,烟碱等主要的五种化学成分的含量随处理时间的增加均有改变.因此,需要对输入气体、放电电压、放电距离等更多的影响因素进行深入研究,达到提高烟叶品质的目的.     

Study of magnetic field expansion using a plasma generator for space radiation active protection

There are many active protecting methods including Electrostatic Fields, Confined Magnetic Field, Unconfined Magnetic Field and Plasma Shielding etc. for defending the high-energy solar particle events (SPE) and Galactic Cosmic Rays (GCR) in deep space exploration. The concept of using cold plasma to expand a magnetic field is the best one of all possible methods so far. The magnetic field expansion caused by plasma can improve its protective efficiency of space particles. One kind of plasma generator has been developed and installed into the cylindrical permanent magnet in the eccentric. A plasma stream is produced using a helical-shaped antenna driven by a radio-frequency (RF) power supply of 13.56 MHz, which exits from both sides of the magnet and makes the magnetic field expand on one side. The discharging belts phenomenon is similar to the Earth's radiation belt, but the mechanism has yet to be understood. A magnetic probe is used to measure the magnetic field expansion distributions, and the results indicate that the magnetic field intensity increases under higher increments of the discharge power.     

MgO单晶势垒磁性隧道结的第一性原理计算和实验研究

在MgO单晶势垒磁性隧道结中发现的室温高隧穿磁电阻现象,是近些年自旋电子学以及磁性隧道结磁电阻材料研究中的又一重大突破.本文主要评述和介绍2001年以来MgO单晶势垒磁性隧道结第一性原理计算和实验上的重要进展,以及介绍利用Layer-KKR第一性原理计算方法研究的Fe(001)/MgO/Fe、Fe(001)/FeO/MgO/Fe、Fe(001)/Mg/MgO/Fe、Fe(001)/Co/MgO/Co/Fe和Fe(001)[MgO/Fe/MgO/Fe等基于单晶MgO(001)单势垒及双势垒磁性隧道结材料的电子结构和自旋相关输运性质研究的最新进展.这些第一性原理定量计算的结果,不仅从物理上增强了对MgO单晶势垒磁性隧道结的电子结构和自旋相关输运特性的了解,而且对于研究新型室温磁电阻隧道结材料及其在自旋电子学器件中的广泛应用,具有一定的参考价值.     

Characterization of ion-implanted 4H-SiC Schottky barrier diodes

Ion-implantation layers are fabricated by multiple nitrogen ion-implantations (3 times for sample A and 4 times for sample B) into a p-type 4H-SiC epitaxial layer. The implantation depth profiles are calculated by using the Monte Carlo simulator TRIM. The fabrication process and the I--V and C--V characteristics of the lateral Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes (SBDs) fabricated on these multiple box-like ion-implantation layers are presented in detail. Measurements of the reverse I--V characteristics demonstrate a low reverse current, which is good enough for many SiC-based devices such as SiC metal--semiconductor field-effect transistors (MESFETs), and SiC static induction transistors (SITs). The parameters of the diodes are extracted from the forward I--V and C--V characteristics. The values of ideality factor n of SBDs for samples A and B are 3.0 and 3.5 respectively, and the values of series resistance R_\rm s are 11.9 and 1.0~kΩ respectively. The values of barrier height φ _\rm B of Ti/4H-SiC are 0.95 and 0.72 eV obtained by the I--V method and 1.14 and 0.93 eV obtained by the C--V method for samples A and B respectively. The activation rates for the implanted nitrogen ions of samples A and B are 2\% and 4\% respectively extracted from C--V testing results.     

重视家谱整体研究发展中国特色社会主义

阐述了家谱研究的意义,指出在社会发展的新形势下重视家谱信息化、理论化、民族化、经济化等研究的重要性。     

纳秒脉冲空气辉光放电等离子体及应用

采用基于半导体断路开关的纳秒脉冲高压电源,在两个金属电极之间产生放电区间为1 600 mm×100 mm×25 mm的常压辉光空气等离子体。等离子体发生器采用负高压针电极阵列与平板阳极结构,针电极的直径为1 mm,长度为20 mm,针电极之间的间隔为20 mm,针电极与平板零电位之间的距离为25 mm,在每个负高压针电极末端周围同时形成圆锥形辉光放电,在平板地电极则形成大面积辉光放电。采用电压探针测量了该新型等离子体的放电特性,结果表明：放电脉冲的上升时间为26 ns,最高脉冲输出峰值电压为27 kV;利用该辉光等离子体对幅宽为1 000 mm聚四氟乙烯薄膜进行了表面改性处理,处理后其表面接触角由原来的124°降到69°,亲水性能大为提高。     

“不笑不足以为诚斋诗”——论诚斋诗的谐趣

本文认为．南宋幽默诗人的桂冠属于。不羔不足以为诚斋诗”的杨诚斋，但诚斋诗的笑绝非简单的插科打诨、油腔滑调，也非仅但把幽默当作逃避现实的避风港．解脱痛苦的麻醉剂，而是有着十分丰富的社会内容和审美价值。在他的出默中，我们既可以从会心的微笑中得到审美的享受，又可从乐观的态度中感受到蕴藏于其中的豪迈、信心、激情、勇敢、向上等内在的精神力量，并可以透过笑声认识事物的真善美和假恶丑。     

外延单晶La2/3Ca1/3MnO3-δ薄膜中磁电阻的磁场依赖关系

采用直流磁控溅射法在NdGaO₃ ( 110 )衬底上制备了La_2/3Ca_1/3MnO_3-δ外延单晶薄膜 .在 0～8T的磁场范围内测量了不同温区下的磁电阻随磁场的变化关系 .结果表明 ,ρ(H )遵循以下规律 :当温度高于居里温度T_C 时 ,ρ(H ) =1α(T) + β(T)H² ;当T <Tc时,ρ(H ) =ρ0(T ) +1A(T)+B(T)exp(H/C(T));而当温度远低于居里温度时,ρ(H ) =1σ(T) + ν(T)H。表明负巨磁电阻的产生主要起因于磁场引起的电导率的增加。