一维光子晶体的吸收特性与电场分布

考虑一维光子晶体的吸收特性与电场分布,分析了吸收介质和激活介质缺陷对光子晶体吸收率的影响,并分别计算了有缺陷和无缺陷时的电场分布.     

中国散裂中子源直线射频功率源系统的研制

中国散裂中子源加速器质子束流加速能量为1.6 GeV,重复频率为25 Hz,撞击固体金属靶产生散射中子,一期工程的打靶束流功率为100 kW。直线加速器的设计束流流强为15 mA,输出能量为81 MeV。射频加速和聚束系统包括一台射频四极场加速器、中能束流传输线的两个聚束器、四节漂移管直线加速器加速腔和直线-环束流传输线的一个散束器,与之相对应,共有8个单元在线运行的射频功率源为其提供所需的射频功率。目前,直线射频功率源系统预研项目已全部完成,各项性能参数均已达到设计指标,当前正处在批产安装调试阶段。151013     

Electrochemical Probe of Hydroxylation of 4-Nitro-phenol by Cytochrome C with Hydrogen Peroxide

ＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌＰｒｏｂｅｏｆＨｙｄｒｏｘｙｌａｔｉｏｎｏｆ４┐Ｎｉｔｒｏ┐ｐｈｅｎｏｌｂｙＣｙｔｏｃｈｒｏｍｅＣｗｉｔｈＨｙｄｒｏｇｅｎＰｅｒｏｘｉｄｅ＊ＺＨＵＹｉ－ｍｉｎ,ＷＡＮＧＪｉｎ－ｃｈｅｎｇ＊＊,ＬＩＪｉｎｇ－ｈｏｎｇａｎ...     

Studies on Free Radical EPR,Superoxide Dismutase Water-soluble Lipidperoxide in Tears

ＳｔｕｄｉｅｓｏｎＦｒｅｅＲａｄｉｃａｌＥＰＲ,ＳｕｐｅｒｏｘｉｄｅＤｉｓｍｕｔａｓｅＷａｔｅｒ┐ｓｏｌｕｂｌｅＬｉｐｉｄｐｅｒｏｘｉｄｅｉｎＴｅａｒｓＹＵＡＮＹｉ＊,ＺＨＡＯＳｈｉ－ｈｏｎｇ,ＹＡＮＧＳｈｏｕ,ＣＵＩＹａ－ｎａｎａｎｄＺＨＡＮ...     

金属箔断路开关电爆性能的研究

 给出了在单纯断路开关调节电路(F型)、断路开关－变压器调节电路（FT型）和变压器－断路开关调节电路（TF型）三种类型的电爆炸断路开关的理论模型和数值模拟结果,并对其性能进行对比和分析。     

退火及铟含量对InGaAs量子点光学特性的影响

 研究了退火条件和In组份对分子束外延生长的InGaAs量子点（分别 以GaAs或AlG aAs为基体）光学特性的影响。表明：量子点中In含量的增加将导致载流子的定域能增加和基态与激发态之间的能量间隔增大。采用垂直耦合的量子点及宽能带的AlGaAs基体可增 强材料的热稳定性。以AlGaAs为基体的InGaAs量子点,高温后退火工艺 (T= 830℃)可改善低温生长的AlGaAs层的质量,从而改善量子点激光器材料的质量。     

镀膜陶瓷真空室脉冲磁场穿透特性研究

 介绍了合肥电子储存环新凸轨注入系统中将采用的超高真空陶瓷镀钛真空室的研制状况。对穿过真空室镀膜的脉冲磁场特性进行了理论分析与计算。讨论了不同的镀膜厚度及方式对脉冲磁场均匀性的影响,用跟踪程序计算了注入过程磁场径向不均匀性对束流轨道的扰动,给出了涡流引起的磁场径向不均匀性最大允许值。     

发光玻璃在X射线实时成像系统中的应用

 介绍了以铽(Tb)激活的高密度发光玻璃和光导纤维发光玻璃的特性。它应用在X 射线实时成像系统中,可大大改善空间分辨能力。用它做的转换屏比一般晶粒状荧光物质做的厚得多,特别适合用于高能X射线实时成像系统。     

飞秒激光脉冲的高效率放大研究

 介绍了采用多通放大的飞秒脉冲掺钛蓝宝石激光放大系统,分析讨论了提高放大效率及缩短脉冲宽度的技术方法。在仅用能量290mJ的倍频Nd:YAG激光泵浦下,得到了输出峰值功率大于1.4TW、脉宽25fs、重复频率10Hz的超短超强激光脉冲。     

3G移动通信CDMA/TDMA改进方案

3G移动通信系统应该以提供移动Internet业务为主,将存在多个不同的速率,而如何实现多速率兼容是一个需要特别关注的问题。给出了多速率CDMA移动系统中不同速率信道发送功率与发信速率的关系式,将原有的计算式进行了推广,并由此导出一种CDMA/TDMA技术,该技术可用于改进原FDD WCDMA和CDMA2000标准中只使用CDMA和VSF实现多用户多速率兼容的方法。可以成倍增加系统下行容量并提高功率利用率,克服了CDMA2000 1x和WCDMA标准上下行容量基本对称的技术缺陷。