高功率转换效率905 nm垂直腔面发射激光器的设计与制备

通过对影响垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser, VCSEL)的功率转换效率的因素进行理论分析,得出斜率效率是影响功率转换效率的主要因素的结论.为获得高功率转换效率,通过对有源区量子阱、P型和N型分布布拉格反射镜(DBR)等进行优化,设计出了905 nm VCSEL的外延结构并进行了高质量外延生长.成功制备出了不同氧化孔径的905 nm VCSEL器件,获得的最大斜率效率为1.12 W/A,最大转换效率为44.8%.此外,探究了氧化孔径对VCSEL的远场和光谱特性的影响.这种具有高功率转换效率的905 nm VCSEL器件为激光雷达的小型化、低成本化提供了良好的基础数据.     

中子产额活化测量法中γ γ符合探测效率的模拟计算

为了估计聚变中子产额Cu活化测量法中加速器中子源刻度与实际测量中几何条件不一致对测量结果的影响,通过对MCNP进行二次开发,用蒙特卡罗方法计算了这两种情况下有角关联的γ γ符合探测效率,通过与刻度实验结果比较,验证了计算结果的正确性,得出了几何条件的差别引起探测效率的增加小于3%的结论。     

聚变中子产额铜活化测定法γ-γ符合计数系统的研制

 介绍了测定聚变中子产额铜活化法的原理 、γ-γ符合计数系统、软件结构和功能、标定等。γ-γ符合计数系统中,辐照样品的计数指令发出后,计数、存储、数据处理到输出最终测量报告,全部由计算机进行控制,提高了数据的可靠性和工作效率。     

Ni金属诱导多晶硅薄膜的低温制备与性能研究

利用 Ni金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法制备 p- Si薄膜 .XRD,Raman光谱研究结果表明 ,a- Si/ Ni经 440℃ 2 h以上退火处理后 ,形成多晶相结构 .用 SEM,XPS等分析手段对薄膜的结构进行分析 ,并对金属 Ni诱导晶化的机理进行简要的探讨     

西藏城镇居民消费结构的实证分析

文章利用扩展线性支出系统,对西藏城镇居民的消费结构及各类消费品需求变化趋势进行分析与探讨,并给出了合理的政策建议。文章旨在揭示消费品市场的规律,帮助预测各类消费品在西藏的未来需求,这对于引导居民消费,优化消费结构乃至建立合理的产业结构和产品结构均具有现实的指导意义。     

聚变中子产额铜活化测定法γ-γ符合计数系统的研制

介绍了测定聚变中子产额铜活化法的原理 、γ-γ符合计数系统、软件结构和功能、标定等。γ-γ符合计数系统中,辐照样品的计数指令发出后,计数、存储、数据处理到输出最终测量报告,全部由计算机进行控制,提高了数据的可靠性和工作效率。     

西藏民族手工业发展对策研究

西藏民族手工业历史悠久,在西藏经济社会中具有重要地位,然而由于诸多原因,其发展也面临诸多问题。文章对西藏民族手工业的发展现状进行分析,并提出了相应的措施。     

“神光Ⅱ”基频光黑腔靶实验超热电子诊断

介绍“神光Ⅱ”首次进行大能量基频光黑腔靶实验超热电子实验观测,采用十道滤波荧光谱仪(FFS)测量腔靶发射15—250keV硬x射线谱,由高能x射线谱通量推断超热电子占入射激光能量份额ηhe为13%—16%,由谱的斜率推断超热电子温度Th为35—45keV,由超热电子能量和受激拉曼散射光(SRS)能量的关联,推断超热电子产生的机理,并给出了不同腔靶在不同激光能量EL下超热电子产生的特征 关键词： 1.053μm激光 超热电子 黑腔靶 大能量激光